常規(guī)的PFC+LLC電路設(shè)計(jì)正常效率在93%以下。 主要是因?yàn)殡娐飞细邏汗鐼OSFET的損耗很大使效率很難提高，
雖然現(xiàn)在有cool-mosfet，但依然存在著不足，雖然Rds(on)很小了，但死區(qū)時(shí)間較大。開關(guān)周期中體內(nèi)寄生的二極管
存有損耗。使得效率無法進(jìn)一步提高。同時(shí)由于硅材料的物理特性，高壓MOSFET工作頻率很難再提高，正常超過150K HZ
MOSFET的損耗會(huì)成倍地加大。
新型MOSFET采用的是氮化鎵材質(zhì)，在體內(nèi)沒有寄生二極管。同時(shí)氮化鎵MOSFET的體內(nèi)寄生參數(shù)相對(duì)COOL-MOSFET來說小很多
不管是結(jié)電容還是門極驅(qū)動(dòng)電荷Qg,均不是一個(gè)級(jí)別的小。
主要的對(duì)比參數(shù)如下圖： 不同系列的COOL-MOSFET只能改變某一特性，某方面性能好了，其它方面可能變差一點(diǎn)。
但氮化鎵是很功大的。各方面均表現(xiàn)不錯(cuò)。
氮化鎵是高頻器件，可以跑很高的開關(guān)頻率，200K--10M開關(guān)頻率。而硅材料能只150K以下/600V器件，硅MOSFET高頻后發(fā)熱很嚴(yán)重。
但氮化鎵MOSFET高頻后基本差不多，不會(huì)帶來熱的問題。
目前市場(chǎng)走小型化，高功率密度化，氮化鎵是必然的方向。
現(xiàn)在介紹的是采用氮化鎵的產(chǎn)品：
VIN:90--264Vac
Vou:12V 20A
EMI, PFC 均通過。
此板是是蘋果一體機(jī)電源的方案。請(qǐng)參看下面。 （第一圖是蘋果電源老板與新板對(duì)比，黑色是先前板子，采用的是COOL-MOSFET，
新板子采用的是氮化鎵MOSFET，無任何散熱片。）
因?yàn)楹谏臑楣璨牧希?00V的高壓COOL-MOSFET工作開關(guān)頻率只能100K以下。所以體積必然會(huì)在大，同時(shí)硅的損耗也會(huì)比氮化鎵大。使得其
效率最大在93%左右，
而更改成氮化鎵MOSFET后，可以提高工作頻率，同時(shí)氮化鎵本身沒有因?yàn)楦哳l帶來更多熱的問題?？梢钥吹降塎OSFET無散熱片，可以想像其損耗很小。
200K LLC+PFC 250W 95.4%效率.pdf 詳細(xì)資料
氮化鎵的說明： 氮化鎵MOSFET介紹.pdf
無橋PFC+LLC可實(shí)現(xiàn)交流輸入，直流輸出達(dá)97%的效率
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