常規(guī)的PFC+LLC電路設(shè)計正常效率在93%以下。 主要是因為電路上高壓硅MOSFET的損耗很大使效率很難提高，
雖然現(xiàn)在有cool-MOSFET，但依然存在著不足，雖然Rds(on)很小了，但死區(qū)時間較大。開關(guān)周期中體內(nèi)寄生的二極管
存有損耗。使得效率無法進一步提高。同時由于硅材料的物理特性，高壓MOSFET工作頻率很難再提高，正常超過150K HZ
MOSFET的損耗會成倍地加大。
新型MOSFET采用的是氮化鎵材質(zhì)，在體內(nèi)沒有寄生二極管。同時氮化鎵MOSFET的體內(nèi)寄生參數(shù)相對COOL-MOSFET來說小很多
不管是結(jié)電容還是門極驅(qū)動電荷Qg,均不是一個級別的小。
氮化鎵是高頻器件，可以跑很高的開關(guān)頻率，200K--10M開關(guān)頻率。而硅材料能只150K以下/600V器件，硅MOSFET高頻后發(fā)熱很嚴(yán)重。
但氮化鎵MOSFET高頻后基本差不多，不會帶來熱的問題。
目前市場走小型化，高功率密度化，氮化鎵是必然的方向。
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現(xiàn)在介紹的是采用氮化鎵的產(chǎn)品：
VIN:90--264Vac
Vou:12V 20A
EMI, PFC 均通過。
此板是是蘋果一體機電源的方案。請參看下面。 （第一圖是蘋果電源老板與新板對比，黑色是先前板子，采用的是COOL-MOSFET，
新板子采用的是氮化鎵MOSFET，無任何散熱片。）
因為黑色的為硅材料，600V的高壓COOL-MOSFET工作開關(guān)頻率只能100K以下。所以體積必然會在大，同時硅的損耗也會比氮化鎵大。使得其
效率最大在93%左右，
而更改成氮化鎵MOSFET后，可以提高工作頻率，同時氮化鎵本身沒有因為高頻帶來更多熱的問題?？梢钥吹降塎OSFET無散熱片，可以想像其損耗很小。
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