建議:

1,RCD的D套磁珠

2，MOS D套磁珠

3，輸出二極管套磁珠

4，調整變壓器屏蔽層位置，不知道你是銅皮還是繞線屏蔽？  繞線的話，位置，匝數，層數，相位，效果可能不同。

5，調整變壓器繞法。一般情況，初級越在里層，輻射越小，  為什么？ 自己思考。

6，調整EMI濾波器 共模電感   用分槽的，一般比沒分槽的效果好。

7，調整RCD的參數，D 型號，C容量，R阻值。D，超快的，快速的，一般的 都試試。

對于，輻射，我認為需要 從根源和途徑下手。

根源，漏感，MOS快速關斷D電壓突變，輸出整流二極管恢復震蕩

途徑，主要是Y電容 和LF濾波電感。 有時，調整下Y電容位置，會有驚喜。

你好,power006：

    1.RCD 的D是貼片  2.MOS是貼片的   3.輸出的D是貼片 套不了磁珠  4.變壓器采取三明治繞法：1/2NP-NS-Nvcc-1/2NP  內屏蔽是線繞的  外屏蔽是銅箔  5.？                                   6.PCB定了改不了；

    我現在的想法是共模部分的抑制不好，跨接在初級地和次級地的Y電容 2.2NF改為3.3NF的 

我看你PCB 拉了那么長的線 難怪會超  這個回路的輻射量一部分取決于這個回路的大小 另一部分取決于這個回路的屏蔽量和產生量。你變壓器結構和PCB結構固定了 那么就想辦法減小這個回路面積，減小面積的辦法就是 縮短整流后濾波電容到變壓器輸入端和MOS管源極的距離。