現(xiàn)在LED非隔離電源方案異?；鸨?，自從SL發(fā)力后便一發(fā)不可收拾。非隔離電源的春天似乎再次到來(lái)。但同時(shí)也給廣大從事LED電源開發(fā)的工程師帶來(lái)了不少的苦惱，因?yàn)閷?duì)于目前LED電源方案越來(lái)越精簡(jiǎn)，可操作性太強(qiáng)，從而導(dǎo)致我們這些電源工程師的操作空間是越來(lái)越少。所以在性能方面都是大同小異，就看誰(shuí)高性價(jià)比！這里所說(shuō)的高性價(jià)比是在滿足安規(guī)（EMC部分）的情況下，高效低溫升，高恒流精度的情況下越便宜越好。

 電源參數(shù)：190-265  輸出：72V 0.24    方案芯片：SL 69系列

 初始樣機(jī)圖——實(shí)測(cè)EMI傳導(dǎo)和輻射最小余量大于10DB/UV，浪涌等級(jí)實(shí)測(cè)滿足CLASS 3(差模2KV)

精簡(jiǎn)后的樣機(jī)圖——去掉X電容和EE12共模，整流后L前多加一個(gè)CBB組成一個(gè)π，還能再簡(jiǎn)不，沒敢往下想！大家可以試試！

精簡(jiǎn)樣機(jī)電參數(shù)測(cè)試中——輸出：17.12W  輸入：18.47W  效率：92.6%（常規(guī)）

精簡(jiǎn)樣機(jī)EMI測(cè)試——自家自制鐵皮房,外界干擾衰減60-85DB，圖形無(wú)毛刺

點(diǎn)燈后，EMI測(cè)試——科環(huán)的KH3932，CDN網(wǎng)絡(luò)測(cè)輻

此儀器對(duì)比實(shí)驗(yàn)室的儀器，傳導(dǎo)圖形基本一致。由于是CDN的測(cè)法和電波暗室輻射圖形曲線會(huì)有出入，但整體的余量是一致，

只是出現(xiàn)的位置不一樣而已。

傳導(dǎo)L線圖形——N線圖形基本一致，最小余量在17M前后，由于沒有手動(dòng)打點(diǎn)，目測(cè)QP余量應(yīng)該大于4個(gè)DB/UV

 從圖形上可以看輸出此電源的開關(guān)頻率在55K左右，整體走勢(shì)很平（特別是1M至10M之間），明顯共模抑制欠缺

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CDN輻射圖形——最小余量 40M前后，目測(cè)余量應(yīng)該大于5個(gè)DB/UV，未精簡(jiǎn)前最小余量是大于10DB/UV，所以EMI器件的

                       減少也會(huì)影響到整體輻射的余量

雖然從圖形看，余量不是很足，但EMI還是可以通過(guò)。不過(guò)本人不太建議如此的精簡(jiǎn)，特別交流側(cè)已無(wú)任何EMI器件，電源似乎在裸奔，EMS抗干擾特性將會(huì)差很多。所以我會(huì)繼續(xù)按照初始樣機(jī)的方式去做產(chǎn)品。您覺得了？