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BP2832芯片內(nèi)置兩個(gè)MOS

為什么BP2832芯片要內(nèi)置一個(gè)高壓MOS和一個(gè)低壓MOS。有些芯片有內(nèi)置MOS，為什么還要外接一個(gè)MOS,不解？？？？
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holyghost
LV.2
2
2014-05-21 17:19
高壓MOS是用來扛高壓的，實(shí)際起開關(guān)作用的是低壓的MOS（OUT到GND）
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635492077
LV.2
3
2014-05-21 22:06
@holyghost
高壓MOS是用來扛高壓的，實(shí)際起開關(guān)作用的是低壓的MOS（OUT到GND）
扛高壓，高壓MOS不是一直導(dǎo)通的嗎，那它導(dǎo)通的話，DS電壓就很低了，沒啟到扛高壓的效果，電壓相當(dāng)于都加在了低壓MOS上？   要是高壓MOS沒有一直導(dǎo)通的話，就相當(dāng)于開關(guān)作用，再加個(gè)低壓MOS的話，就沒有意義了？請(qǐng)教大神為小弟解釋下，謝謝
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holyghost
LV.2
4
2014-05-22 10:18
@635492077
扛高壓，高壓MOS不是一直導(dǎo)通的嗎，那它導(dǎo)通的話，DS電壓就很低了，沒啟到扛高壓的效果，電壓相當(dāng)于都加在了低壓MOS上？ 要是高壓MOS沒有一直導(dǎo)通的話，就相當(dāng)于開關(guān)作用，再加個(gè)低壓MOS的話，就沒有意義了？請(qǐng)教大神為小弟解釋下，謝謝

好吧，下圖CH3是上管DRAIN的波形，CH2是下管DRAIN的波形（和上管源極接一起），看看關(guān)閉時(shí)他們的電壓值。

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holyghost
LV.2
5
2014-05-22 13:35
@holyghost
好吧，下圖CH3是上管DRAIN的波形，CH2是下管DRAIN的波形（和上管源極接一起），看看關(guān)閉時(shí)他們的電壓值。[圖片]
如果理解有錯(cuò)的，求大神踹臉。
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635492077
LV.2
6
2014-05-22 20:47
@holyghost
如果理解有錯(cuò)的，求大神踹臉。
大神，我可不可以這樣理解，開關(guān)作用是由下管決定的，芯片內(nèi)部直接來控制低壓MOS就可以起到開關(guān)作用，低壓MOS控制高壓MOS,而上管的高壓MOS起到一個(gè)輔助作用。像國(guó)產(chǎn)的芯片內(nèi)置高壓MOS來做開關(guān)的話，工藝做不不好，沒有核心技術(shù)。所以用兩個(gè)MOS來解決開關(guān)問題。
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scicman
LV.4
7
2014-05-23 09:06
@635492077
大神，我可不可以這樣理解，開關(guān)作用是由下管決定的，芯片內(nèi)部直接來控制低壓MOS就可以起到開關(guān)作用，低壓MOS控制高壓MOS,而上管的高壓MOS起到一個(gè)輔助作用。像國(guó)產(chǎn)的芯片內(nèi)置高壓MOS來做開關(guān)的話，工藝做不不好，沒有核心技術(shù)。所以用兩個(gè)MOS來解決開關(guān)問題。

這就是所謂的“源極驅(qū)動(dòng)”，可以減小芯片工作電流，同時(shí)還可以將VDMOS DS之間的電容儲(chǔ)存的能量供給VCC

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Sam_Xiner
LV.4
8
2014-05-23 10:21
@scicman
這就是所謂的“源極驅(qū)動(dòng)”，可以減小芯片工作電流，同時(shí)還可以將VDMOSDS之間的電容儲(chǔ)存的能量供給VCC

就是源極驅(qū)動(dòng)而已。低壓管關(guān)斷以后，低壓管的drain電壓升高也就是高壓管的source電壓升高，然后導(dǎo)致高壓管Vgs降低直到高壓管關(guān)斷。大多數(shù)芯片都是這么設(shè)計(jì)的。

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