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  • 【專利新品發(fā)布】銳駿半導體全新系列產(chǎn)品,值得特別關注的新品MOS,只為方便您的使用!

【專利新品發(fā)布】銳駿半導體全新系列產(chǎn)品,值得特別關注的新品MOS,只為方便您的使用!

咱們工程師們平時用TO-220AB封裝形式MOS時,考慮到的除了設計的一些余量外,還有就是絕緣和散熱。

因為一般的TO-220AB封裝形式MOS的漏極(D極)跟散熱面是內(nèi)部相同的。

TO-220AB封裝形式MOS需要加散熱片散熱時,特別是不同用途的MOS共用一個散熱片時,需要做絕緣,加絕緣片和絕緣粒。

一般的絕緣片為導熱硅膠片或云母片。具體見下圖

TO-220導熱硅膠片

導熱硅膠片

云母片1

云母片

這個時候還需要加上絕緣粒(螺絲還得穿過MOS的散熱面固定到散熱片上)

絕緣粒子

絕緣粒

整個安裝工藝如下圖所示

安裝工藝

還有一種生產(chǎn)工藝,就是MOS管套上絕緣帽,絕緣帽也是導熱硅膠片做成的。絕緣帽如下圖

絕緣套

絕緣帽

然后用壓條壓住管子,壓條如下圖

單壓條

單管壓條

雙壓條

雙管壓條

下邊是壓條固定單管后的效果圖(沒找到合適的,實際絕緣套帽是套在管子上的)

絕緣套帽+1MOS

下邊是壓條固定雙管后的效果圖(沒找到合適的,實際絕緣套帽是套在管子上的)

絕緣套帽+2MOS

以上是常見的常規(guī)TO-220AB封裝形式MOS散熱及固定工藝。

這樣的工藝有很多缺點:

1.絕緣片和絕緣粒產(chǎn)生額外的材料成本,管理成本和生產(chǎn)成本;

2.生產(chǎn)裝配麻煩,全部需要人工完成,生產(chǎn)效率較低?,F(xiàn)在的人工成本再不斷增加;

3.絕緣粒在MOSFET高溫運行時,容易老化、變形,最終導致MOSFET與散熱片松動,散熱效果降低,絕緣性能下降(極端情況下可能會發(fā)生不絕緣的情況)

4.生產(chǎn)裝配時,容易損壞絕緣粒(絕緣粒破裂或者變形),最終導致MOSFET的散熱效果降低,絕緣性能下降;

5.工廠生產(chǎn)時,通常會做絕緣耐壓測試,絕緣耐壓測試容易損壞MOSFET,造成MOSFET隱性損壞(柵極損傷),造成潛在可靠性失效問題。

還有一種方式就是選擇TO-220F(塑封)MOS達到絕緣效果,但散熱效果變差。

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老梁頭
LV.10
2
2015-03-02 21:49

銳駿半導體通過不斷的研究創(chuàng)新,研發(fā)出新型的內(nèi)絕緣MOSFET–TO-220S封裝;

TO-220S – 內(nèi)絕緣MOSFET:就是使用特殊的封裝工藝將承載芯片的框架與MOS管背部散熱片相互隔離的一種新型封裝,最終目的是將MOS管的漏極與其背部散熱片之間達到電氣隔離;

目前銳駿推出的TO-220S封裝的絕緣耐壓等級為高于1500V,并保證100%測試(VISO=150VAC,Time=0.8s,ISOL<0.5mA)。

如下圖

既然我們銳駿半導體的內(nèi)絕緣TO-220S封裝MOSFET具有內(nèi)部絕緣,那么我們的MOS可以直接固定到散熱片上。

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老梁頭
LV.10
3
2015-03-02 21:50
@老梁頭
銳駿半導體通過不斷的研究創(chuàng)新,研發(fā)出新型的內(nèi)絕緣MOSFET–TO-220S封裝;TO-220S–內(nèi)絕緣MOSFET:就是使用特殊的封裝工藝將承載芯片的框架與MOS管背部散熱片相互隔離的一種新型封裝,最終目的是將MOS管的漏極與其背部散熱片之間達到電氣隔離;目前銳駿推出的TO-220S封裝的絕緣耐壓等級為高于1500V,并保證100%測試(VISO=150VAC,Time=0.8s,ISOL

