LinkZero-LP適合低成本的無箝位設(shè)計(jì),它具有非常嚴(yán)格的IC參數(shù)容差,能提升系統(tǒng)制造的良品率。SO-8C封裝中的爬電距離非常大,加上帶遲滯熱關(guān)斷保護(hù)的集成700 V MOSFET,可進(jìn)一步增強(qiáng)系統(tǒng)的現(xiàn)場應(yīng)用可靠性。而且,100 kHz的工作頻率可減小充電器尺寸,頻率抖動(dòng)功能可大幅降低EMI濾波的成本。
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LinkZero-LP基于成功的LinkSwitch?-LP系列IC設(shè)計(jì)而成,可廣泛應(yīng)用于手機(jī)充電器和其他低功率充電器/適配器應(yīng)用。LinkZero-LP繼承了LinkSwitch-LP所特有的簡化性,設(shè)計(jì)電源時(shí)所使用的外圍元件不超過20個(gè)。新器件甚至還能與現(xiàn)有的LinkSwitch-LP設(shè)計(jì)后向兼容,這樣可在不增加元件數(shù)的情況下輕松、快速地實(shí)現(xiàn)零空載功率。
LinkZero-LP適合低成本的無箝位設(shè)計(jì),它具有非常嚴(yán)格的IC參數(shù)容差,能提升系統(tǒng)制造的良品率。SO-8C封裝中的爬電距離非常大,加上帶遲滯熱關(guān)斷保護(hù)的集成700 V MOSFET,可進(jìn)一步增強(qiáng)系統(tǒng)的現(xiàn)場應(yīng)用可靠性。而且,100 kHz的工作頻率可減小充電器尺寸,頻率抖動(dòng)功能可大幅降低EMI濾波的成本。
LinkZero-LP適合低成本的無箝位設(shè)計(jì),它具有非常嚴(yán)格的IC參數(shù)容差,能提升系統(tǒng)制造的良品率。SO-8C封裝中的爬電距離非常大,加上帶遲滯熱關(guān)斷保護(hù)的集成700 V MOSFET,可進(jìn)一步增強(qiáng)系統(tǒng)的現(xiàn)場應(yīng)用可靠性。而且,100 kHz的工作頻率可減小充電器尺寸,頻率抖動(dòng)功能可大幅降低EMI濾波的成本。
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