以上是基于成都岷創(chuàng)科技有限公司，最新發(fā)布的非隔離IC UR5401T 的低成本應(yīng)用。外圍共11個(gè)元件，整個(gè)BOM成本不高于1.3元。
UR5401T 擁有獨(dú)特的供電，以及谷底開啟技術(shù)。與同類產(chǎn)品相比有更高的效率、更好的調(diào)整率。歡迎大家站內(nèi)咨詢以及索樣。
同時(shí)我們公司還有高PF無頻閃，低成本應(yīng)用系列在售。 http://www.utrimtech.com/show-397-126-1.html 以上是我們公司的網(wǎng)站，里面有
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1mA的芯片損耗電流，用本方法的系統(tǒng)供電損耗大約在20~50mW之間，比大家看到的無數(shù)的同質(zhì)化的源級(jí)驅(qū)動(dòng)芯片供電損耗要低。
UR540X通過橋堆前高壓供電方法不是傳統(tǒng)傻瓜式高壓直接給電就了事，那種損耗會(huì)很大，例如220VAC的平均損耗基本就在220V*1mA=220mW。這么大的損耗對(duì)效率，芯片的散熱都是沒法接受的。
相信大家對(duì)各家基本同質(zhì)化的源級(jí)驅(qū)動(dòng)產(chǎn)品已經(jīng)審美疲勞了，這里放出一些新的方法架構(gòu)供大家參考選擇。
岷創(chuàng)的UR540X系列主要的特點(diǎn)如下：
1. 非源級(jí)驅(qū)動(dòng)，采用傳統(tǒng)的柵級(jí)驅(qū)動(dòng)，無需集成額外的源級(jí)功率管造成額外的導(dǎo)通電阻損耗以及功率電流流過控制芯片。
2. 柵級(jí)驅(qū)動(dòng)的芯片損耗電流會(huì)比源級(jí)驅(qū)動(dòng)大，但是搭配專利的橋堆接智能高壓供電方法可實(shí)現(xiàn)比源級(jí)芯片更低的供電損耗和不受輸入電壓影響的快速啟動(dòng)。更不會(huì)有電阻供電產(chǎn)生的回閃現(xiàn)象。
3. 專利的電感電流過零和谷底檢測(cè)技術(shù)只需要單繞組電感以及實(shí)現(xiàn)更高的效率。
4. OVP外接電阻可設(shè)，芯片內(nèi)部獨(dú)特的抗干擾處理，不會(huì)出現(xiàn)OVP被干擾造成頻閃等不可靠現(xiàn)象。
5. 高精度線調(diào)整率，負(fù)載調(diào)整率以及量產(chǎn)恒流精度。
6. 低端(Low side) buck架構(gòu)，不需要壓敏可直接過500V surge。
7. 高溫降低LED輸出電流，不會(huì)出現(xiàn)高溫閃爍。
公司還有很多其他的芯片，全系列都是無頻閃方法，從低PF到高PF，從單級(jí)方案到雙級(jí)方案，每個(gè)芯片都是極具創(chuàng)新，相信會(huì)給大家耳目一新的感受，有興趣可加岷創(chuàng)群去了解和討論。
