大家好：
根據(jù)IGBT的datasheet顯示，如圖1，VGE的極限電壓為20V以上就會(huì)損壞IGBT的。而VGE(th)是符合的，電壓為5V左右，C極就有電流流通，VCE壓降降低。但本人做了如下實(shí)驗(yàn)，如圖2，把VCC調(diào)到30V，IGBT還是安然無(wú)恙，請(qǐng)問(wèn)，這是為何呢？
圖1：
圖2：
挑戰(zhàn)IGBT的VGE的極限參數(shù)，但根本不能把IGBT損害，原因?yàn)楹危?/h1>
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@zsb111000
暈，誰(shuí)告訴你30伏就一定會(huì)壞了，你以為是國(guó)人造東西啊，一般標(biāo)稱電壓也就實(shí)際值的一半多
但本人遇到過(guò)一種炸機(jī)的現(xiàn)象，就是IGBT的驅(qū)動(dòng)信號(hào)，由于驅(qū)動(dòng)電路的參數(shù)不好，在剛啟動(dòng)功率時(shí)候，PPWM比較窄的情況，有差不多24V的尖峰脈沖出現(xiàn)，導(dǎo)致經(jīng)常出現(xiàn)炸機(jī)，后來(lái)調(diào)整了驅(qū)動(dòng)參數(shù)后，尖峰消失后，炸機(jī)率大大降低。
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