從上邊的對比可以看出銳駿半導體TO-220S封裝比普通TO-220AB具有更多的有優(yōu)勢

1.從MOSFET內(nèi)部解決了MOSFET共用一個散熱片的絕緣問題。

2.降低成本          

   >不再需要MOSFET和散熱片之間增加的絕緣片

   >不再需要在固定螺絲上加的絕緣粒

   >節(jié)約了材料成本,物料管理成本和生產(chǎn)成本

3.生產(chǎn)裝配簡單          

   >減少了裝配工時

   >取消了絕緣測試的工作流程

   >提高了生產(chǎn)效率

4.提高可靠性          

   >避免因為絕緣粒因為高溫或破裂而產(chǎn)生的可靠性問題

   >所有內(nèi)絕緣MOSFET TO-220S封裝出廠前都是經(jīng)過100%的絕緣耐壓測試,客戶不需要再做絕緣耐壓測試,從而避免了客戶端做絕緣耐壓測試而產(chǎn)生的可靠性問題

   >TO-220S封裝已經(jīng)經(jīng)過約1年左右時間的終端客戶實際使用驗證(主要用于E-BIKE控制板),產(chǎn)品成熟可靠

5.TO-220S封裝經(jīng)過實際測試對比,比全包封TO-220F封裝的散熱性能好,與TO-220AB+絕緣片的散熱性能差不多

下邊我們通過實際實驗來驗證三種封裝的散熱性能

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老梁頭
LV.10
4
2015-03-02 21:50
@老梁頭
從上邊的對比可以看出銳駿半導體TO-220S封裝比普通TO-220AB具有更多的有優(yōu)勢1.從MOSFET內(nèi)部解決了MOSFET共用一個散熱片的絕緣問題。2.降低成本        >不再需要MOSFET和散熱片之間增加的絕緣片  >不再需要在固定螺絲上加的絕緣粒  >節(jié)約了材料成本,物料管理成本和生產(chǎn)成本3.生產(chǎn)裝配簡單        >減少了裝配工時  >取消了絕緣測試的工作流程  >提高了生產(chǎn)效率4.提高可靠性        >避免因為絕緣粒因為高溫或破裂而產(chǎn)生的可靠性問題  >所有內(nèi)絕緣MOSFETTO-220S封裝出廠前都是經(jīng)過100%的絕緣耐壓測試,客戶不需要再做絕緣耐壓測試,從而避免了客戶端做絕緣耐壓測試而產(chǎn)生的可靠性問題  >TO-220S封裝已經(jīng)經(jīng)過約1年左右時間的終端客戶實際使用驗證(主要用于E-BIKE控制板),產(chǎn)品成熟可靠5.TO-220S封裝經(jīng)過實際測試對比,比全包封TO-220F封裝的散熱性能好,與TO-220AB+絕緣片的散熱性能差不多下邊我們通過實際實驗來驗證三種封裝的散熱性能

TO-220熱阻

從上面的裝配工藝看,內(nèi)絕緣新型TO-220S MOSFET相當于把傳統(tǒng)型TO-220AB MOSFET安裝在Heat Sink上時的絕緣片做到了MOS管內(nèi)部,因此導致結溫到Case的熱阻變大,但卻因安裝在Heat Sink時不再需要絕緣片而降低了Case到Heat Sink的熱阻 ,只要我們能在以下幾個條件下測試Heat Sink上的溫度就能說明那種封裝的總熱阻?。?

1.使用同一芯片而采用不同的封裝形式;

2.在同一時間內(nèi)消耗同樣的功率;

3.使同一個Heat Sink;

4.一個密閉的環(huán)境內(nèi);

最終Heat Sink溫度越高的說明熱量越容易傳遞到Heat Sink, 證明總熱阻越小

三種MOS封裝實驗對比

為了對比TO-220AB,TO-220F和絕緣版TO-220S MOSFET的散熱性能(熱阻),我們請研發(fā)工程師做如下實驗

條件1:使用同一芯片而采用不同的封裝形式,我們使用同一芯片封成以下三種形式:

條件2:在同一時間內(nèi)消耗同樣的功率,為了能使MOSFET消耗同樣的功率,我們需要設計一個恒功率的電路,如下電路圖:

此電路中我們設置:電源Vcc=18.11V電流Id=0.5A,因此,MOSFET消耗的功率為:P=(18.11-0.11)*Id=9W

條件3:一個密閉的環(huán)境內(nèi)

我們采用的是一個小紙盒,尺寸如下:長*寬*高=130mm*100mm*55mm

首先,我們按照條件2調試好電源電壓和流過MOSFET的電流,如下圖:

電源電壓設置為18.11V,調整電路參數(shù)使得流過MOS管的電流Id=0.5A,因此,此時MOSFET共消耗的功率為:P=(18.11-0.11)*Id=9W

其次,分別換裝不同的MOSFET并按照相同的方式粘貼溫度檢測線,其中傳統(tǒng)的TO-220我們采用了兩種不同的絕緣片,分別為:

第一種:市面上最常見的硅膠絕緣片,厚度0.3mm;溫度線粘貼如下圖:

CH1:漏極(2腳)溫度

CH2:MOS管漏極HS

CH3:總HS溫度

CH4:環(huán)境溫度

第二種:目前電動自行車控制器常用的黃色絕緣片,厚度0.08mm。溫度線粘貼如下圖:

CH1:漏極(2腳)溫度

CH2:MOS管漏極HS

CH3:總HS溫度

CH4:環(huán)境溫度

換裝全包封TO-220F時的溫度線粘貼圖片注意:為了以后能和其他MOSFET有效對比漏極HS的溫度CH2測試點的環(huán)氧樹脂需要被處理掉!

