薄膜電容器匯總及選型

XK湘凱電子科技有限公司    作者:jinyong  QQ396873378,BOM:13913287141                                 

電容器的知識(shí)，相信大家一定不會(huì)陌生了。那薄膜電容器，不知道大家是否有了解呢？薄膜電容器是什么呢？薄膜電容器的特性及選用又是什么呢？以下，小編將與大家分享薄膜電容器的相關(guān)方面知識(shí)。由于陶瓷電容器在容量較大時(shí)(10000PF以上2類瓷-E、F特性)，其穩(wěn)定性和損耗都變差，在高性能要求的電路上只能選用薄膜電容器，下面將二種常見的聚酯膜和聚丙烯膜電容器的特性做一對(duì)比說明：1．聚酯膜電容器的特性：1）體積小，容量大，其中尤以金屬化聚酯膜電容的體積更小。2）使用溫度范圍較寬：-55C～+120C。（聚丙烯電容為：-40~+85C）3) 正溫度系數(shù)電容4) 損耗tanδ隨頻率升高而增加較大, 因此不宜用于高頻電路。2．聚丙烯薄膜電容器的特點(diǎn)：1) 高頻損耗極低tanδ≤0.1%，（聚酯電容tanδ≤1.0 %）。且在很寬的頻率范圍內(nèi)損耗變化很小，適合高頻電路使用。（100KHz以內(nèi)）2) 較小的負(fù)溫度系數(shù)；3) 絕緣電阻極高（IR≥10 MΩ）；4) 介電強(qiáng)度高，適合做成高壓薄膜電容器。綜上所述，聚丙烯電容是一種性能優(yōu)良的非常接近理想電容器的電容，因此，價(jià)格也較貴。

3．金屬化薄膜電容器的特點(diǎn)：金屬化薄膜電容即是在聚酯薄膜的表面蒸鍍一層金屬膜代替金屬箔做為電極，因?yàn)榻饘倩拥暮穸冗h(yuǎn)小于金屬箔的厚度，因此卷繞后體積也比金屬箔式電容體積小很多。金屬化膜電容的最大優(yōu)點(diǎn)是“自愈”特性。所謂自愈特性就是假如薄膜介質(zhì)由于在某點(diǎn)存在缺陷以及在過電壓作用下出現(xiàn)擊穿短路，而擊穿點(diǎn)的金屬化層可在電弧作用下瞬間熔化蒸發(fā)而形成一個(gè)很小的無金屬區(qū)，使電容的兩個(gè)極片重新相互絕緣而仍能繼續(xù)工作，因此極大提高了電容器工作的可靠性。

另外現(xiàn)在在此基礎(chǔ)上新推出了安全類薄膜電容器,在薄膜上制作象保險(xiǎn)絲類的結(jié)構(gòu),讓電容在出現(xiàn)過壓或短路情況下自行熔斷恢復(fù)的功能,從原理上分析，安全薄膜電容應(yīng)不存在短路失效的模式，而金屬箔式電容器會(huì)出現(xiàn)很多短路失效的現(xiàn)象。

金屬化薄膜電容器雖有上述巨大的優(yōu)點(diǎn)，但與金屬箔式電容相比，也有如下兩項(xiàng)缺點(diǎn)：一是容量穩(wěn)定性不如箔式電容器，這是由于金屬化電容在長(zhǎng)期工作條件易出現(xiàn)容量丟失以及自愈后均可導(dǎo)致容量減小，但現(xiàn)在我司經(jīng)過技術(shù)攻關(guān)克服了這個(gè)現(xiàn)象.另一主要缺點(diǎn)為耐受大電流能力較差，這是由于金屬化膜層比金屬箔要薄很多，承載大電流能力較弱。為改善金屬化薄膜電容器這一缺點(diǎn)，目前在制造工藝上已有改進(jìn)的大電流金屬化薄膜電容產(chǎn)品，其主要改善途徑有1）用雙面金屬化薄膜做電極；2）增加金屬化鍍層的厚度；3）端面金屬焊接工藝改良，降低接觸電阻。目前我司25”以上CTV用的S校正電容即選用了大電流金屬化薄膜電容.

 4．X2交流薄膜電容器

該類電容用于整機(jī)X電路做抑制電源電磁干擾用途，工作于工頻交流電路，該電容不允許出現(xiàn)由于電源異常波動(dòng)而導(dǎo)致的短路及起火等失效模式。該電容在工藝結(jié)構(gòu)上為低熔點(diǎn)的鋁鋅金屬化膜層，并采用符合阻燃性能達(dá)到UL94/V-0級(jí)標(biāo)準(zhǔn)的環(huán)氧樹脂及塑料殼包封，因此可保證在瞬間擊穿時(shí)有極快的自愈特性和阻燃特性。所以在電源抑制干擾電路必須使用經(jīng)過國(guó)家法定認(rèn)證機(jī)構(gòu)安規(guī)認(rèn)證的交流薄膜電容，而不能使用直流型電容器。

5．膜/箔復(fù)合式串聯(lián)結(jié)構(gòu)電容：此類電容結(jié)構(gòu)為用金屬箔做電極，用金屬化聚酯膜做內(nèi)部串聯(lián)連接膜構(gòu)成，此種電容既有鋁箔式電容的大電流特性，又具有金屬化電容的自愈特性，其串聯(lián)結(jié)構(gòu)相當(dāng) 于內(nèi)部?jī)蓚€(gè)電容串聯(lián)，即等效為： 因此可以成倍提高電容器的耐壓。目前高壓聚丙烯電容CBB81系列即為此種結(jié)構(gòu)，廣泛用于TV和MONITOR的行逆程電路上。

6.滌淪電容

  此電容是有感式薄膜電容,也稱CL11,一般用于頻率不高的場(chǎng)合做退耦和耦合用.

7.穿心電容

此電容因結(jié)構(gòu)不同,具有非常好的濾波效果,廣泛用于音響上做分頻用.

8.緩沖電容器

電路中器件的損壞，一般都是在器件在開關(guān)過程中遭受了過大的di/dt,dv/dt或瞬時(shí)功耗的沖擊而造成的。緩沖電路的作用就是改變器件的開關(guān)軌跡，控制各種瞬態(tài)時(shí)的過電壓，以降低器件開關(guān)損耗來確保器件的安全。IGBT保護(hù)電路/高頻脈沖吸收/廣泛應(yīng)用于逆變器.電焊機(jī).UPS等產(chǎn)品.

 

9.啟動(dòng)電容

用于單項(xiàng)電動(dòng)機(jī)起動(dòng)和運(yùn)轉(zhuǎn),此電容給電壓和電流一個(gè)角位相位角,幫助單項(xiàng)電動(dòng)機(jī)得以啟動(dòng).

總結(jié)，本文主要分析了薄膜電容器的特性及選用相關(guān)知識(shí)，通過本文的講解，相信大家對(duì)薄膜電容器的認(rèn)識(shí)會(huì)越來越深入.