【救命啊】請(qǐng)教RCD的參數(shù)問題(有電壓波形圖)[頂?shù)絾栴}解決為止]

小弟我初接觸電源,很多不懂,在這里看了一段時(shí)間后自己搭了個(gè)電路,測(cè)試了下波形,好象不太對(duì),請(qǐng)大蝦們指點(diǎn)下參數(shù)該怎么樣啊!!

我是想做兩個(gè)隔離電源12V轉(zhuǎn)5V和 12V轉(zhuǎn)12V,電流在 2-3A,采用ARM7的硬件PWM控制,電流在

開關(guān)部分原理圖如下:(還在搭實(shí)驗(yàn)板試,暫時(shí)還沒畫正式原理圖,將就看吧).
其中RCD部分的C=22nF;R=540 ohm; 變壓器為是用鐵氧體的那種磁環(huán)繞的,磁環(huán)直徑大概15mm,環(huán)形的截面積為3x7=21平方毫米,初級(jí)線圈纏了14圈(初級(jí)和次級(jí)是一起饒的). 限流的電阻為0.5 ohm,開關(guān)頻率為115KHZ,占空比0.45.

請(qǐng)教以下問題,
1:在這里用這個(gè)磁環(huán)做變壓器是否合理?
2:線圈的圈數(shù)是否合理?
3:RCD電路的值該怎么改才合理?
4:我測(cè)得MOS管G極上升時(shí)間大概為300ns,這樣是否太大?
5:上面四個(gè)問題在12V轉(zhuǎn)5V的時(shí)候又該如何取值?

另外再問個(gè)弱智問題:為什么在我的電路中輸出電壓不能調(diào)節(jié)呢?無論我如何調(diào)節(jié)PWM占空比,輸出電壓還是那么高,

下面的圖中示波器顯示的電壓需要乘以10,即顯示0.5V表示實(shí)際是5V,并且后面兩個(gè)圖由于信號(hào)總有回溝測(cè)出的頻率是實(shí)際的2倍.

下圖為目前的電路

下圖為MOS的G極輸入處的波形

下圖為V1(MOS管D極)測(cè)得的電壓波形

下圖為V2(RCD的電路)處測(cè)得的電壓波形

最后再次謝謝各位大蝦

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全部回復(fù)(9)

只看樓主

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xky183

LV.2

2007-03-22 13:16

頂上去
高手們幫忙看看阿

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xky183

LV.2

2007-03-23 00:34

@xky183

頂上去高手們幫忙看看阿

頂?shù)絾栴}解決

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xky183

LV.2

2007-03-23 09:28

@xky183

頂?shù)絾栴}解決

例行頂

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xky183

LV.2

2007-03-24 00:59

@xky183

例行頂

頂?shù)絾栴}解決

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deep_thought

LV.7

2007-03-24 10:29

1. 你的磁環(huán)是什么材質(zhì)的鐵氧體? 錳鋅氧化物還是鎳鋅氧化物,建議用錳鋅的.
2. 你用什么拓?fù)? 反激? 把整個(gè)電路放上來看看.
3. RCD的目的是抑制MOSFET的Vds尖峰, 跟漏感,負(fù)載等有關(guān). 保證Vds在最壞情況下不超過MOSFET規(guī)格就可以了. 但R太小的壞處是發(fā)熱厲害損耗大.憑經(jīng)驗(yàn), R取4K7, C取4N7看看.

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xky183

LV.2

2007-03-24 13:37

@deep_thought

1.你的磁環(huán)是什么材質(zhì)的鐵氧體?錳鋅氧化物還是鎳鋅氧化物,建議用錳鋅的.2.你用什么拓?fù)?反激?把整個(gè)電路放上來看看.3.RCD的目的是抑制MOSFET的Vds尖峰,跟漏感,負(fù)載等有關(guān).保證Vds在最壞情況下不超過MOSFET規(guī)格就可以了.但R太小的壞處是發(fā)熱厲害損耗大.憑經(jīng)驗(yàn),R取4K7,C取4N7看看.

多謝樓上的指點(diǎn),
1.磁環(huán)用的鐵氧體
2.OK 我是看到那堆公式就頭暈. 因?yàn)閯偨佑|,有些參數(shù)不知道怎么獲得,比如漏感等,不加RCD的時(shí)候超過MOS的額定電壓很多,加了后好了,但是確實(shí)是發(fā)熱的問題更嚴(yán)重了. 我按照你說的試下看

多謝

下面是這部分的圖
輸出什么都OK 就是RCD處的波形我看到和別人得到的不一樣,另外就是MOS的輸入上升沿300ns是否太慢了? 115K的頻率變壓器這么繞法是否合理?

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miaozi

LV.1

2007-03-25 13:31

@xky183

多謝樓上的指點(diǎn),1.磁環(huán)用的鐵氧體2.OK 我是看到那堆公式就頭暈.因?yàn)閯偨佑|,有些參數(shù)不知道怎么獲得,比如漏感等,不加RCD的時(shí)候超過MOS的額定電壓很多,加了后好了,但是確實(shí)是發(fā)熱的問題更嚴(yán)重了.我按照你說的試下看多謝下面是這部分的圖輸出什么都OK就是RCD處的波形我看到和別人得到的不一樣,另外就是MOS的輸入上升沿300ns是否太慢了? 115K的頻率變壓器這么繞法是否合理?

問個(gè)弱弱的問題,如果不用變壓器,升壓電感的漏感需要用RCD電路處理嗎

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deep_thought

LV.7

2007-03-26 18:56

@xky183

多謝樓上的指點(diǎn),1.磁環(huán)用的鐵氧體2.OK 我是看到那堆公式就頭暈.因?yàn)閯偨佑|,有些參數(shù)不知道怎么獲得,比如漏感等,不加RCD的時(shí)候超過MOS的額定電壓很多,加了后好了,但是確實(shí)是發(fā)熱的問題更嚴(yán)重了.我按照你說的試下看多謝下面是這部分的圖輸出什么都OK就是RCD處的波形我看到和別人得到的不一樣,另外就是MOS的輸入上升沿300ns是否太慢了? 115K的頻率變壓器這么繞法是否合理?

沒看到你的圖啊!.
驅(qū)動(dòng)上升時(shí)間300ns,還算正常.
變壓器的漏感可以直接量出來.短路次級(jí)線圈時(shí),量到的初級(jí)電感就是漏感.

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