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98%以上效率的逆變器設(shè)計(jì)

逆變電源,通常受到硅器件的限制,不能跑高頻,一旦頻率高了,硅器件發(fā)熱很大。

所以一般做的都是在100K以下,很多則是在20K左右/IGBT

傳統(tǒng)的MOSFET是半導(dǎo)體硅做的,而硅MOSFET在高壓600V的時(shí)候,工作頻率不能跑高,跑得太高使得管子發(fā)熱很嚴(yán)重。這是硅材料的物理特性決定的。新的材料-氮化鎵MOSFET將為我們解決這問(wèn)題,這種材料的MOSFET現(xiàn)在被各大廠商在開(kāi)發(fā)中,INFINEON, ST, SHARP.ROHM,IR等均有相對(duì)應(yīng)的產(chǎn)品將問(wèn)世,這一趨式無(wú)法改變。氮化鎵有如下好處,1,可以跑高頻,100K---10M開(kāi)關(guān)頻率(同時(shí)高頻后并不會(huì)像硅MOSFET那樣帶來(lái)過(guò)多的熱問(wèn)題)2,氮化鎵材質(zhì)的MOSFET體內(nèi)寄生電容很小,米勒電容也很小。所以開(kāi)關(guān)損耗會(huì)很小3,氮化鎵MOSFET體內(nèi)沒(méi)有像硅MOSFET的寄生二極管,但電流可以從S流向D,通過(guò)自身的電子層導(dǎo)通,因?yàn)闆](méi)有恢復(fù)損耗的問(wèn)題。

http://pan.baidu.com/s/1sjyPuOX  /可從這里下載更多的資料

SI & GAN 1

SI & GAN

新的的半導(dǎo)體材料氮化鎵將給我們生活帶來(lái)質(zhì)的改變,可以跑高頻,發(fā)熱量超級(jí)低。氮化鎵材料的結(jié)溫可以達(dá)到300度,而硅材料只能150度。氮化鎵MOSFET體內(nèi)沒(méi)有寄生二極管,但電流可以從S流到D,沒(méi)有恢復(fù)的損耗。而氮化鎵體內(nèi)的寄生電容比COOL-MOSFET小很多,從而使得它在古墓關(guān)電路工作的電路中開(kāi)關(guān)及續(xù)流損耗大大降低。而體內(nèi)較低的Coss電容也使得他在軟開(kāi)關(guān)DCM,或CRM時(shí)死區(qū)的損耗降到最小。下圖是氮化鎵MOSFET與COOL-MOSFET的一對(duì)比。

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本案是實(shí)例電源,一個(gè)300W--1500W的逆變電源。

效率可達(dá)98.6%

采用的是TPH3006

驅(qū)動(dòng)只要500mA的芯片即可

TDPV1000E0C1-KIT users guide_頁(yè)面_01

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TDPV1000E0C1-KIT users guide_頁(yè)面_09


http://pan.baidu.com/s/1sjyPuOX


氮化鎵MOSFET 133KHZ PFC 效率達(dá)98.8%.pdf

氮化鎵MOSFET - 300-1500W PV逆變應(yīng)用-微型逆變器-UPS方案.pdf


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本人親測(cè)。請(qǐng)理解與支持?;蚰阕约合螺d試下其它的IE瀏覽器。

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全部回復(fù)(8)
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2014-10-23 18:50
有沒(méi)有試用版?
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2014-10-23 19:32
不錯(cuò)試用品吧!
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回復(fù)
2014-10-23 19:36
@東城立昇
有沒(méi)有試用版?

如果是這樣,不當(dāng)發(fā)熱量小,驅(qū)動(dòng)功率也可減小,就是輸出電感和電容都小不少

! 

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2014-10-24 09:24
@百能電器
如果是這樣,不當(dāng)發(fā)熱量小,驅(qū)動(dòng)功率也可減小,就是輸出電感和電容都小不少! 

這位兄弟說(shuō)得很對(duì)。

驅(qū)動(dòng)電路你可以做到最簡(jiǎn)單,只要用一個(gè)驅(qū)動(dòng)IC即可,不需要任何的電阻, 二極管,三極管,電容等放大或保護(hù)用。我們直接驅(qū)動(dòng)。且

且驅(qū)動(dòng)電流只要100mA即可。因?yàn)榈壍腝g只有COOL-MOSFET的1/10。

不能說(shuō)氮化鎵MOSFET不用散熱片,主要是它發(fā)熱量小,可以用很小的散熱片或當(dāng)你是小功率的時(shí)候根本不需要。

實(shí)驗(yàn)證明了。常規(guī)500W以下不需要散熱片的。


緣于氮化鎵體內(nèi)

1,無(wú)寄生二極管但有二極管的特性,電流從S到D直接通過(guò)電子導(dǎo)通沒(méi)有損耗,因而沒(méi)有在硬開(kāi)關(guān)工作中的續(xù)流損耗。

2,體內(nèi)寄生的電容很小Coiss,米勒電容很小,所以不會(huì)形成振蕩,開(kāi)關(guān)損耗達(dá)到了最小。

3,寄生電容較小,所以就算在CRM,DCM軟開(kāi)關(guān)中,死區(qū)的損耗也大大變小。



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或點(diǎn)這下載:氮化鎵MOSFET介紹.pdf

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這兩圖可以說(shuō)明下

氮化鎵MOSFET與COOLMOSFET對(duì)比

第一圖黃色列是氮化鎵

第二圖第一行是氮化鎵。

可以看出氮化鎵有明顯的好處。

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2014-10-25 18:35
@chen2011qian
不錯(cuò)試用品吧!

歡迎來(lái)試用,有合適的項(xiàng)目就可以用氮化鎵MOSFET。

1,當(dāng)你為了提高效率怎么也解決不了的時(shí)候。

2,當(dāng)你要想超小體積的時(shí)候,可以試用氮化鎵MOSFET

因?yàn)榈塎OSFET不同現(xiàn)有的MOSFET,它腳位是G,S,D

更合理化。兩低電平在一起。要重新做PCB。

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2014-10-25 20:14
看了下都是高壓版,有用在逆變中升壓用的低壓版的嗎,比如耐壓200v左右的。
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2014-10-25 22:40
@xiaxiao1127
看了下都是高壓版,有用在逆變中升壓用的低壓版的嗎,比如耐壓200v左右的。
怎么申請(qǐng)?jiān)囉茫?/div>
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2014-10-26 12:54
@百能電器
怎么申請(qǐng)?jiān)囉茫?/span>
加 2416五七二二85 請(qǐng)注明下。附件上有也郵件可以聯(lián)系的
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