SJ MOSFET的技術(shù)主要有兩種，其一為由英飛凌（Infineon）開(kāi)發(fā)的多磊晶技術(shù)，藉由摻雜（doping）磊晶在磊晶層上形成島狀的摻雜區(qū)域，使該區(qū)域擴(kuò)散形成一個(gè)氮摻雜（N-doped）平面。另一種技術(shù)則采用深反應(yīng)離子蝕刻挖出溝槽狀結(jié)構(gòu)，再將氮摻雜材料填補(bǔ)于溝槽，制造出超接面的結(jié)構(gòu)，開(kāi)發(fā)此科技的業(yè)者主要為東芝（Toshiba），快捷半導(dǎo)體（Fairchild Semiconductor） 及艾斯摩斯科技（IceMOS Technology）。

Avron指出，科技的進(jìn)展使得多磊晶與深蝕刻技術(shù)發(fā)展越發(fā)競(jìng)爭(zhēng)，東芝剛推出第4代DTMOS，是一種具備較小間距（pitch）的深溝槽結(jié)構(gòu)MOSFET，可采用更小的晶粒且改善導(dǎo)通電阻（RdsON），雖然制造成本仍高于英飛凌的CoolMOS，但將會(huì)越來(lái)越具競(jìng)爭(zhēng)力。

化合物半導(dǎo)體（compound semiconductor）是SJ MOSFET的強(qiáng)勁競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手，如碳化硅（SiC）因?yàn)槟艹惺茌^高的電壓，有潛力應(yīng)用于高階解決方案，預(yù)計(jì)到2015年前硅都還會(huì)是主流，另外IGBT兼具價(jià)格與轉(zhuǎn)換效率兩者優(yōu)勢(shì)，美商國(guó)際整流器（International Rectifier）正在研發(fā)足以與SJ MOSFET相抗衡的高速I(mǎi)GBTs，到頭來(lái)SJ MOSFET可能定位于這兩者中間，并視電壓、應(yīng)用及轉(zhuǎn)頻的需求，而與碳化硅、高速I(mǎi)GBT、IGBT或氮化鎵相互競(jìng)爭(zhēng)。 1、Coolmos的選型 一般我們選擇一顆MOS 大致看以下幾個(gè)參數(shù) BV Id Rds Vth Qg Pd等。但是這幾個(gè)參數(shù)，只有Qg和Id是交流參數(shù)，其他都是靜態(tài)參數(shù)。而半導(dǎo)體這東西就是隨溫升變壞的。那動(dòng)態(tài)參數(shù)，其實(shí)是變壞的。25度的電流是100A，也許125度的時(shí)候，電流只有50A，所以選型的時(shí)候要以高溫下(老化房)的數(shù)據(jù)為準(zhǔn)。那選好了電壓、電流，剩下就是看Coolmos的損耗了。Coolmos露在表面的是Rdson 較低，只有平面管的1/3或者1/4，那MOS的導(dǎo)通損耗必然較之平面管要低不少。MOS的另外一個(gè)損耗，開(kāi)關(guān)損耗其實(shí)往往更加占主導(dǎo)。開(kāi)關(guān)損耗在MOS里最直接體現(xiàn)的數(shù)值是Trr。這也是Coolmos最核心的參數(shù)。從coolmos的發(fā)展來(lái)看 C3 C6 CP CFD CFD2 都是在Trr上下功夫(C6除外，他是C3的Cost down)。你是電源設(shè)計(jì)者，Trr的合理使用，你比我清楚。Coolmos在實(shí)際應(yīng)用中，MOS前段的Rg驅(qū)動(dòng)，一般對(duì)電阻要求會(huì)低很多。這也能降低損耗。舉個(gè)例子，20N60C3 MOS前段的驅(qū)動(dòng)電阻一般可做到15mohm以下，但是也不是越低越好，開(kāi)關(guān)越高，EMI的問(wèn)題就出來(lái)了。所以驅(qū)動(dòng)電阻的選擇要綜合考慮，在EMI允許的情況下，盡量降低驅(qū)動(dòng)電阻。 

