先不要用501做吧,都不是很穩(wěn)定.

有什么問題?請(qǐng)告訴我,我正在批量生產(chǎn)

PCB與電池連接時(shí)要按順序從GND開始﹐逐次連上去﹐如不按順序IC會(huì)發(fā)燙

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關(guān)于PS501與電池的連接順序,不管是從GND--到高,或從高到低都不會(huì)有問題.但是如果不是順序連接的話就有可能損壞PS501.  如果使用Seiko的S8254做保護(hù)芯片,最好是從高到低來連接,S8254不會(huì)保護(hù),反過來連接會(huì)引起放電保護(hù).

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蘇生,你能提供更多的關(guān)于GC1318的方案信息嗎?是貴司開發(fā)的芯片還在用其他MCU做的專用芯片?價(jià)格怎么樣?包括GC1318芯片和整體方案的成本.

能否將資料給我發(fā)一份,xing_xf@163.com

費(fèi)用?

問題不是在費(fèi)用,是在 貴公司的項(xiàng)目上是不是有前景?
如果是有前景,我們是可以提供免費(fèi)的服務(wù).

如果用MM1414做保護(hù)芯片應(yīng)該是怎么連接方式

ps501確實(shí)不錯(cuò),各項(xiàng)性能指標(biāo)均能讓最挑剔的客戶滿意.唯有一點(diǎn),輸入電壓的耐壓偏低,只有20V,要知道面對(duì)16.8v的電池,最好有30V的耐壓才保險(xiǎn);20V好像有點(diǎn)太冒險(xiǎn).

我正在考慮利用PS501和MM1414做筆記本電池,有什么好的建議

破壞別人生意的事情我實(shí)在不想做 --:(
但我要說的是,PS501這個(gè)缺陷實(shí)在很重要,一定要用的話,在各電壓輸入端多加防護(hù)吧.

另外,PS501的電流檢測(cè)和電壓檢測(cè)8路信號(hào)公用A/D,輪流切換需要時(shí)間,所以面對(duì)那些可能考測(cè)脈沖放電的客戶慎用,可能會(huì)丟失電流信號(hào).

非常感謝,我會(huì)考慮.

willzhang 你在這方面真是個(gè)專家,PS501用在大容量方面比BQ好,因BQ最大只能10A,

在別的帖子里看到您的MM1414方面的觀點(diǎn).想請(qǐng)教一下

MM1414這個(gè)芯片我也在用,電路采用應(yīng)用手冊(cè)上給出的電路,在第三腳上串聯(lián)了一個(gè)100歐的電阻.但是看到MM1414的資料上介紹它的過流保護(hù)電壓在0.15V,這個(gè)檢測(cè)電壓是否為靠近B+的那個(gè)MOSFET兩端的電壓?加上這個(gè)電阻是分那里的電壓?TCOL1,TCOL2,TCOL3這3個(gè)時(shí)間當(dāng)中是否有一個(gè)為芯片內(nèi)部固定時(shí)間,一般情況下短路保護(hù)時(shí)間是多少?順便問一下大俠短路保護(hù)一般怎么做.

S8254是否也有和MM1414一樣的問題.

應(yīng)用手冊(cè)中串這么一個(gè)電阻,防靜電、沖擊的考慮為主.
短路保護(hù)和過流原理一樣,在MOSFET上的壓降大于某一值且長(zhǎng)于某一時(shí)間時(shí),短路保護(hù)觸發(fā).不同芯片各有不同,一般過流比較長(zhǎng),短路比較短.

沒有仔細(xì)看過S8254的SPEC,都是日本人的東西,看起來不爽,能不用就不用.

應(yīng)用日本人的東西我就感至壓抑.能替換緊就替換.看到三菱的芯片我就感到郁悶.大家做好不要用日本的電芯,LG的電芯不錯(cuò).我們公司就是用它們的.

WillZhang 您好!在我們多家產(chǎn)品測(cè)試中20V輸入是沒有問題的,PS501是四個(gè)Vcell輸入端都是20V,在對(duì)電芯的電壓采樣時(shí),可以直接與4串電芯直接相聯(lián),在考慮ESD方面的性能時(shí)會(huì)通過串聯(lián)一個(gè)220ohm的電阻與電芯相連接.PS501內(nèi)部對(duì)電池輸入端有專門的保護(hù)電路,確保其可靠性.我們知道給4sxP的電池充電時(shí)其恒壓值也就是16.80V,考慮充電器的電壓檢測(cè)精度為1%,其輸出最大值為:16.97V,  20V的裕量是足夠的.用過BQ2060的朋友可以知道他的輸入最高也為20V,第一,二節(jié)的輸入最高電壓僅為10V,PS501的4個(gè)輸入端都為20V.  當(dāng)然了,技術(shù)的東西需要實(shí)踐中來檢驗(yàn),Willzhang在實(shí)踐中有關(guān)于這方面有寶貴經(jīng)驗(yàn),還請(qǐng)多多指教!