CH1:漏極(2腳)溫度

CH2:MOS管漏極HS

CH3:總HS溫度

CH4:環(huán)境溫度

換裝絕緣版TO-220S時的溫度線粘貼圖片

CH1:漏極(2腳)

溫度CH2:MOS管漏極HS

CH3:總HS溫度

CH4:環(huán)境溫度

最后均按照下面的方式放入條件4中的小紙盒內(nèi),測試前折疊好紙盒并通過溫度測試儀保存每種狀態(tài)的溫度數(shù)據(jù)。

最后見證奇跡的時刻到了

考慮實驗誤差的情況下,4種情況下管腳2的溫度幾乎差不多(幾種封裝的管腳2與晶圓的熱阻幾乎相同)。

實驗結果可以看出:半包封TO-220AB MOSFET+黃色絕緣片的散熱效果最好,其次是內(nèi)絕緣TO-220S MOSFET,然后是半包封TO-220AB MOSFET+藍色絕緣片,最差的是全包封TO-220F MOSFET。所以內(nèi)絕緣TO-220S MOSFET的散熱性能比全包封TO-220F好,介于半包封TO-220AB+黃色絕緣片和藍色絕緣片之間。該結果符合理論上的熱阻計算。

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老梁頭
LV.10
5
2015-03-02 21:50
@老梁頭
TO-220熱阻從上面的裝配工藝看,內(nèi)絕緣新型TO-220SMOSFET相當于把傳統(tǒng)型TO-220ABMOSFET安裝在HeatSink上時的絕緣片做到了MOS管內(nèi)部,因此導致結溫到Case的熱阻變大,但卻因安裝在HeatSink時不再需要絕緣片而降低了Case到HeatSink的熱阻,只要我們能在以下幾個條件下測試HeatSink上的溫度就能說明那種封裝的總熱阻?。?.使用同一芯片而采用不同的封裝形式;2.在同一時間內(nèi)消耗同樣的功率;3.使同一個HeatSink;4.一個密閉的環(huán)境內(nèi);最終HeatSink溫度越高的說明熱量越容易傳遞到HeatSink,證明總熱阻越小[圖片]三種MOS封裝實驗對比為了對比TO-220AB,TO-220F和絕緣版TO-220SMOSFET的散熱性能(熱阻),我們請研發(fā)工程師做如下實驗條件1:使用同一芯片而采用不同的封裝形式,我們使用同一芯片封成以下三種形式:[圖片]條件2:在同一時間內(nèi)消耗同樣的功率,為了能使MOSFET消耗同樣的功率,我們需要設計一個恒功率的電路,如下電路圖:[圖片]此電路中我們設置:電源Vcc=18.11V電流Id=0.5A,因此,MOSFET消耗的功率為:P=(18.11-0.11)*Id=9W條件3:一個密閉的環(huán)境內(nèi)我們采用的是一個小紙盒,尺寸如下:長*寬*高=130mm*100mm*55mm[圖片]首先,我們按照條件2調試好電源電壓和流過MOSFET的電流,如下圖:[圖片]電源電壓設置為18.11V,調整電路參數(shù)使得流過MOS管的電流Id=0.5A,因此,此時MOSFET共消耗的功率為:P=(18.11-0.11)*Id=9W其次,分別換裝不同的MOSFET并按照相同的方式粘貼溫度檢測線,其中傳統(tǒng)的TO-220我們采用了兩種不同的絕緣片,分別為:第一種:市面上最常見的硅膠絕緣片,厚度0.3mm;溫度線粘貼如下圖:[圖片]CH1:漏極(2腳)溫度CH2:MOS管漏極HSCH3:總HS溫度CH4:環(huán)境溫度第二種:目前電動自行車控制器常用的黃色絕緣片,厚度0.08mm。溫度線粘貼如下圖:[圖片]CH1:漏極(2腳)溫度CH2:MOS管漏極HSCH3:總HS溫度CH4:環(huán)境溫度換裝全包封TO-220F時的溫度線粘貼圖片注意:為了以后能和其他MOSFET有效對比漏極HS的溫度CH2測試點的環(huán)氧樹脂需要被處理掉![圖片]CH1:漏極(2腳)溫度CH2:MOS管漏極HSCH3:總HS溫度CH4:環(huán)境溫度換裝絕緣版TO-220S時的溫度線粘貼圖片[圖片]CH1:漏極(2腳)溫度CH2:MOS管漏極HSCH3:總HS溫度CH4:環(huán)境溫度最后均按照下面的方式放入條件4中的小紙盒內(nèi),測試前折疊好紙盒并通過溫度測試儀保存每種狀態(tài)的溫度數(shù)據(jù)。[圖片]最后見證奇跡的時刻到了考慮實驗誤差的情況下,4種情況下管腳2的溫度幾乎差不多(幾種封裝的管腳2與晶圓的熱阻幾乎相同)。[圖片]實驗結果可以看出:半包封TO-220ABMOSFET+黃色絕緣片的散熱效果最好,其次是內(nèi)絕緣TO-220SMOSFET,然后是半包封TO-220ABMOSFET+藍色絕緣片,最差的是全包封TO-220FMOSFET。所以內(nèi)絕緣TO-220SMOSFET的散熱性能比全包封TO-220F好,介于半包封TO-220AB+黃色絕緣片和藍色絕緣片之間。該結果符合理論上的熱阻計算。[圖片]

