氮化鎵器件因其適合高頻，高壓而現(xiàn)在已被大量應(yīng)用于我們的生活中。
下面就其主要的一些性能作一些介紹
氮化鎵introduction & application-Web.pdf
氮化鎵MOSFET的最新應(yīng)用
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這拓?fù)?/span>是 cascode 組態(tài)，jFET本身幾乎沒(méi)有米勒效應(yīng)，而MOSFET的米勒效應(yīng)也因DS被鉗而受遏制，而且由于 jFET柵極在地，MOSFET實(shí)際上是永遠(yuǎn)的ZVS，cascode 共射（共源）級(jí)功耗的箇疾 就此攻克！
jFET的結(jié)構(gòu)像UJT，當(dāng)柵極接地時(shí)，就能起到逆導(dǎo)二極管的作用，jFET是耗盡型的，開(kāi)通用不著正偏，反而在逆導(dǎo)狀態(tài)時(shí)會(huì)有柵流，由于是柵流，故不能太大，主通道還是在源漏兩端，跟MOSFET的寄生二極管串聯(lián)，逆導(dǎo)的性能還是會(huì)受制于MOSFET的寄生二極管。
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@nk6108
[圖片]這拓?fù)涫莄ascode組態(tài)，jFET本身幾乎沒(méi)有米勒效應(yīng)，而MOSFET的米勒效應(yīng)也因DS被鉗而受遏制，而且由于jFET柵極在地，MOSFET實(shí)際上是永遠(yuǎn)的ZVS，cascode共射（共源）級(jí)功耗的箇疾就此攻克！ jFET的結(jié)構(gòu)像UJT，當(dāng)柵極接地時(shí)，就能起到逆導(dǎo)二極管的作用，jFET是耗盡型的，開(kāi)通用不著正偏，反而在逆導(dǎo)狀態(tài)時(shí)會(huì)有柵流，由于是柵流，故不能太大，主通道還是在源漏兩端，跟MOSFET的寄生二極管串聯(lián)，逆導(dǎo)的性能還是會(huì)受制于MOSFET的寄生二極管。
專業(yè)的回復(fù)，
請(qǐng)問(wèn)你的聯(lián)系方式？ 我想與你多點(diǎn)溝通，是否可以？
或聯(lián)系我。135o177五九七七，
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