EMI降低技術(shù)
下面所述的變壓器結(jié)構(gòu)技術(shù)用于降低EMI：
? 使初級(jí)繞組作為骨架最里面的繞組。
? 初級(jí)繞組的起始端連接至TOPSwitch的漏極。
? 對(duì)于使用次級(jí)側(cè)穩(wěn)壓的變壓器設(shè)計(jì)，將偏置繞組放置在初級(jí)和次級(jí)繞組之間，作為一個(gè)屏蔽層。
其它的EMI/RFI降低技術(shù)包括在初級(jí)和次級(jí)繞組之間增加屏蔽以及增加用于降低變壓器周圍雜散場(chǎng)的“磁通量抑制帶”。變壓器中位于初級(jí)和次級(jí)之間的屏蔽層用于降低初級(jí)和次級(jí)之間的共模噪聲的電容耦合。屏蔽層即可以初級(jí)高壓供電端為參考，也可以初級(jí)返回端為參考。圖11所示為典型的具有屏蔽層的變壓器結(jié)構(gòu)。最經(jīng)濟(jì)的屏蔽形式為采用導(dǎo)線來(lái)繞制屏蔽層。變壓器中增加屏蔽層時(shí)采用這種屏蔽方式的步驟非常簡(jiǎn)單，只要使一個(gè)繞組平鋪至骨架的整個(gè)寬度就可以了。屏蔽繞組的一端連接至初級(jí)返回端或初級(jí)V+供電端，而繞組的另一端懸空，并使用膠帶絕緣，使其埋藏在變壓器內(nèi)部，不要連接至任何引腳上。繞制屏蔽層時(shí)所使用的線徑要選擇合適，為減低屏蔽繞組的圈數(shù)，可以使用較大尺寸的導(dǎo)線。而使用相對(duì)較小尺寸的導(dǎo)線便于將其端接至變壓器的引腳上。 對(duì)于中小尺寸的變壓器，合理的導(dǎo)線線徑為24-27AWG的導(dǎo)線。
在某些情況下，開(kāi)關(guān)電源變壓器周圍的雜散磁場(chǎng)會(huì)對(duì)鄰近電路構(gòu)成干擾，進(jìn)而產(chǎn)生EMI問(wèn)題。為降低此類雜散磁場(chǎng)的影響，在變壓器的外圍可以增加一圈銅制的“磁通屏蔽帶”，如圖12所示。對(duì)于變壓器繞組和磁芯形成的磁路以外的雜散磁通來(lái)說(shuō)，“磁通屏蔽帶”的作用 相當(dāng)于對(duì)其進(jìn)行短路。雜散磁場(chǎng)會(huì)在磁通屏蔽帶內(nèi)產(chǎn)生相反的電流，可以部分地抵消其影響。如有必要，磁通屏蔽帶還可以連接至初級(jí)返回端，以降低靜電耦合的 干擾。如果使用了磁通屏蔽帶，必須注意初級(jí)引腳通過(guò)磁通屏蔽帶至次級(jí)引腳之間，要保證足夠的爬電距離。更多信息請(qǐng)參見(jiàn)AN-15中關(guān)于EMI降低技術(shù)的描述。
