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挑戰(zhàn)IGBT的VGE的極限參數(shù)，但根本不能把IGBT損害，原因為何？

大家好：

      根據(jù)IGBT的datasheet顯示，如圖1，VGE的極限電壓為20V以上就會損壞IGBT的。而VGE(th)是符合的，電壓為5V左右，C極就有電流流通，VCE壓降降低。但本人做了如下實驗，如圖2，把VCC調(diào)到30V，IGBT還是安然無恙，請問，這是為何呢？

圖1：

2

 

 

3

 

圖2：

1

 

 

全部回復(fù)(11)
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zsb111000
LV.4
2
2015-01-22 13:29

暈，誰告訴你30伏就一定會壞了，你以為是國人造東西啊，一般標稱電壓也就實際值的一半多

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hero0765
LV.4
3
2015-01-22 13:35
@zsb111000
暈，誰告訴你30伏就一定會壞了，你以為是國人造東西啊，一般標稱電壓也就實際值的一半多

但本人遇到過一種炸機的現(xiàn)象，就是IGBT的驅(qū)動信號，由于驅(qū)動電路的參數(shù)不好，在剛啟動功率時候，PPWM比較窄的情況，有差不多24V的尖峰脈沖出現(xiàn)，導(dǎo)致經(jīng)常出現(xiàn)炸機，后來調(diào)整了驅(qū)動參數(shù)后，尖峰消失后，炸機率大大降低。

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zsb111000
LV.4
4
2015-01-22 13:43
@hero0765
但本人遇到過一種炸機的現(xiàn)象，就是IGBT的驅(qū)動信號，由于驅(qū)動電路的參數(shù)不好，在剛啟動功率時候，PPWM比較窄的情況，有差不多24V的尖峰脈沖出現(xiàn)，導(dǎo)致經(jīng)常出現(xiàn)炸機，后來調(diào)整了驅(qū)動參數(shù)后，尖峰消失后，炸機率大大降低。

你上圖可是在低壓下進行的，條件不同結(jié)果肯定不一樣的

 

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貮寶
LV.7
5
2015-01-22 13:55
這不叫挑戰(zhàn),要不同類型十種以上分別試來試去,才能牛出一個結(jié)果,閑著也是閑著.
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hero0765
LV.4
6
2015-01-22 14:01
@貮寶
這不叫挑戰(zhàn),要不同類型十種以上分別試來試去,才能牛出一個結(jié)果,閑著也是閑著.

我只想做一個小實驗，來驗證datasheet所提供的數(shù)據(jù)，請問大家，能否構(gòu)造出如此的小實驗?zāi)兀?

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zsb111000
LV.4
7
2015-01-22 14:02
@貮寶
這不叫挑戰(zhàn),要不同類型十種以上分別試來試去,才能牛出一個結(jié)果,閑著也是閑著.

你能把40安的管子再高壓下用到50安還不壞才算挑戰(zhàn)

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zsb111000
LV.4
8
2015-01-22 14:05
@zsb111000
你能把40安的管子再高壓下用到50安還不壞才算挑戰(zhàn)[圖片]
技術(shù)手冊上的參數(shù)都是下限值，實際要比它好的
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貮寶
LV.7
9
2015-01-24 09:50
@hero0765
我只想做一個小實驗，來驗證datasheet所提供的數(shù)據(jù)，請問大家，能否構(gòu)造出如此的小實驗?zāi)兀?/span>

器件的參數(shù)特性了解透,用好就是對了!挑戰(zhàn)兩會事,說不上!

業(yè)余愛好者就是做小實驗挑戰(zhàn)指標,又玩了,又樂了的,做產(chǎn)品就不,

 

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2015-04-16 11:11
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2015-04-16 11:13
@jerry263428587
[圖片]
看不到圖片
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Q597298353Q
LV.5
12
2015-04-16 20:00
余量啊~
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