沒錯(cuò),PS501對(duì)各種模擬信號(hào)的采樣是使用模擬通道來切換的,現(xiàn)在大都的混合信號(hào)測(cè)量都是使用分時(shí)采樣的方法.就只要這個(gè)采樣的速度足夠快的話,就可以做到實(shí)時(shí)的效果.就像我們?cè)谑褂肳indows操作系統(tǒng)一樣,在聽音樂的同時(shí)進(jìn)行上網(wǎng)和各種各樣的操作,這好像都是在并行進(jìn)行的,實(shí)質(zhì)上都是在分時(shí)處理.                                                              在一個(gè)系統(tǒng)中AD轉(zhuǎn)換,主要有兩個(gè)指標(biāo),采樣精度和采樣速率.在需要高速采樣的場(chǎng)合如電機(jī)控制系統(tǒng)中Microchip公司尖對(duì),直流有刷電機(jī),無刷直流電機(jī)的,交流電機(jī)的控制系統(tǒng)中分別有PIC16F,PIC18FXX39,PIC18FXX31及dsPIC30F,可以提供高達(dá)12bit,100KPS或者10Bit,500KSPS的采樣精度和采樣速率. 對(duì)于電池包電壓,電流的采樣是不需要太快的速度的,目前所有的電池電量計(jì)量芯片都是采用分時(shí)采樣的方法來做的,而有ADC采樣的時(shí)間只占整個(gè)工作周期的小部份時(shí)間,大部分的時(shí)間用于處理電量的計(jì)量. 我們知道現(xiàn)在用在電池包的處理芯片大都工作在32Khz的低頻率,從而達(dá)到低功耗的目的,PS501使用的ADC是片內(nèi)集成Σ-∆ A/D 轉(zhuǎn)換器,其最大分辨率16 位.PS501還有專門的電量計(jì)量模型用來處理分時(shí)采樣的誤差補(bǔ)償.在電池的AD轉(zhuǎn)換,精度和速度的關(guān)系是:要求高的精度而不要求太快的速度.因?yàn)樽鳛殡娫?其電壓,電流突變的情況是很少的.

我正在看PS501芯片的資料,感覺很不錯(cuò).好象其中的買點(diǎn)電池平衡介紹的不是很多,一般建議不采用是這樣嗎?另外我想設(shè)計(jì)一款外掛的筆記本電池,利用筆記本的電源適配器給電池充電,能提供關(guān)于充電這方面的資料嗎

電池的等效模型是理想電壓源、寄身電感、寄身電容的復(fù)合體.特別是電感,由于通常工作在直流環(huán)境下,往往被人忽略.事實(shí)上電池的卷層結(jié)構(gòu)造成的寄身電感往往幾百nL,甚至更高.在充電電流忽然中斷等情形電流劇烈波動(dòng)時(shí),電感會(huì)產(chǎn)生沖擊電壓,這一電壓會(huì)擊穿負(fù)責(zé)控制的MOSFET,因此常見MOSFET兩端并聯(lián)電容降低沖擊,但受到?jīng)_擊的除了MOSFET外還有Gas Gauge和鋰電保護(hù)電路,這也是為什么TI、Seiko, 美上美等Guage,Protector廠商電芯連接端的耐壓都要大于30V,內(nèi)部控制還要高得多的原因.以20V耐壓來闖蕩江湖,未免有點(diǎn)太過托大.

對(duì)于緩慢變化的物理量采用輪流檢測(cè)的做法無可厚非;
對(duì)于快速變化的物理量采用輪流檢測(cè)會(huì)丟失數(shù)據(jù).電流改變的速度每秒可能1000次,檢測(cè)每秒一次,這樣的精度只能對(duì)于恒定直流源才有效,否則誤差就大了,相對(duì)于脈動(dòng)直流,最大誤差100%!
通常這種輪流檢測(cè)是不得已的辦法,用MCU解決方案的大多數(shù)如此,三菱M37516也是如此,TI和Maxim就用了獨(dú)立的電流積分電路,我相信Michochip也是不得已的辦法,在他的下一款電路中應(yīng)該會(huì)有所改善,大家可以拭目以待.

bq2060的電壓輸入端并不和電芯直接相連,而是通過幾百k的電阻分壓,這就注定了他根本不怕浪涌電壓的沖擊,PS501不一樣,它直接連接或通過一個(gè)100ohm的電阻,不能不考慮過壓危險(xiǎn).

