標(biāo)準(zhǔn)的PFC 電源電路如下圖，通常采用的是一般的硅MOSFET或COOL-MOSFET.
但受硅材料高頻特性差的缺點(diǎn)。一直控制在100K以下。
而效率一般在97--97.5%左右。有的更低。（包括前面的整流橋，MOSFET開關(guān)損耗及二極管損耗，電感損耗）
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傳統(tǒng)的MOSFET是半導(dǎo)體硅做的，而硅MOSFET在高壓600V的時(shí)候，工作頻率不能跑高，跑得太高使得管子發(fā)熱很嚴(yán)重。這是硅材料的物理特性決定的。新的材料-氮化鎵MOSFET將為我們解決這問(wèn)題，這種材料的MOSFET現(xiàn)在被各大廠商在開發(fā)中，INFINEON, ST, SHARP.ROHM,IR等均有相對(duì)應(yīng)的產(chǎn)品將問(wèn)世，這一趨式無(wú)法改變。氮化鎵有如下好處，1，可以跑高頻，100K---10M開關(guān)頻率（同時(shí)高頻后并不會(huì)像硅MOSFET那樣帶來(lái)過(guò)多的熱問(wèn)題）2，氮化鎵材質(zhì)的MOSFET體內(nèi)寄生電容很小，米勒電容也很小。所以開關(guān)損耗會(huì)很小3，氮化鎵MOSFET體內(nèi)沒(méi)有像硅MOSFET的寄生二極管，但電流可以從S流向D，通過(guò)自身的電子層導(dǎo)通，因?yàn)闆](méi)有恢復(fù)損耗的問(wèn)題。
采用氮化鎵MOSFET代用上面?zhèn)鹘y(tǒng)的MOSFET，將會(huì)有明顯的改變。
此時(shí)無(wú)需加任何的snab吸收電路。如下圖。
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下面是實(shí)例 1000W，10cm*10cm，還可以做小。
只要一個(gè)這么小的散熱片。
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氮化鎵MOSFET - 300-1500W PV逆變應(yīng)用-微型逆變器-UPS方案.pdf
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