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ir2110 驅(qū)動(dòng)irf540全橋逆變，驅(qū)動(dòng)波形問(wèn)題

ir2110 驅(qū)動(dòng)irf540全橋逆變，低端輸出波形比較正常，高端輸出對(duì)地的電壓波形比較大，vb和ho之間的波形還算正常，都有小的震蕩

問(wèn)題1.高端輸出對(duì)地的波形是否正常，然后對(duì)地的波形電壓值范圍是和輸出電壓有關(guān)吧？

問(wèn)題2： 逆變電路上加的吸收電路是否有問(wèn)題，然后能不能有吸收電路方面的資料。

非常感謝大家的解答。。

波形和電路圖如下所示，波形從上而下為輸出電壓，ho對(duì)地的電壓，lo對(duì)地的電壓。

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原理圖

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ho和bs之間的電壓

1(6NX06

全部回復(fù)(8)
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bianbowei
LV.3
2
2014-03-04 14:34
首先，我覺(jué)得測(cè)試高端MOS驅(qū)動(dòng)不應(yīng)該對(duì)地測(cè)量，MOS驅(qū)動(dòng)應(yīng)該測(cè)試GS引腳電平。
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bianbowei
LV.3
3
2014-03-04 14:45
@bianbowei
首先，我覺(jué)得測(cè)試高端MOS驅(qū)動(dòng)不應(yīng)該對(duì)地測(cè)量，MOS驅(qū)動(dòng)應(yīng)該測(cè)試GS引腳電平。
另外，驅(qū)動(dòng)波形中米勒平臺(tái)處抖動(dòng)過(guò)大，可以從減小自舉電壓供電阻抗入手，也就是把那兩個(gè)電解電容中的一直換成1uF的CBB電容看看效果。還不滿足要求的化，適當(dāng)減小驅(qū)動(dòng)電阻。若還不行，核實(shí)一下IRF540的驅(qū)動(dòng)電荷要求，也許是211O推不動(dòng)。
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SYM_Fone
LV.2
4
2014-03-04 15:12
@bianbowei
首先，我覺(jué)得測(cè)試高端MOS驅(qū)動(dòng)不應(yīng)該對(duì)地測(cè)量，MOS驅(qū)動(dòng)應(yīng)該測(cè)試GS引腳電平。
謝謝回答，實(shí)際測(cè)量肯定是測(cè)試gs間的電壓，只是仿真的時(shí)候看到ho對(duì)地的波形不正常，想了解下應(yīng)該是如何的
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bianbowei
LV.3
5
2014-03-04 16:04
@SYM_Fone
謝謝回答，實(shí)際測(cè)量肯定是測(cè)試gs間的電壓，只是仿真的時(shí)候看到ho對(duì)地的波形不正常，想了解下應(yīng)該是如何的
仿真與器件模型關(guān)系很大，初級(jí)階段不太可能正確建立這些器件模型，可以不用糾結(jié)，以實(shí)測(cè)為準(zhǔn)。
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SYM_Fone
LV.2
6
2014-03-04 16:10
@bianbowei
仿真與器件模型關(guān)系很大，初級(jí)階段不太可能正確建立這些器件模型，可以不用糾結(jié)，以實(shí)測(cè)為準(zhǔn)。
恩，謝謝，搭個(gè)實(shí)物看看再說(shuō)
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SYM_Fone
LV.2
7
2014-03-04 16:26
@bianbowei
仿真與器件模型關(guān)系很大，初級(jí)階段不太可能正確建立這些器件模型，可以不用糾結(jié)，以實(shí)測(cè)為準(zhǔn)。
忘了，順便請(qǐng)教下，逆變電路的輸出波形不是很理想的方波，存在各種震蕩，就如上圖的波形圖的波形，有什么辦法可以消除么？
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2014-05-05 16:44
@SYM_Fone
忘了，順便請(qǐng)教下，逆變電路的輸出波形不是很理想的方波，存在各種震蕩，就如上圖的波形圖的波形，有什么辦法可以消除么？
哎！…我的也是，之前是關(guān)斷震蕩，處理好之后現(xiàn)在是半橋打開(kāi)有一兩個(gè)尖刺，調(diào)高占空比整個(gè)半橋打開(kāi)期間全是震蕩
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bianbowei
LV.3
9
2014-05-21 14:34
@SYM_Fone
忘了，順便請(qǐng)教下，逆變電路的輸出波形不是很理想的方波，存在各種震蕩，就如上圖的波形圖的波形，有什么辦法可以消除么？
方波逆變波形疊加正弦振蕩是由于離散參數(shù)和設(shè)計(jì)參數(shù)中的LC震蕩引起，建議先測(cè)量得到震蕩頻率，再分析可能會(huì)造成該頻率震蕩的振源。
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