謝謝Willzhang給我們上了深入淺出的一課,我回頭再了解一下PS501內(nèi)部的結(jié)構(gòu),實(shí)際上PS501的電壓采樣端到內(nèi)部ADC模塊是有經(jīng)過分壓網(wǎng)絡(luò)的,PS501為了簡(jiǎn)化外部電路的設(shè)計(jì)將這部分電路做到芯片里面了,而不需要像BQ2060一樣要用外部電阻分壓. 同時(shí)PS501是基于PIC18F單片機(jī)內(nèi)核的.用過PIC MCU的工程師可以了解其IO口對(duì)VDD有正向保護(hù)二極管,可以有效的防止電感性的反壓擊穿. Willzhang的建議,我將在我們產(chǎn)品中進(jìn)行進(jìn)一步的驗(yàn)證.

你所說的內(nèi)部分壓并不能增加Cell端口的耐壓值,因?yàn)檫@樣的因素已經(jīng)被考慮在最終耐壓的標(biāo)定了.否則Microchip一定會(huì)標(biāo)耐壓值30V, 40V.內(nèi)部分壓電路肯定存在,但內(nèi)部的端口耐壓也一定更低保護(hù).
保護(hù)二極管對(duì)于電感的浪涌電壓,嘿嘿,只有芯片廠商自己相信.一旦出現(xiàn)比Vcc高0.7V的電壓和Gnd低0.7V的電壓,CMOS電路就變成了一個(gè)可控硅,給一個(gè)觸發(fā)電流就啟動(dòng)栓鎖效應(yīng).至于這個(gè)電流多大,一般和電流的持續(xù)時(shí)間有關(guān),無論如何,我相信100uA是非常危險(xiǎn)的.

電池的等效模型是理想電壓源、寄身電感、寄身電容的復(fù)合體.特別是電感,由于通常工作在直流環(huán)境下,往往被人忽略.事實(shí)上電池的卷層結(jié)構(gòu)造成的寄身電感往往幾百nL,甚至更高.在充電電流忽然中斷等情形電流劇烈波動(dòng)時(shí),電感會(huì)產(chǎn)生沖擊電壓,這一電壓會(huì)擊穿負(fù)責(zé)控制的MOSFET,因此常見MOSFET兩端并聯(lián)電容降低沖擊,但受到?jīng)_擊的除了MOSFET外還有Gas Gauge和鋰電保護(hù)電路,這也是為什么TI、Seiko, 美上美等Guage,Protector廠商電芯連接端的耐壓都要大于30V,內(nèi)部控制還要高得多的原因.以20V耐壓來闖蕩江湖,未免有點(diǎn)太過托大.

這段話真是分析得有道理呀.所以我們期待MICROCHIP公司的FAE快速把些問題回饋給你們的公司,修改芯片.我想只要是你們的芯片沒有什么隱患,肯定可以得到中國(guó)用戶的信任.我以前就吃過FAIRCHILD公司類似的苦頭,芯片出了問題(HD565),他們只回收就行了,而我卻被公司老板痛斥.不堪回首.所以你要請(qǐng)WILLZHANG吃飯呀,他在幫你.

這幾年來,我作為Microchip公司產(chǎn)品的用戶到Microchip產(chǎn)品的推廣工作,我對(duì)Microchip公司的產(chǎn)品是抱十分的信心的,Microchip的產(chǎn)品就是以可靠見長(zhǎng),這在每月上1000K量的各大家電生產(chǎn)廠的生產(chǎn)統(tǒng)計(jì)的結(jié)果可以得知:Microchip產(chǎn)品的不良率是最低的.我們現(xiàn)在在這里討論的問題,這只是我們用理論分析的初步意見,并沒有在實(shí)踐中來驗(yàn)證.willzhang的建議我們馬上的反饋給Powersmart的開發(fā)人員,Willzhang如果也在深圳上班的話可以找個(gè)時(shí)間一起好好聊聊,I treat you!    我在這里可以負(fù)責(zé)任的說,PS501是經(jīng)過Microchip嚴(yán)格測(cè)試推出的,大家可以放心使用,希望能得到大家的支持,如果你不放心的話,我可以提供評(píng)估板給你進(jìn)行測(cè)試.

毫無疑問,Microchip是一家令人尊敬的優(yōu)秀公司,但他閉口不提輪流檢測(cè)電流可能造成的系統(tǒng)誤差,也閉口不談電池過壓可能對(duì)端口的傷害,令人不解.

也許PowerSamrt只是Microchip收購(gòu)的一家公司,Microchip對(duì)這一行業(yè)的了解還不夠,相信下一款產(chǎn)品能夠在這兩方面有所改善,我個(gè)人相信Microchip有能力做得到.