內(nèi)絕緣TO-220S MOSFET的可靠性

1.IOL功率循環(huán)可靠性試驗,RUPAK(TO220S)沿用半包封TO220的通用試驗條件(VDS=21V, VG=1V, 3.5min on/off, 4286cys,管腳溫度約110度),TO220S型號均能通過500hrs可靠性測試

2.到2014年12月為止,總計出貨超過1.3KK PCS TO-220S封裝,無異常反饋

TO-220S產(chǎn)品列表

** 以上所有產(chǎn)品的絕緣耐壓等級:大于1500VAC,100%測試。

** 如果您對以上產(chǎn)品感興趣,可與銳駿半導體聯(lián)系,申請您所需要產(chǎn)品的樣品。

** 銳駿半導體可根據(jù)市場需要,設計生產(chǎn)更多TO-220S內(nèi)絕緣封裝產(chǎn)品。

有您的支持與陪伴, 我們將更加專注于產(chǎn)品的創(chuàng)新, 盡我所能,為您做到最好, 我們將以此回報您!

深圳市銳駿半導體有限公司

深圳總部電話:0755-82907976    

傳真:0755-83114278

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網(wǎng)址:http://www.ruichips.com

電源網(wǎng)銳駿版塊:http://www.e-ticket.cn/bbs/ruichips/ 

通訊地址:深圳市南山區(qū)高新中一道2號長園新材料港8棟4樓

郵編:518057

最后感謝大家對銳駿半導體的支持!

