因?yàn)?a target="_blank">IGBT具有電導(dǎo)調(diào)制能力，相對于功率MOSFET和雙極晶體管具有較強(qiáng)的正向電流傳導(dǎo)密度和低通態(tài)壓降。因此可實(shí)現(xiàn)更小的芯片尺寸，并降低成本。由于輸入是MOS柵結(jié)構(gòu)，需要的驅(qū)動功率低，驅(qū)動電路簡單。相對于電流控制元件（Thyristor, BJT），控制更簡單，適合于高電壓大電流的應(yīng)用。較寬安全工作區(qū)：在輸出特性方面，相對于雙極晶體管，IGBT具有優(yōu)異的電流傳導(dǎo)能力。還具有優(yōu)良的正向和反向電壓阻斷能力。IGBT相對于MOSFET及BJT的缺點(diǎn)：相對于MOSFET開關(guān)速度慢（小于100KHz），但優(yōu)于BJT。由于少數(shù)載流子的原因，集電極會形成拖尾電流，導(dǎo)致較慢的關(guān)斷速度?？蓞㈤單恼耯ttp://www.igbt8.com/jc/3.html（IGBT與MOSFET以及BJT的性能對比）及http://www.igbt8.com/jc/2.html（IGBT的構(gòu)造與工作原理詳解）