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大師們請教個Rsense問題?

圖中紅圈里紋波是什么引起的呢 要緊不?

24_副本-36-2013-12-26 18

全部回復(fù)(25)
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2013-12-27 08:49
那是開關(guān)管在開關(guān)過程中引起的震蕩    正常
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sinican
LV.8
3
2013-12-27 14:31

開關(guān)管 Cds 與 電感產(chǎn)生的震蕩,正常情況

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colinghui
LV.4
4
2013-12-27 17:54
如果很大呢?如那兩圖 一個是空載 一個是滿載
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colinghui
LV.4
5
2013-12-28 20:31
@sinican
開關(guān)管Cds與電感產(chǎn)生的震蕩,正常情況

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colinghui
LV.4
6
2013-12-30 17:15
@colinghui
如果很大呢?如那兩圖一個是空載一個是滿載
不能沉啊
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colinghui
LV.4
7
2014-01-07 13:52
@colinghui
不能沉啊

沒有前輩遇到這樣的問題嗎

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sinican
LV.8
8
2014-01-07 16:59
@colinghui
沒有前輩遇到這樣的問題嗎

這種大的波形,是因為你后級整流管恢復(fù)時間太長了

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colinghui
LV.4
9
2014-01-08 17:28
@sinican
這種大的波形,是因為你后級整流管恢復(fù)時間太長了
12V3A用20100肖特基對管整流啊 我懷疑感量會影響 EF25磁芯 0.8mH 這感量是不是大了?
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sinican
LV.8
10
2014-01-08 19:39
@colinghui
12V3A用20100肖特基對管整流啊我懷疑感量會影響EF25磁芯0.8mH這感量是不是大了?

這個圖形是,原邊的開關(guān)管與副邊的整流管共通了

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colinghui
LV.4
11
2014-01-09 21:16
@sinican
這個圖形是,原邊的開關(guān)管與副邊的整流管共通了
前輩  你遇到過這類問題嗎  影響大不  輸出整流已經(jīng)用肖特基了,反相恢復(fù)時間還不夠那該如何解決呢
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sinican
LV.8
12
2014-01-10 14:33
@colinghui
前輩 你遇到過這類問題嗎 影響大不 輸出整流已經(jīng)用肖特基了,反相恢復(fù)時間還不夠那該如何解決呢

加速你前級 MOS 的打開速度吧

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2014-01-10 14:46

這兩個尖峰沒有多大影響的,MOS導(dǎo)通前的尖峰在IC內(nèi)部都有LEB功能的,你可參考各IC的參考資料。后面的尖峰其實是因為漏感影起的,從而導(dǎo)致MOS內(nèi)部的寄生容在不停的充放電。

 

  

 

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colinghui
LV.4
14
2014-01-11 20:53
@向著太陽
這兩個尖峰沒有多大影響的,MOS導(dǎo)通前的尖峰在IC內(nèi)部都有LEB功能的,你可參考各IC的參考資料。后面的尖峰其實是因為漏感影起的,從而導(dǎo)致MOS內(nèi)部的寄生容在不停的充放電。    
前沿消隱???這尖峰影響大不?會影響到什么呢?正在更改變壓器參數(shù),搞定將會公布結(jié)果。
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2014-01-13 16:44
@colinghui
前沿消隱???這尖峰影響大不?會影響到什么呢?正在更改變壓器參數(shù),搞定將會公布結(jié)果。
LEB就是前沿隱,現(xiàn)在IC都有此功能,你可看IC內(nèi)部框圖就清楚了。這個尖峰的大小其實完全是你ST設(shè)計的而產(chǎn)生的,我有設(shè)計過一款12V2.5A的POWER,Rsense電阻導(dǎo)通時產(chǎn)生的電流尖峰比你的大多了,也沒問題,這個尖峰已被IC過濾掉了,所以你應(yīng)該看一下IC的資料,資料內(nèi)有詳細(xì)說明的。
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yiangzi
LV.4
16
2014-01-13 17:18
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colinghui
LV.4
17
2014-01-13 20:44
@向著太陽
LEB就是前沿隱,現(xiàn)在IC都有此功能,你可看IC內(nèi)部框圖就清楚了。這個尖峰的大小其實完全是你ST設(shè)計的而產(chǎn)生的,我有設(shè)計過一款12V2.5A的POWER,Rsense電阻導(dǎo)通時產(chǎn)生的電流尖峰比你的大多了,也沒問題,這個尖峰已被IC過濾掉了,所以你應(yīng)該看一下IC的資料,資料內(nèi)有詳細(xì)說明的。

沒有說帶有那功能啊 內(nèi)部框圖晚輩又看不懂,前輩幫看下 帶那功能嗎

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colinghui
LV.4
18
2014-01-13 22:16
后面兩圖的結(jié)果出來了,果然是感量太大了。但好像不會產(chǎn)生什么大的影響,我來這里前,已經(jīng)量產(chǎn)過了,這變壓器是前面的工程師設(shè)計的。但前輩們有沒有發(fā)現(xiàn),下降時的紋波并不平滑?是不是磁芯接近