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2015-03-03 09:11
@老梁頭
內(nèi)絕緣TO-220SMOSFET的可靠性1.IOL功率循環(huán)可靠性試驗,RUPAK(TO220S)沿用半包封TO220的通用試驗條件(VDS=21V,VG=1V,3.5minon/off,4286cys,管腳溫度約110度),TO220S型號均能通過500hrs可靠性測試2.到2014年12月為止,總計出貨超過1.3KKPCSTO-220S封裝,無異常反饋TO-220S產(chǎn)品列表[圖片]**以上所有產(chǎn)品的絕緣耐壓等級:大于1500VAC,100%測試。**如果您對以上產(chǎn)品感興趣,可與銳駿半導體聯(lián)系,申請您所需要產(chǎn)品的樣品。**銳駿半導體可根據(jù)市場需要,設計生產(chǎn)更多TO-220S內(nèi)絕緣封裝產(chǎn)品。有您的支持與陪伴,我們將更加專注于產(chǎn)品的創(chuàng)新,盡我所能,為您做到最好,我們將以此回報您!深圳市銳駿半導體有限公司深圳總部電話:0755-82907976  傳真:0755-83114278E-mail:Sales-SZ@ruichips.com 網(wǎng)址:http://www.ruichips.com電源網(wǎng)銳駿版塊:http://www.e-ticket.cn/bbs/ruichips/ 通訊地址:深圳市南山區(qū)高新中一道2號長園新材料港8棟4樓郵編:518057最后感謝大家對銳駿半導體的支持!
占一樓鼓掌!~
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fsxqw
LV.9
7
2015-03-03 21:37
@電源網(wǎng)-娜娜姐
占一樓鼓掌!~
恭喜銳駿又出新品!
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2015-03-04 10:27
@老梁頭
內(nèi)絕緣TO-220SMOSFET的可靠性1.IOL功率循環(huán)可靠性試驗,RUPAK(TO220S)沿用半包封TO220的通用試驗條件(VDS=21V,VG=1V,3.5minon/off,4286cys,管腳溫度約110度),TO220S型號均能通過500hrs可靠性測試2.到2014年12月為止,總計出貨超過1.3KKPCSTO-220S封裝,無異常反饋TO-220S產(chǎn)品列表[圖片]**以上所有產(chǎn)品的絕緣耐壓等級:大于1500VAC,100%測試。**如果您對以上產(chǎn)品感興趣,可與銳駿半導體聯(lián)系,申請您所需要產(chǎn)品的樣品。**銳駿半導體可根據(jù)市場需要,設計生產(chǎn)更多TO-220S內(nèi)絕緣封裝產(chǎn)品。有您的支持與陪伴,我們將更加專注于產(chǎn)品的創(chuàng)新,盡我所能,為您做到最好,我們將以此回報您!深圳市銳駿半導體有限公司深圳總部電話:0755-82907976  傳真:0755-83114278E-mail:Sales-SZ@ruichips.com 網(wǎng)址:http://www.ruichips.com電源網(wǎng)銳駿版塊:http://www.e-ticket.cn/bbs/ruichips/ 通訊地址:深圳市南山區(qū)高新中一道2號長園新材料港8棟4樓郵編:518057最后感謝大家對銳駿半導體的支持!
帖子不錯哦,推薦到帖子底部經(jīng)典圖庫。更多請點擊:http://www.e-ticket.cn/bbs/classic/
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sky.yao
LV.2
9
2015-03-04 11:02
@電源網(wǎng)-fqd
帖子不錯哦,推薦到帖子底部經(jīng)典圖庫。更多請點擊:http://www.e-ticket.cn/bbs/classic/
銳駿,創(chuàng)意無限
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Q403920015
LV.6
10
2015-03-04 15:12
這種工藝別的牌子早就有了哦
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老梁頭
LV.10
11
2015-03-04 18:21
@sky.yao
銳駿,創(chuàng)意無限[圖片]
謝謝大家的支持!如有有意向可以聯(lián)系銳俊半導體申請樣片試用。
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ximeng
LV.6
12
2015-03-06 16:37
@老梁頭
內(nèi)絕緣TO-220SMOSFET的可靠性1.IOL功率循環(huán)可靠性試驗,RUPAK(TO220S)沿用半包封TO220的通用試驗條件(VDS=21V,VG=1V,3.5minon/off,4286cys,管腳溫度約110度),TO220S型號均能通過500hrs可靠性測試2.到2014年12月為止,總計出貨超過1.3KKPCSTO-220S封裝,無異常反饋TO-220S產(chǎn)品列表[圖片]**以上所有產(chǎn)品的絕緣耐壓等級:大于1500VAC,100%測試。**如果您對以上產(chǎn)品感興趣,可與銳駿半導體聯(lián)系,申請您所需要產(chǎn)品的樣品。**銳駿半導體可根據(jù)市場需要,設計生產(chǎn)更多TO-220S內(nèi)絕緣封裝產(chǎn)品。有您的支持與陪伴,我們將更加專注于產(chǎn)品的創(chuàng)新,盡我所能,為您做到最好,我們將以此回報您!深圳市銳駿半導體有限公司深圳總部電話:0755-82907976  傳真:0755-83114278E-mail:Sales-SZ@ruichips.com 網(wǎng)址:http://www.ruichips.com電源網(wǎng)銳駿版塊:http://www.e-ticket.cn/bbs/ruichips/ 通訊地址:深圳市南山區(qū)高新中一道2號長園新材料港8棟4樓郵編:518057最后感謝大家對銳駿半導體的支持!
希望大管子也做成這種方式,簡化散熱片安裝方式
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hfaqdz
LV.2
13
2015-03-07 10:28
@fsxqw
恭喜銳駿又出新品!

