頭一次接觸逆變，開始前級閉環(huán)，MOS波形振蕩，發(fā)熱，效率不高等問題，泡了很久論壇，吸取了大家很多經(jīng)驗(yàn)，采用TL494+8010，前級開環(huán)的方案基本調(diào)試完成，效率85%以上，60W，輸出110AC，但是問題又來了，輸入電壓12V-25V，比較寬，前級開環(huán)，母線電壓變化比較大，造成后級MOS管采樣電阻上電壓不準(zhǔn)確，過流保護(hù)在輸入電壓不同的時候也就不準(zhǔn)確了。
現(xiàn)在想請教各位大師，如果前級改回閉環(huán)，增加續(xù)流電感，可否解決MOS波形振蕩的問題并保證效率？下面幾個是當(dāng)時MOS的電壓電流波形，振蕩的很厲害，沒有解決，遂改為開環(huán)。請大師幫忙分析下原因，指明方向！
如果前級閉環(huán)，EGS002后級的電壓反饋VFB可否不用，這樣有沒有好處？
項(xiàng)目緊急，希望大師解救！實(shí)時關(guān)注，希望大師指點(diǎn)一二！
目前已改為閉環(huán)，在鐘工的指導(dǎo)下，調(diào)整了RC，電解等，目前效率85%左右，還可以接受，但是隨之而來的是閉環(huán)以后輸入電壓抖動劇烈，最嚴(yán)重的時候PP=1V左右，而且好像和輸入電壓不成比例，最大電壓和最小電壓輸入時反而不大，很是迷惑，輸入紋波太大肯定對電池不好啊，請問大家有沒有好的經(jīng)驗(yàn)分享一下。