飽和了???還有就是周期好像不一樣,第二個周期好像抖動的厲害,這是什么情況
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jiame2006
LV.7
19
2014-01-14 08:27
@colinghui
后面兩圖的結(jié)果出來了,果然是感量太大了。但好像不會產(chǎn)生什么大的影響,我來這里前,已經(jīng)量產(chǎn)過了,這變壓器是前面的工程師設(shè)計的。但前輩們有沒有發(fā)現(xiàn),下降時的紋波并不平滑?是不是磁芯接近[圖片]飽和了???還有就是周期好像不一樣,第二個周期好像抖動的厲害,這是什么情況

1.貌似沒有飽和的特征,把波形再展開一個等級看,如果飽和或輕度飽和,上升那個波形會是弧形,現(xiàn)在看起來是直的斜線,應(yīng)該沒有飽和。

2.抖動應(yīng)該是IC帶抖頻功能,這個可以降低EMI單頻點峰值,分散到附近頻段,這樣EMI會好處理很多。

 

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2014-01-14 09:09
@colinghui
后面兩圖的結(jié)果出來了,果然是感量太大了。但好像不會產(chǎn)生什么大的影響,我來這里前,已經(jīng)量產(chǎn)過了,這變壓器是前面的工程師設(shè)計的。但前輩們有沒有發(fā)現(xiàn),下降時的紋波并不平滑?是不是磁芯接近[圖片]飽和了???還有就是周期好像不一樣,第二個周期好像抖動的厲害,這是什么情況

LEB就是前沿消影,框圖里有提到,你也可通過IC的功能描述欄找到答案。

該圖說明ST沒有飽和,此圖你是放在最高操作溫度里量測的嗎?驗證ST飽和的最佳方法就是在電源的外殼上鉆一個小孔,從Rsense上引出一根線,用示波器抓Rsense的電壓波形,在滿載條件下燒機,看電壓波形就可識別了。你若要確認(rèn)系統(tǒng)的穩(wěn)定性能好不好,可將此波形再壓縮一下,只要在長時間燒機下沒有出現(xiàn)大小波你的系統(tǒng)應(yīng)該是穩(wěn)定的,

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colinghui
LV.4
21
2014-01-14 11:18
@向著太陽
LEB就是前沿消影,框圖里有提到,你也可通過IC的功能描述欄找到答案。該圖說明ST沒有飽和,此圖你是放在最高操作溫度里量測的嗎?驗證ST飽和的最佳方法就是在電源的外殼上鉆一個小孔,從Rsense上引出一根線,用示波器抓Rsense的電壓波形,在滿載條件下燒機,看電壓波形就可識別了。你若要確認(rèn)系統(tǒng)的穩(wěn)定性能好不好,可將此波形再壓縮一下,只要在長時間燒機下沒有出現(xiàn)大小波你的系統(tǒng)應(yīng)該是穩(wěn)定的,
這個是在常溫下測的。
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2014-01-14 11:21
@colinghui
這個是在常溫下測的。
常溫當(dāng)然不行,若常溫就能看出問題那電源真的問題太大了。放入最高操作溫度里再驗證看看...
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colinghui
LV.4
23
2014-01-14 11:41
@colinghui
后面兩圖的結(jié)果出來了,果然是感量太大了。但好像不會產(chǎn)生什么大的影響,我來這里前,已經(jīng)量產(chǎn)過了,這變壓器是前面的工程師設(shè)計的。但前輩們有沒有發(fā)現(xiàn),下降時的紋波并不平滑?是不是磁芯接近[圖片]飽和了???還有就是周期好像不一樣,第二個周期好像抖動的厲害,這是什么情況
更正一下上面的說法,今天早上又裝回原來的變壓器來測試,空載尖峰還是不變,但滿載時尖峰卻正常了。郁悶
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colinghui
LV.4
24
2014-01-14 11:43
@向著太陽
常溫當(dāng)然不行,若常溫就能看出問題那電源真的問題太大了。放入最高操作溫度里再驗證看看...
這沒那條件,長時間低壓老化應(yīng)該也可以吧
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2014-01-15 20:24
@colinghui
[圖片][圖片]
MOS準(zhǔn)備關(guān)斷了但又推遲了一下,這個問題主要是由兩個原因引起的 -

1. PCB走線不合理。MOS管驅(qū)動部分的走線要盡量短一些,不要太細(xì)。最好貼近到MOS管S極之間的地線,使驅(qū)動線路與地線回路之間圍住的面積盡量小。(請參看下圖)

2. MOS管S極到地之間的電阻,要用無感電阻。

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colinghui
LV.4
26
2014-01-15 21:35
@心碎的烏托邦
MOS準(zhǔn)備關(guān)斷了但又推遲了一下,這個問題主要是由兩個原因引起的-1. PCB走線不合理。MOS管驅(qū)動部分的走線要盡量短一些,不要太細(xì)。最好貼近到MOS管S極之間的地線,使驅(qū)動線路與地線回路之間圍住的面積盡量小。(請參看下圖)2.MOS管S極到地之間的電阻,要用無感電阻。
幫哥 圖呢?
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