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比SIC碳化硅MOSFET和JFET更先進的器件超結(jié)晶體管 (SJT)

比SIC碳化硅MOSFET和JFET更先進的器件超結(jié)晶體管 (SJT) 

1、MOSFET 反向恢復(fù)值很大(Reverse Diode Characteristics),所以一般會建議添加diode。

2、JFET 是一個“常開”性器件,控制方式非常復(fù)雜。

3、SJT 是一個“常關(guān)”性器件,是替代IGBT下一代技術(shù),更高的開關(guān)頻率(200KHZ),更低的開關(guān)與導(dǎo)通損耗,驅(qū)動損耗最低(5V),更小的電容、電感與散熱器,降低無源器件成本(20%-30%)。

SJT

SJT的特性/好處

超高電流增益 BJT

常關(guān)型,準(zhǔn)多數(shù)載流子器件技術(shù)

工作溫度范圍到 250℃

Vf 的正溫度系數(shù),易于并聯(lián)使用

溫度獨立的超快開關(guān)瞬態(tài)

應(yīng)用

航天和國防

井下石油鉆井, 地?zé)釡y試設(shè)備

混合電動車輛

太陽能逆變器

開關(guān)電源

功率因數(shù)校正

UPS 和電機驅(qū)動

 

?         SiC SJTs

?       導(dǎo)通電阻 250 mΩ

?       額定電壓 1200 V

?       業(yè)內(nèi)標(biāo)準(zhǔn)封裝

?       RoHS 認(rèn)證

全部回復(fù)(5)
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zoufeihu
LV.5
2
2014-05-06 17:53
沙發(fā),坐下,慢慢欣賞大作,學(xué)習(xí)
0
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msz181818
LV.9
3
2014-06-11 11:35
@zoufeihu
沙發(fā),坐下,慢慢欣賞大作,學(xué)習(xí)
沒有見過有貨
0
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Sam_Xiner
LV.4
4
2014-06-11 11:52

是哪家的SiC MOSFET?

0
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msz181818
LV.9
5
2020-11-24 15:07
@Sam_Xiner
是哪家的SiCMOSFET?
0
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#回復(fù)內(nèi)容已被刪除#
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