用UC3843搭了個電路，但是低溫試驗(yàn)下，起機(jī)不正常，炸機(jī)，附MOSFET驅(qū)動與DS波形，請大家?guī)兔Ψ治鱿隆?/h1>

常溫時可以，低溫下不行，用的FQA13N80以及UC3843電路。波形上邊一個為Vds波形，下邊一個為對應(yīng)的Vgs波形，不知道為何MOSFET在電源打嗝不停重啟動期間，沒有由截止進(jìn)入飽和？圖中為低壓100Vac下的輸入下的輕載波形。高壓下265Vac輸入時，啟動就很容易炸機(jī)了。明顯MOSFET的工作狀態(tài)異常。

為了對應(yīng)EMI，所以驅(qū)動電阻為10+39歐；放電時反并一個1N4148在39歐上。其他基本上與普通3843無區(qū)別。

現(xiàn)在就是想分析下，MOSFET為何在高占空比下，不進(jìn)入導(dǎo)通狀

態(tài)？放電時間不足？