比SIC碳化硅MOSFET和JFET更先進(jìn)的器件超結(jié)晶體管 (SJT) 

1、MOSFET 反向恢復(fù)值很大(Reverse Diode Characteristics)，所以一般會建議添加diode。

2、JFET 是一個“常開”性器件，控制方式非常復(fù)雜。

3、SJT 是一個“常關(guān)”性器件，是替代IGBT下一代技術(shù)，更高的開關(guān)頻率(200KHZ)，更低的開關(guān)與導(dǎo)通損耗，驅(qū)動損耗最低（5V），更小的電容、電感與散熱器，降低無源器件成本（20%-30%）。

SJT的特性/好處

超高電流增益 BJT

常關(guān)型，準(zhǔn)多數(shù)載流子器件技術(shù)

工作溫度范圍到 250℃

Vf 的正溫度系數(shù)，易于并聯(lián)使用

溫度獨(dú)立的超快開關(guān)瞬態(tài)

應(yīng)用

航天和國防

井下石油鉆井, 地?zé)釡y試設(shè)備

混合電動車輛

太陽能逆變器

開關(guān)電源

功率因數(shù)校正

UPS 和電機(jī)驅(qū)動

 

?         SiC SJTs

?       導(dǎo)通電阻 250 mΩ

?       額定電壓 1200 V

?       業(yè)內(nèi)標(biāo)準(zhǔn)封裝

?       RoHS 認(rèn)證