咱們工程師們平時用TO-220AB封裝形式MOS時，考慮到的除了設(shè)計的一些余量外，還有就是絕緣和散熱。
因為一般的TO-220AB封裝形式MOS的漏極（D極）跟散熱面是內(nèi)部相同的。
當(dāng)TO-220AB封裝形式MOS需要加散熱片散熱時，特別是不同用途的MOS共用一個散熱片時，需要做絕緣，加絕緣片和絕緣粒。
一般的絕緣片為導(dǎo)熱硅膠片或云母片。具體見下圖
導(dǎo)熱硅膠片
云母片
這個時候還需要加上絕緣粒（螺絲還得穿過MOS的散熱面固定到散熱片上）
絕緣粒
整個安裝工藝如下圖所示
還有一種生產(chǎn)工藝，就是MOS管套上絕緣帽，絕緣帽也是導(dǎo)熱硅膠片做成的。絕緣帽如下圖
絕緣帽
然后用壓條壓住管子，壓條如下圖
單管壓條
雙管壓條
下邊是壓條固定單管后的效果圖（沒找到合適的，實際絕緣套帽是套在管子上的）
下邊是壓條固定雙管后的效果圖（沒找到合適的，實際絕緣套帽是套在管子上的）
以上是常見的常規(guī)TO-220AB封裝形式MOS散熱及固定工藝。
這樣的工藝有很多缺點(diǎn)：
1.絕緣片和絕緣粒產(chǎn)生額外的材料成本，管理成本和生產(chǎn)成本；
2.生產(chǎn)裝配麻煩，全部需要人工完成，生產(chǎn)效率較低。現(xiàn)在的人工成本再不斷增加；
3.絕緣粒在MOSFET高溫運(yùn)行時，容易老化、變形，最終導(dǎo)致MOSFET與散熱片松動，散熱效果降低，絕緣性能下降（極端情況下可能會發(fā)生不絕緣的情況）
4.生產(chǎn)裝配時，容易損壞絕緣粒（絕緣粒破裂或者變形），最終導(dǎo)致MOSFET的散熱效果降低，絕緣性能下降；
5.工廠生產(chǎn)時，通常會做絕緣耐壓測試，絕緣耐壓測試容易損壞MOSFET，造成MOSFET隱性損壞（柵極損傷），造成潛在可靠性失效問題。
還有一種方式就是選擇TO-220F(塑封）MOS達(dá)到絕緣效果，但散熱效果變差。
