放大OCP不是辦法，用專業(yè)的芯片吧；

臺達(dá)的芯片，NE1118 NE1119都是專業(yè)的做馬達(dá)電源芯片；

在用在打印機(jī)馬達(dá)方面；

NE1118比NE1119更厲害；功率更大，動態(tài)更好，更簡單，功能更強(qiáng)大；

出峰值功率的時(shí)候，MOS和肖特基的電壓應(yīng)力與不出峰值功率一樣；

NE1118的EMI會比NE1119更好；

不過NE1118只有5S的固定出峰值功率的時(shí)間，NE1119的峰值功率時(shí)間是外部自己設(shè)定；

給你看看臺達(dá)芯片用在馬達(dá)電源的時(shí)候，研究馬達(dá)的深度在哪里；

臺達(dá)做某一個(gè)芯片，是先研究芯片運(yùn)用產(chǎn)品的特征，再做產(chǎn)品，這樣才是嚴(yán)謹(jǐn)?shù)膽B(tài)度；

大陸的芯片公司要多多學(xué)習(xí)別人這種態(tài)度；

才出3倍的功率而已，當(dāng)然可以；

比如過流保護(hù)點(diǎn)為2A，一般峰值可以出4A（3min);

如果時(shí)間只要求5S以內(nèi)，NE1118會厲害很多，EMI好解決，而且出峰值功率的時(shí)候，在技術(shù)上做了處理，使MOS及肖特的電壓峰值與不出峰值是一樣的；

如果用普通芯片，采用放大OCP保護(hù)點(diǎn)的做法，MOS的檢測電阻會很小，輕載的異聲問題難解，MOS和肖特基的峰值電壓大的離譜；見過這種辦法做的按摩椅電源，把小孩的手臂夾住了，電源還是工作，因?yàn)镺CP保護(hù)點(diǎn)放的很遠(yuǎn)，電源不保護(hù)，小孩的手臂被卡傷；

用NE1119和NE1118就不會，過流保護(hù)點(diǎn)是過流保護(hù)點(diǎn)，峰值功率是峰值功率時(shí)間，各做各的；

這顆IC 怎么搜索不到資料？想了解下，剛好有個(gè)電機(jī)電源，以前都是采用放大    OCP    的做法。

  可以發(fā)郵箱ceti@qq.com     

不明白你說的過流保護(hù)點(diǎn)在2A，峰值又可出4A，那麼你的電壓降了？

如正常輸出3A，29V。短時(shí)間工作3分鐘的電流為6.5A，27.5V，電壓只能降2V以內(nèi)。能不能完成？

你這是什么電機(jī)，需要什么電源，功率多大，有什么要求

發(fā)帖的時(shí)候是不是說清楚一點(diǎn)啊

NE1118 NE1119的過流點(diǎn)是過流點(diǎn)，峰值功率的過流點(diǎn)是峰值功率的過流點(diǎn)，這兩個(gè)點(diǎn)是分開的；

比如按照正常的電源設(shè)計(jì)的過流保護(hù)點(diǎn)是2A，峰值功率的電流點(diǎn)一般是4A以上，超過過流保護(hù)點(diǎn)的時(shí)間是用外部的電容來設(shè)定；達(dá)到設(shè)定的峰值功率的計(jì)數(shù)時(shí)間，芯片保護(hù)；

在過流保護(hù)點(diǎn)（2A）以內(nèi)，芯片是按照正常的特征工作，當(dāng)超過過流保護(hù)點(diǎn)（2A），需要峰值功率的時(shí)候，芯片進(jìn)入升頻率和升功率的工作模式，這個(gè)峰值時(shí)間是外部的電容設(shè)定；為了防止安全穩(wěn)定及輸出功率，如果變壓器的B值超過0.45T或芯片的FB的電壓偵測到超過5.1V的電壓，芯片15mS后自動進(jìn)入保護(hù)模式；如果設(shè)定FB電壓鉗位在5.1V以下，芯片進(jìn)入峰值恒功率模式；反正就是在出峰值功率的時(shí)候，最大化保護(hù)電源了；

相比以前傻傻地放大OCP保護(hù)點(diǎn)來做馬達(dá)電源相比，這么做的好處是保護(hù)更全面，更智能，更穩(wěn)定，更可靠；其次是可以省400V電容的成本，省變壓器的成本和省MOS管的成本；

你說的這個(gè)參數(shù)，正常輸出29V 3A，設(shè)定普通的過流保護(hù)點(diǎn)為4A，峰值功率就可以輸出6.5A以上，設(shè)定峰值電容的時(shí)間為1uF，大約是3min；電壓降不降，要看你的設(shè)計(jì)需要，可以讓電壓降低，也可以設(shè)定不降低；甚至還可以設(shè)定需要關(guān)閉多少時(shí)間； NE1119芯片的價(jià)格，就是市場上普通的8腳芯片價(jià)格；

芯片的1腳上面有一個(gè)穩(wěn)壓二極管，與這個(gè)穩(wěn)壓二極管并一個(gè)熱敏電阻就可以做過溫保護(hù)了；

1腳的負(fù)電壓波形檢測做高低壓過流補(bǔ)償，可以讓高低壓過流保護(hù)點(diǎn)做的一致；

1腳的正電壓波形檢測做過壓過溫保護(hù)，連續(xù)檢測到三個(gè)超過3V的電壓，芯片保護(hù)；

上傳正常工作為：29V 2A，峰值功率為4.5A 維持120S的測試數(shù)據(jù)給你看；

直接并NTC可以實(shí)現(xiàn)過溫保護(hù)？

在NTC受溫變小過程中IC不受影響？

有些功能我覺得還是不錯(cuò)的，如過流和峰值功率的控制方式

還有一些不了解的地方

待機(jī)功耗

驅(qū)動能力

工作模式DCM/CCM？or QR?

過載升頻會達(dá)到多少K

待機(jī)功耗，NE1119為0.1W以內(nèi)，NE1118為50mW以內(nèi)；

驅(qū)動能力，1119為500mA,1118為800mA；

工作模式均為CCM;

NE1118只升功率不升頻，NE1119既升功率又升頻，頻率升到130K

只能說這個(gè)芯片是普通的工作模式，DCM與CCM都可，看設(shè)計(jì)；這種要求出峰值功率的電源，一般在峰值功率的時(shí)候均是CCM模式了，這樣才能保證輸入寬的電壓范圍！

對這個(gè)問題原廠分析的多

HWX-555是和為興的朋友嗎？

我是臺達(dá)新產(chǎn)品事業(yè)部的趙工，負(fù)責(zé)中國區(qū)新能微芯片的技術(shù)支持；

資料已經(jīng)發(fā)到你郵箱，有什么問題，直接與我聯(lián)系吧；

不是的。