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大功率MOS管和IGBT的電流，電壓指標(biāo)是怎么測量的？

那種datasheet上標(biāo)注工作電流（不是脈沖電流）上百A，電壓上百V的大功率MOS管和IGBT，怎么測量這兩個指標(biāo)？

真的給MOS管和IGBT加上那么大的持續(xù)電流？比如一個MOS管或IGBT的電流指標(biāo)是150A，廠家測試的時候就是給信號讓MOS管或IGBT持續(xù)開通，然后長時間加上一個150A的直流電流？

那不得有個功率很大的電源和一個功率很大的負(fù)載才行？

還得加散熱片？

測電壓的時候就是管子關(guān)閉狀態(tài)加上那么高的電壓，不被擊穿就OK？

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2014-01-19 16:26

在不傷害萬電表的情況下， 只要溫度在范圍內(nèi)，可以測

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evike
LV.2
3
2014-01-24 23:57
其實這些參數(shù)的測量都是根據(jù)一定的條件和一定的測量電路得到的，測試條件一般都會給出，但是測試電路有些不會再datasheet給出。比如Ices，ge短路加Vces時測得的Ic，這個指標(biāo)用來衡量開關(guān)不動作時，額定電壓的通電流。測電壓VCES是否達(dá)標(biāo)，我遇到過一個例子是ge短路，往c極通電流，測量ce的電壓。但是這個測試方法測壞了很多的管子，因為ce是高阻，通往c極的電流控制不好的話，會導(dǎo)致ce之間的電壓超過了管子耐壓，擊穿了。
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2014-01-25 09:04
看SOA區(qū)就可以。
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igbt8_com
LV.2
5
2014-02-07 17:26

具體IGBT的測試方法可參考IGBT測試標(biāo)準(zhǔn) IEC60747，這里面會講解IGBT參數(shù)的詳細(xì)測試方法，一般IGBT出廠時都需要進(jìn)行一些關(guān)鍵參數(shù)測試，不過一般都是用脈沖的方式，手冊里的實際參數(shù)值一般制定的比較保守。

關(guān)于IGBT詳細(xì)參數(shù)的解釋可參考下面文章：

http://www.igbt8.com/jc/19.html

http://www.igbt8.com/

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shenx123
LV.10
6
2014-02-08 09:18
@evike
其實這些參數(shù)的測量都是根據(jù)一定的條件和一定的測量電路得到的，測試條件一般都會給出，但是測試電路有些不會再datasheet給出。比如Ices，ge短路加Vces時測得的Ic，這個指標(biāo)用來衡量開關(guān)不動作時，額定電壓的通電流。測電壓VCES是否達(dá)標(biāo)，我遇到過一個例子是ge短路，往c極通電流，測量ce的電壓。但是這個測試方法測壞了很多的管子，因為ce是高阻，通往c極的電流控制不好的話，會導(dǎo)致ce之間的電壓超過了管子耐壓，擊穿了。
只要不擊穿. 什么都好商量
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