手冊(cè)上沒解釋電流震蕩問題，希望懂得大神幫幫忙，謝謝了！
求解釋，反激電源關(guān)斷時(shí)ids電流在減小到0時(shí)會(huì)有震蕩
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說個(gè)詳細(xì)的。
第一個(gè)iD， id交錯(cuò)時(shí)：mosfet電流id從峰值降到0，斜率由原邊漏感決定；副邊二極管電流 iD 從0到峰值，斜率由副邊漏感決定。這兩個(gè)過程同時(shí)開始，同時(shí)結(jié)束。原邊電流下降的同時(shí)，最終會(huì)charge到mosfet的結(jié)電容Cds和變壓器寄生電容，由漏感和電容組成了震蕩回路。而電容上產(chǎn)生的峰值也就加在mosfet漏極上了。
第二個(gè)交錯(cuò)圖上寫了副邊二極管反向電流，只不過圖簡單了，實(shí)際也是震蕩的。但凡有電感電容就肯定有震蕩。
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@rainever
說個(gè)詳細(xì)的。第一個(gè)iD，id交錯(cuò)時(shí)：mosfet電流id從峰值降到0，斜率由原邊漏感決定；副邊二極管電流iD從0到峰值，斜率由副邊漏感決定。這兩個(gè)過程同時(shí)開始，同時(shí)結(jié)束。原邊電流下降的同時(shí)，最終會(huì)charge到mosfet的結(jié)電容Cds和變壓器寄生電容，由漏感和電容組成了震蕩回路。而電容上產(chǎn)生的峰值也就加在mosfet漏極上了。第二個(gè)交錯(cuò)圖上寫了副邊二極管反向電流，只不過圖簡單了，實(shí)際也是震蕩的。但凡有電感電容就肯定有震蕩。
那id降到0時(shí)，是不是跟vds一樣，就是說漏感和電容的諧振，兩個(gè)都是這樣的原因。
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