找個沙發(fā)坐坐

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cyfeng24
LV.5
14
2015-03-09 20:55
@老梁頭
TO-220熱阻從上面的裝配工藝看,內(nèi)絕緣新型TO-220SMOSFET相當于把傳統(tǒng)型TO-220ABMOSFET安裝在HeatSink上時的絕緣片做到了MOS管內(nèi)部,因此導致結溫到Case的熱阻變大,但卻因安裝在HeatSink時不再需要絕緣片而降低了Case到HeatSink的熱阻,只要我們能在以下幾個條件下測試HeatSink上的溫度就能說明那種封裝的總熱阻?。?.使用同一芯片而采用不同的封裝形式;2.在同一時間內(nèi)消耗同樣的功率;3.使同一個HeatSink;4.一個密閉的環(huán)境內(nèi);最終HeatSink溫度越高的說明熱量越容易傳遞到HeatSink,證明總熱阻越小[圖片]三種MOS封裝實驗對比為了對比TO-220AB,TO-220F和絕緣版TO-220SMOSFET的散熱性能(熱阻),我們請研發(fā)工程師做如下實驗條件1:使用同一芯片而采用不同的封裝形式,我們使用同一芯片封成以下三種形式:[圖片]條件2:在同一時間內(nèi)消耗同樣的功率,為了能使MOSFET消耗同樣的功率,我們需要設計一個恒功率的電路,如下電路圖:[圖片]此電路中我們設置:電源Vcc=18.11V電流Id=0.5A,因此,MOSFET消耗的功率為:P=(18.11-0.11)*Id=9W條件3:一個密閉的環(huán)境內(nèi)我們采用的是一個小紙盒,尺寸如下:長*寬*高=130mm*100mm*55mm[圖片]首先,我們按照條件2調試好電源電壓和流過MOSFET的電流,如下圖:[圖片]電源電壓設置為18.11V,調整電路參數(shù)使得流過MOS管的電流Id=0.5A,因此,此時MOSFET共消耗的功率為:P=(18.11-0.11)*Id=9W其次,分別換裝不同的MOSFET并按照相同的方式粘貼溫度檢測線,其中傳統(tǒng)的TO-220我們采用了兩種不同的絕緣片,分別為:第一種:市面上最常見的硅膠絕緣片,厚度0.3mm;溫度線粘貼如下圖:[圖片]CH1:漏極(2腳)溫度CH2:MOS管漏極HSCH3:總HS溫度CH4:環(huán)境溫度第二種:目前電動自行車控制器常用的黃色絕緣片,厚度0.08mm。溫度線粘貼如下圖:[圖片]CH1:漏極(2腳)溫度CH2:MOS管漏極HSCH3:總HS溫度CH4:環(huán)境溫度換裝全包封TO-220F時的溫度線粘貼圖片注意:為了以后能和其他MOSFET有效對比漏極HS的溫度CH2測試點的環(huán)氧樹脂需要被處理掉![圖片]CH1:漏極(2腳)溫度CH2:MOS管漏極HSCH3:總HS溫度CH4:環(huán)境溫度換裝絕緣版TO-220S時的溫度線粘貼圖片[圖片]CH1:漏極(2腳)溫度CH2:MOS管漏極HSCH3:總HS溫度CH4:環(huán)境溫度最后均按照下面的方式放入條件4中的小紙盒內(nèi),測試前折疊好紙盒并通過溫度測試儀保存每種狀態(tài)的溫度數(shù)據(jù)。[圖片]最后見證奇跡的時刻到了考慮實驗誤差的情況下,4種情況下管腳2的溫度幾乎差不多(幾種封裝的管腳2與晶圓的熱阻幾乎相同)。[圖片]實驗結果可以看出:半包封TO-220ABMOSFET+黃色絕緣片的散熱效果最好,其次是內(nèi)絕緣TO-220SMOSFET,然后是半包封TO-220ABMOSFET+藍色絕緣片,最差的是全包封TO-220FMOSFET。所以內(nèi)絕緣TO-220SMOSFET的散熱性能比全包封TO-220F好,介于半包封TO-220AB+黃色絕緣片和藍色絕緣片之間。該結果符合理論上的熱阻計算。[圖片]
第二種:電動自行車控制器常用的黃色絕緣片,厚度0.08mm。這種叫什么絕緣片?是不是有一面背膠的。
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hfaqdz
LV.2
15
2015-03-10 10:23
@cyfeng24
第二種:電動自行車控制器常用的黃色絕緣片,厚度0.08mm。這種叫什么絕緣片?是不是有一面背膠的。
黃金紙、導熱硅膠片也有黃色!可以有粘性也可以沒有。背膠既有。。。。。。。。。。。。。。參考
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老梁頭
LV.10
16
2015-03-10 20:16
@cyfeng24
第二種:電動自行車控制器常用的黃色絕緣片,厚度0.08mm。這種叫什么絕緣片?是不是有一面背膠的。
聚酯薄膜類的,不帶背膠。
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jy427528
LV.2
17
2015-03-11 17:01
我以前做的一款逆變電源里,用的陶瓷絕緣片,效果也不錯。
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tai1213
LV.4
18
2015-03-22 22:09
@老梁頭
謝謝大家的支持!如有有意向可以聯(lián)系銳俊半導體申請樣片試用。
想申請20個RU1H140R3試試~有什么要求沒?
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zhouqh1
LV.2
19
2015-03-29 21:04
@老梁頭
內(nèi)絕緣TO-220SMOSFET的可靠性1.IOL功率循環(huán)可靠性試驗,RUPAK(TO220S)沿用半包封TO220的通用試驗條件(VDS=21V,VG=1V,3.5minon/off,4286cys,管腳溫度約110度),TO220S型號均能通過500hrs可靠性測試2.到2014年12月為止,總計出貨超過1.3KKPCSTO-220S封裝,無異常反饋TO-220S產(chǎn)品列表[圖片]**以上所有產(chǎn)品的絕緣耐壓等級:大于1500VAC,100%測試。**如果您對以上產(chǎn)品感興趣,可與銳駿半導體聯(lián)系,申請您所需要產(chǎn)品的樣品。**銳駿半導體可根據(jù)市場需要,設計生產(chǎn)更多TO-220S內(nèi)絕緣封裝產(chǎn)品。有您的支持與陪伴,我們將更加專注于產(chǎn)品的創(chuàng)新,盡我所能,為您做到最好,我們將以此回報您!深圳市銳駿半導體有限公司深圳總部電話:0755-82907976  傳真:0755-83114278E-mail:Sales-SZ@ruichips.com 網(wǎng)址:http://www.ruichips.com電源網(wǎng)銳駿版塊:http://www.e-ticket.cn/bbs/ruichips/ 通訊地址:深圳市南山區(qū)高新中一道2號長園新材料港8棟4樓郵編:518057最后感謝大家對銳駿半導體的支持!
