常規(guī)的PFC+LLC電路設(shè)計(jì)正常效率在93%以下。 主要是因?yàn)殡娐飞细邏汗?a target="_blank">MOSFET的損耗很大使效率很難提高,
雖然現(xiàn)在有cool-MOSFET,但依然存在著不足,雖然Rds(on)很小了,但死區(qū)時(shí)間較大。開關(guān)周期中體內(nèi)寄生的二極管
存有損耗。使得效率無法進(jìn)一步提高。同時(shí)由于硅材料的物理特性,高壓MOSFET工作頻率很難再提高,正常超過150K HZ
MOSFET的損耗會(huì)成倍地加大。
新型MOSFET采用的是氮化鎵材質(zhì),在體內(nèi)沒有寄生二極管。同時(shí)氮化鎵MOSFET的體內(nèi)寄生參數(shù)相對COOL-MOSFET來說小很多
不管是結(jié)電容還是門極驅(qū)動(dòng)電荷Qg,均不是一個(gè)級別的小。
氮化鎵是高頻器件,可以跑很高的開關(guān)頻率,200K--10M開關(guān)頻率。而硅材料能只150K以下/600V器件,硅MOSFET高頻后發(fā)熱很嚴(yán)重。
但氮化鎵MOSFET高頻后基本差不多,不會(huì)帶來熱的問題。
目前市場走小型化,高功率密度化,氮化鎵是必然的方向。

http://pan.baidu.com/s/1sjyPuOX
現(xiàn)在介紹的是采用氮化鎵的產(chǎn)品:
VIN:90--264Vac
Vou:12V 20A
EMI, PFC 均通過。
此板是是蘋果一體機(jī)電源的方案。請參看下面。 (第一圖是蘋果電源老板與新板對比,黑色是先前板子,采用的是COOL-MOSFET,
新板子采用的是氮化鎵MOSFET,無任何散熱片。)
因?yàn)楹谏臑楣璨牧希?00V的高壓COOL-MOSFET工作開關(guān)頻率只能100K以下。所以體積必然會(huì)在大,同時(shí)硅的損耗也會(huì)比氮化鎵大。使得其
效率最大在93%左右,
而更改成氮化鎵MOSFET后,可以提高工作頻率,同時(shí)氮化鎵本身沒有因?yàn)楦哳l帶來更多熱的問題??梢钥吹降塎OSFET無散熱片,可以想像其損耗很小。

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