你都試過哪些方法?直接用IR2166,集成PFC電路,功率因數(shù)達到0.99,我們有現(xiàn)成的方案.fanghua1599@sina.com

謝謝你的回應,現(xiàn)在我主要的目的在于它的成本價,改過磁環(huán)圈數(shù),鉗位穩(wěn)壓管,輸出電感等等,APFC升壓電感溫度也過高(60度左右),用的是EI28,線徑是0.1*20,電感是0.8MH,請指點不勝感激,

IR2166制作,我想不會出現(xiàn)MOS管溫度過高,但不知它現(xiàn)在的價位是多少?

你用的是自激式的半僑輸出吧?
我想知道你的管子發(fā)熱時出現(xiàn)在那個階段,開通/通態(tài)/關斷損耗?還有就是你的燈輸出的拓撲,三并聯(lián),或兩串一并呢,總之你的問題太籠統(tǒng)了,能否描述的更清楚些

三并聯(lián),現(xiàn)我把它做在100W左右,40KHZ,PF=0.994,adht=12%,alcf=1.41  把它裝入鐵盒內,W會掉至80幾W,不知是否正常,以前一直負責開關電源那塊,轉入不久,還請多指點!

1個多美金吧

把頻率降低,,,,,,在20-25KHZ,,,我有做過這樣的電路,,,

有散熱片嗎?輸入電壓為220Vac嗎?ATHD大于10%就不正確,既然考慮成本用磁環(huán)驅動,為什么不用雙極性管,看來你的電路需要多作調整.E-mail:andyone918@163.com

IRF840的額定功率只有100W左右,穩(wěn)定后溫度在60℃也算正常,
再調整也好不到哪里去.

要節(jié)約成本,就改用三極管做吧.效果也許會更好.

還有你的DC電壓怎么要升到435V,400V不行嗎?

再此感謝各位朋友的指點,mos是用簧片夾于外殼上.DC電壓做高一點,我想MOS的承受的電流會少一點,溫度會好點.效率會高點,能否指點一下,T8燈管(直徑25)的電壓,電流需調到多少才屬正常.(用HB-5A測到其中一組燈管的電壓是102V,電流為0.2A,正常嗎?)

  w=102*0.2
   =20.4w*3=60w
而前端所顯示的總功率是100W(220V),那它的費損起不是很大,請各位朋友指點...

你說的是燈管電壓和燈絲電流嗎?

是

我也做過,後面用雙極晶體管2625,磁環(huán)4*4*4,溫度還可以.

我估計是你用的磁環(huán)的BS比較低的材料,可能在盒子里溫度升高(MOSfet)導致磁環(huán)更加處于飽和狀態(tài),使得過零點的相位提前,從而使HB的頻率升高,最后是功率掉下來了.

謝謝各位朋友的指點,現(xiàn)基本搞定,MOS的溫度大概在55度(1小時),外殼溫度50度以下,裝入鐵盒的功率在92W左右.

        TKS!

840在90W左右是不會有較高的溫升的,關鍵在與磁環(huán)和你的F取值

你如果做3并的話,DC最好做400V,這樣效率更高,還有,DC高對MOS管講電流小得不明顯.

有點道理!