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反激波形異常，請教下各位大俠，具體什么原因造成的。

下圖為GS驅(qū)動波形：

為什么波形不是連續(xù)的，其中一個變窄了呢？

55555

下圖為DS波形：


66666

原理圖如下：


777






全部回復(fù)(15)
正序查看
倒序查看
qhllzzhh
LV.4
2
2014-11-10 12:56

工作頻率100K

輸入：32-100VDC,   輸出：15V/1.5A,18V/0.1A

15V帶載1A時，管子溫度開始上升,這屬于正常？

Q1圖中沒標(biāo)出來，是IRF640N.

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2014-11-10 13:19
@qhllzzhh
工作頻率100K輸入：32-100VDC, 輸出：15V/1.5A,18V/0.1A15V帶載1A時，管子溫度開始上升,這屬于正常？Q1圖中沒標(biāo)出來，是IRF640N.
芯片地線干擾。
0
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zjj042202
LV.3
4
2014-11-10 15:18
應(yīng)該是低壓輸入時的波形吧？這種像是帶載能力不足，造成的。
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2014-11-10 16:38

從Vgs上，很規(guī)律的大/小波驅(qū)動，看著很像電流檢測異常導(dǎo)致的！

(1)把開關(guān)管S端的電壓和芯片Vsense的波形也發(fā)上來看看！

(2)上面兩幅圖Vgs和Vds怎么對應(yīng)不上，最好上Vg&Vd、Vg&Vs的雙通道波形；

(3)Comp腳電壓是不是沒有低過5.8V？

(4)D2/D3是不是肖特基的？Irr參數(shù)大么？


0
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qhllzzhh
LV.4
6
2014-11-10 17:05
@zjj042202
應(yīng)該是低壓輸入時的波形吧？這種像是帶載能力不足，造成的。
是低壓輸入時測試的波形，但是輕載的時候也是這個波形
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yhtfeel
LV.7
7
2014-11-11 09:43
C15電容0.1μ太大了，換個471的
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qhllzzhh
LV.4
8
2014-11-11 10:53
@yhtfeel
C15電容0.1μ太大了，換個471的
謝了，改了電容后驅(qū)動波形正常，目前的問題輸入55V時MOSFET管VDS高至150V，加了RC吸收沒反應(yīng)。
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zjj042202
LV.3
9
2014-11-11 12:12
@qhllzzhh
謝了，改了電容后驅(qū)動波形正常，目前的問題輸入55V時MOSFET管VDS高至150V，加了RC吸收沒反應(yīng)。
看下次級二極管峰值，看要不要調(diào)下砸比，或改下變壓器工藝，減小漏感
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yhtfeel
LV.7
10
2014-11-11 13:22
@qhllzzhh
謝了，改了電容后驅(qū)動波形正常，目前的問題輸入55V時MOSFET管VDS高至150V，加了RC吸收沒反應(yīng)。
很正常，RCD吸收加大R
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qhllzzhh
LV.4
11
2014-11-11 13:56
@yhtfeel
很正常，RCD吸收加大R
初級電阻改為：2*6.8K，C=472,次級二極管并一個472電容，VDS峰值降為127V。其他參數(shù)組合測試后電壓無法降低。
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老梁頭
LV.10
12
2014-11-11 19:11
@qhllzzhh
初級電阻改為：2*6.8K，C=472,次級二極管并一個472電容，VDS峰值降為127V。其他參數(shù)組合測試后電壓無法降低。
改匝比
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2014-11-11 20:27
@qhllzzhh
初級電阻改為：2*6.8K，C=472,次級二極管并一個472電容，VDS峰值降為127V。其他參數(shù)組合測試后電壓無法降低。
IRF640耐壓200V，只有你效率可以接受，這個尖峰沒有問題。100KHz的開關(guān)頻率，C15用471pF都偏大，布線好的話，200pF足夠了，否則短路的時候Vds會更大。
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qhllzzhh
LV.4
14
2014-11-11 21:10
@老梁頭
改匝比
謝謝，匝比改大還是改?。?/div>
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qhllzzhh
LV.4
15
2014-11-12 09:49
@rj44444
IRF640耐壓200V，只有你效率可以接受，這個尖峰沒有問題。100KHz的開關(guān)頻率，C15用471pF都偏大，布線好的話，200pF足夠了，否則短路的時候Vds會更大。

R7改為470歐，C15改為200PF。

另外15V帶反饋輸出帶滿載時另一路18V輸出高至30V，如何解決，多多指教下！

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yhtfeel
LV.7
16
2014-11-12 14:26
@qhllzzhh
R7改為470歐，C15改為200PF。另外15V帶反饋輸出帶滿載時另一路18V輸出高至30V，如何解決，多多指教下！
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