司令你好!那個RU6099怎么申請?單價多少?有沒起批量限制?
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老梁頭
LV.10
20
2015-03-30 10:09
@zhouqh1
司令你好!那個RU6099怎么申請?單價多少?有沒起批量限制?
你好!你可以聯(lián)系我們銳駿半導體 通訊地址: 廣東省深圳市南山區(qū) 南山區(qū)高新中一道2號長園新材料港8棟4樓 郵政編碼: 518049 聯(lián)系電話: (86-0755) 8290-7976 公司傳真: (86-0755) 8311-4278 E-mail: Sale-SZ@ruichips.com 網(wǎng)址:http://www.ruichips.com/ 上海辦事處 通訊地址: 上海市閔行區(qū)萃莊鎮(zhèn)疏影路789弄寶安新苑59號602室 聯(lián)系電話: (86-021)3201-3632 也可以加入群263357080或者留下你的聯(lián)系方式
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sky.yao
LV.2
21
2015-03-30 16:47
@jy427528
我以前做的一款逆變電源里,用的陶瓷絕緣片,效果也不錯。
成本得多高?。。?!
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sky.yao
LV.2
22
2015-03-30 16:48
@zhouqh1
司令你好!那個RU6099怎么申請?單價多少?有沒起批量限制?
請聯(lián)系13509637655  姚先生
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sky.yao
LV.2
23
2015-03-30 16:48
@tai1213
想申請20個RU1H140R3試試~有什么要求沒?
可以聯(lián)系我,13509637655  姚先生
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bpyanyu
LV.8
24
2015-04-02 09:19
@老梁頭
銳駿半導體通過不斷的研究創(chuàng)新,研發(fā)出新型的內(nèi)絕緣MOSFET–TO-220S封裝;TO-220S–內(nèi)絕緣MOSFET:就是使用特殊的封裝工藝將承載芯片的框架與MOS管背部散熱片相互隔離的一種新型封裝,最終目的是將MOS管的漏極與其背部散熱片之間達到電氣隔離;目前銳駿推出的TO-220S封裝的絕緣耐壓等級為高于1500V,并保證100%測試(VISO=150VAC,Time=0.8s,ISOL
原來散熱片和中間的腳是一個整體,現(xiàn)在是把他們分開然后增加了絕緣是吧?
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老梁頭
LV.10
25
2015-04-02 15:04
@bpyanyu
原來散熱片和中間的腳是一個整體,現(xiàn)在是把他們分開然后增加了絕緣是吧?
基本是這個原理,但工藝不是很簡單的
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samsung陳
LV.8
26
2015-05-09 15:47
@老梁頭
TO-220熱阻從上面的裝配工藝看,內(nèi)絕緣新型TO-220SMOSFET相當于把傳統(tǒng)型TO-220ABMOSFET安裝在HeatSink上時的絕緣片做到了MOS管內(nèi)部,因此導致結溫到Case的熱阻變大,但卻因安裝在HeatSink時不再需要絕緣片而降低了Case到HeatSink的熱阻,只要我們能在以下幾個條件下測試HeatSink上的溫度就能說明那種封裝的總熱阻?。?.使用同一芯片而采用不同的封裝形式;2.在同一時間內(nèi)消耗同樣的功率;3.使同一個HeatSink;4.一個密閉的環(huán)境內(nèi);最終HeatSink溫度越高的說明熱量越容易傳遞到HeatSink,證明總熱阻越小[圖片]三種MOS封裝實驗對比為了對比TO-220AB,TO-220F和絕緣版TO-220SMOSFET的散熱性能(熱阻),我們請研發(fā)工程師做如下實驗條件1:使用同一芯片而采用不同的封裝形式,我們使用同一芯片封成以下三種形式:[圖片]條件2:在同一時間內(nèi)消耗同樣的功率,為了能使MOSFET消耗同樣的功率,我們需要設計一個恒功率的電路,如下電路圖:[圖片]此電路中我們設置:電源Vcc=18.11V電流Id=0.5A,因此,MOSFET消耗的功率為:P=(18.11-0.11)*Id=9W條件3:一個密閉的環(huán)境內(nèi)我們采用的是一個小紙盒,尺寸如下:長*寬*高=130mm*100mm*55mm[圖片]首先,我們按照條件2調試好電源電壓和流過MOSFET的電流,如下圖:[圖片]電源電壓設置為18.11V,調整電路參數(shù)使得流過MOS管的電流Id=0.5A,因此,此時MOSFET共消耗的功率為:P=(18.11-0.11)*Id=9W其次,分別換裝不同的MOSFET并按照相同的方式粘貼溫度檢測線,其中傳統(tǒng)的TO-220我們采用了兩種不同的絕緣片,分別為:第一種:市面上最常見的硅膠絕緣片,厚度0.3mm;溫度線粘貼如下圖:[圖片]CH1:漏極(2腳)溫度CH2:MOS管漏極HSCH3:總HS溫度CH4:環(huán)境溫度第二種:目前電動自行車控制器常用的黃色絕緣片,厚度0.08mm。溫度線粘貼如下圖:[圖片]CH1:漏極(2腳)溫度CH2:MOS管漏極HSCH3:總HS溫度CH4:環(huán)境溫度換裝全包封TO-220F時的溫度線粘貼圖片注意:為了以后能和其他MOSFET有效對比漏極HS的溫度CH2測試點的環(huán)氧樹脂需要被處理掉![圖片]CH1:漏極(2腳)溫度CH2:MOS管漏極HSCH3:總HS溫度CH4:環(huán)境溫度換裝絕緣版TO-220S時的溫度線粘貼圖片[圖片]CH1:漏極(2腳)溫度CH2:MOS管漏極HSCH3:總HS溫度CH4:環(huán)境溫度最后均按照下面的方式放入條件4中的小紙盒內(nèi),測試前折疊好紙盒并通過溫度測試儀保存每種狀態(tài)的溫度數(shù)據(jù)。[圖片]最后見證奇跡的時刻到了考慮實驗誤差的情況下,4種情況下管腳2的溫度幾乎差不多(幾種封裝的管腳2與晶圓的熱阻幾乎相同)。[圖片]實驗結果可以看出:半包封TO-220ABMOSFET+黃色絕緣片的散熱效果最好,其次是內(nèi)絕緣TO-220SMOSFET,然后是半包封TO-220ABMOSFET+藍色絕緣片,最差的是全包封TO-220FMOSFET。所以內(nèi)絕緣TO-220SMOSFET的散熱性能比全包封TO-220F好,介于半包封TO-220AB+黃色絕緣片和藍色絕緣片之間。該結果符合理論上的熱阻計算。[圖片]

