磁通不平衡是自激推挽式電路存在的一大缺點，主要是因為一個開關管導通的伏秒數(shù)略大于另一個，是磁芯略偏離平衡點而趨向飽和。飽和區(qū)的磁芯不能承受典雅，當相應的開關管再次導通時，開關管將承受很大的電壓和電流，導致開關管損壞。在推挽拓撲中使用MOSFET管，可以大大減少變壓器的磁通不平衡問題。首先，MOSFET管沒有存儲時間，在交替的半周期內，對于相等的柵極導通次數(shù)，漏極電壓導通次數(shù)總是相等。因此在交替的半周期中施加到變壓器上的伏秒數(shù)相等。第二，對于MOSFET管，Rds(on)的正溫度系數(shù)形成的負反饋阻止了磁通不平衡問題的產生。如果存在一定的不平衡磁通，磁芯就會沿著磁化曲線向上移動，從而產生了磁化電流。因此半周期內的總電流比另一個半周期內的總電流要大。但MOSFET管在更大的尖峰電流作用下，發(fā)熱會增加，它的Rds(on)增大，導通壓降也隨之增大。如果一個初級半繞組承受較大的電流，則其開關管管溫就會高一些，導通壓降增加，使繞組上的電壓下降，降低這一邊的伏秒數(shù)，磁芯又向磁化曲線的中心復位，恢復平衡。若在功率低于100W，且磁芯加氣隙的情況下使用MOSFET功率開關管，則一定不會出現(xiàn)磁通不平衡現(xiàn)象。為了增加電路的對稱性，設計時最好選擇雙MOSFET的芯片。

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