比SIC碳化硅MOSFET和JFET更先進的器件超結(jié)晶體管 (SJT)
1、MOSFET 反向恢復(fù)值很大(Reverse Diode Characteristics),所以一般會建議添加diode。
2、JFET 是一個“常開”性器件,控制方式非常復(fù)雜。
3、SJT 是一個“常關(guān)”性器件,是替代IGBT下一代技術(shù),更高的開關(guān)頻率(200KHZ),更低的開關(guān)與導(dǎo)通損耗,驅(qū)動損耗最低(5V),更小的電容、電感與散熱器,降低無源器件成本(20%-30%)。
SJT的特性/好處
超高電流增益 BJT
常關(guān)型,準(zhǔn)多數(shù)載流子器件技術(shù)
工作溫度范圍到 250℃
Vf 的正溫度系數(shù),易于并聯(lián)使用
溫度獨立的超快開關(guān)瞬態(tài)
應(yīng)用
航天和國防
井下石油鉆井, 地?zé)釡y試設(shè)備
混合電動車輛
太陽能逆變器
開關(guān)電源
功率因數(shù)校正
UPS 和電機驅(qū)動
? SiC SJTs
? 導(dǎo)通電阻 250 mΩ
? 額定電壓 1200 V
? 業(yè)內(nèi)標(biāo)準(zhǔn)封裝
? RoHS 認(rèn)證