這個貼中有兩幅圖是一樣的,看介紹應該有一張是采用藍色的絕緣墊的,是不是上錯圖了?

不過個人認為,220F封裝和片內(nèi)絕緣應該可以做到同一散熱效果,或者更好,片內(nèi)絕緣是焊接硅片底板和散熱片有一層絕緣層,這個絕緣層必須保證導熱效果,還要保證絕緣。如果220F封裝的做大焊接硅片的底板,然后,外封絕緣層厚度降到和片內(nèi)絕緣的絕緣層一樣的厚度,一樣的導熱效果,那會是什么樣的效果

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老梁頭
LV.10
27
2015-05-10 21:16
@samsung陳
這個貼中有兩幅圖是一樣的,看介紹應該有一張是采用藍色的絕緣墊的,是不是上錯圖了?不過個人認為,220F封裝和片內(nèi)絕緣應該可以做到同一散熱效果,或者更好,片內(nèi)絕緣是焊接硅片底板和散熱片有一層絕緣層,這個絕緣層必須保證導熱效果,還要保證絕緣。如果220F封裝的做大焊接硅片的底板,然后,外封絕緣層厚度降到和片內(nèi)絕緣的絕緣層一樣的厚度,一樣的導熱效果,那會是什么樣的效果
是上錯了,應該是硅膠片的
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