2.Coolmos是否需要采用散熱措施。我只能說(shuō)要看功率，舉個(gè)例子，150W的LED電源上，你覺(jué)得可以不加散熱嘛?15W的LED電源上，加散熱裝置，那有地方么?Coolmos，在應(yīng)用端，解決了有的電源方案需要電子器件更小的體積，甚至是去掉散熱片(如Iphone的充電器)，而大功率上看重Coolmos的還是他能降低損耗，所以散熱片是一定要加的。

　　3.Coolmos目前在國(guó)內(nèi)應(yīng)用還是非常片面的，任重而道遠(yuǎn)。舉個(gè)例子，在一個(gè)70W的筆記本適配器上，很多還是用的20A的平面管(或者是16A)，但是我們知道實(shí)際電路里的有效電流其實(shí)很小，用20A只是看重他的低內(nèi)阻，降低損耗，降低溫升。那現(xiàn)在很多工程師來(lái)Rreview這個(gè)方案的時(shí)候，腦子還是轉(zhuǎn)不過(guò)彎來(lái)。如果使用Coolmos，他認(rèn)為還需要16A的，那同等電流，價(jià)格肯定不可比的。其實(shí)呢，Coolmos 10A足夠去替代了。開(kāi)關(guān)損耗，Coolmos要較平面管低很多，內(nèi)阻的話(huà)Coolmos的10A較之16A的平面也不會(huì)高多少，在高溫下，基本內(nèi)阻

是一致的。(有機(jī)會(huì)發(fā)個(gè)實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù)，16A的平面管和10A的Coolmos在100度下，內(nèi)阻是相差不多的---前提，帶負(fù)載，體現(xiàn)開(kāi)關(guān)損耗低的特點(diǎn))，所以工程師要多了解Coolmos。

　　在中壓MOS(100-150V)，英飛凌、ST、AO、FC均有超低導(dǎo)通電阻、超低損耗的MOS出現(xiàn)，如Opti3MOS(艾默生、華為都有大量使用，是未來(lái)的主導(dǎo))、SDMOS等。

　　總之一句話(huà)：MOS在發(fā)展，損耗會(huì)越來(lái)越低。電源方案只會(huì)像更高效率和更小體積發(fā)展。目前COOLMOS類(lèi)產(chǎn)品主要以Infineon一家獨(dú)大，占據(jù)市場(chǎng)比例比較多。當(dāng)然，除了Infineon以外，Toshiba、ST、NCE等廠(chǎng)家也都有COOLMOS產(chǎn)品在推廣應(yīng)用，但市場(chǎng)份額相對(duì)占的比較小 

無(wú)錫新潔能股份有限公司（NCE Power）是中國(guó)現(xiàn)代大功率半導(dǎo)體器件的領(lǐng)航設(shè)計(jì)與銷(xiāo)售企業(yè)，專(zhuān)業(yè)從事各種大功率半導(dǎo)體器件與功率集成器件設(shè)計(jì)、生產(chǎn)和銷(xiāo)售。 公司是中國(guó)第一家研發(fā)成功并上量銷(xiāo)售大功率-超結(jié)-MOSFET（SJ-MOSFET）的設(shè)計(jì)公司，是江蘇省重點(diǎn)支持的半導(dǎo)體大功率器件設(shè)計(jì)高新技術(shù)企業(yè)。公司緊密結(jié)合自身器件與工藝設(shè)計(jì)技術(shù)領(lǐng)先的優(yōu)勢(shì)，與國(guó)際一流的芯片代工廠(chǎng)、封裝、測(cè)試代工廠(chǎng)保持密切配合與合作，嚴(yán)謹(jǐn)產(chǎn)品質(zhì)量控制，保證產(chǎn)品的持續(xù)優(yōu)質(zhì)和穩(wěn)定供貨。 

NCE的和Infineon的C3是基本同一個(gè)平臺(tái)但有工藝改進(jìn)而來(lái)的，那驅(qū)動(dòng)Qg和結(jié)電容導(dǎo)致炸機(jī)的風(fēng)險(xiǎn)Toshiba和ST之類(lèi)的風(fēng)險(xiǎn)要高于NCE,但個(gè)人目前覺(jué)得NCE做的東西還是有一定技術(shù)含量的，這與他們的老板原來(lái)是從Infineon出來(lái)的負(fù)責(zé)coolmos研發(fā)和制造的工作經(jīng)歷有關(guān)系.

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