首先說一下電源IC直接驅(qū)動(dòng)，下圖是我們最常用的直接驅(qū)動(dòng)方式，在這類方式中，我們由于驅(qū)動(dòng)電路未做過多處理，因此我們進(jìn)行PCB  LAYOUT時(shí)要盡量進(jìn)行優(yōu)化。如縮短IC至MOSFET的柵極走線長度，增加走線寬度，盡量將Rg放置在離MOSFET柵極較進(jìn)的位置，從而達(dá)到減少寄生電感，消除噪音的目的。

當(dāng)然另一個(gè)問題我們得考慮，那就是PWM  CONTROLLER的驅(qū)動(dòng)能力，當(dāng)MOSFET較大時(shí)，IC驅(qū)動(dòng)能力較小時(shí)，會(huì)出現(xiàn)驅(qū)動(dòng)過慢，開關(guān)損耗過大甚至不能驅(qū)動(dòng)的問題，這點(diǎn)我們?cè)谠O(shè)計(jì)時(shí)需要注意。

當(dāng)然，對(duì)于IC內(nèi)部驅(qū)動(dòng)能力不足的問題我們也可以采用下面的方法來解決。

這種增加驅(qū)動(dòng)能力的方式不僅增加了導(dǎo)通時(shí)間，還可以加速關(guān)斷時(shí)間，同時(shí)對(duì)控制毛刺及功率損耗由一定的效果。當(dāng)然這個(gè)我們?cè)贚AYOUT時(shí)要盡量將這兩個(gè)管子放的離MOSFET柵極較近的位置。這樣做的好處還有減少了寄生電感，提高了電路的抗干擾性。

如果我們單單要增加MOSFET的關(guān)斷速度，那么我們可以采用下面的方式來進(jìn)行。

關(guān)斷電流比較大時(shí)，能使MOSFET輸入電容放電速度更快，從而降低關(guān)斷損耗。大的放電電流可以通過選擇低輸出阻抗的MOSFET或N溝道的負(fù)的截止的電壓器件來實(shí)現(xiàn)，最常用的就是加加速二極管。

柵極關(guān)斷時(shí)，電流在電阻上產(chǎn)生的壓降大于二極管導(dǎo)通壓降時(shí)，這時(shí)二極管會(huì)導(dǎo)通，從而將電阻進(jìn)行旁路，導(dǎo)通后，隨著電流的減小，二極管在電路中的作用越來越小，該電路作用會(huì)顯著的減小MOSFET關(guān)斷的延遲時(shí)間。

當(dāng)然這個(gè)電路有一定的缺點(diǎn)，那就是柵極的電流仍然需要留過IC內(nèi)部的輸出驅(qū)動(dòng)阻抗，這有什么辦法解決呢？

多謝各位關(guān)注，剛剛開貼，從簡單到復(fù)雜，先粗略整理發(fā)上來，后續(xù)內(nèi)容還會(huì)比較多，先看看各位大俠的觀點(diǎn)，等帖子最終完成后會(huì)將帖子內(nèi)容及各位的討論整理成文檔供大家參考。

后續(xù)會(huì)加入保護(hù)電路的，基本每兩個(gè)工作日會(huì)保證一次更新，歡迎大家將自己柵極驅(qū)動(dòng)、加速、保護(hù)、自舉等的相關(guān)電路也上傳上來，共同學(xué)習(xí)進(jìn)步。

再來談以下PNP加速關(guān)斷電路

PNP加速關(guān)斷電路是目前應(yīng)用最多的電路，在加速三級(jí)管的作用下可以實(shí)現(xiàn)瞬間的柵源短路，從而達(dá)到最短的放電時(shí)間，之所以加二極管一方面是保護(hù)三級(jí)管基極，另一方面是為導(dǎo)通電流提供回路及偏置，該電路的優(yōu)點(diǎn)為可以近似達(dá)到推拉的效果加速效果明顯，缺點(diǎn)為柵極由于經(jīng)過兩個(gè)PN節(jié)，不能是柵極真正的達(dá)到0伏。

當(dāng)源極輸出為高電壓的情況先，我們需要采用偏置電路達(dá)到電路工作的目的，既我們以源極為參考點(diǎn)，搭建偏置電路，驅(qū)動(dòng)電壓在兩個(gè)電壓之間波動(dòng)，驅(qū)動(dòng)電壓偏差由低電壓提供，如下圖所示。

當(dāng)然，這個(gè)圖有點(diǎn)問題，不知道有沒有哪位大俠看出來？歡迎指正

問題就是“驅(qū)動(dòng)電源”需要懸浮，要以MOS的源極共“地”。

營長你好，上傳一個(gè)實(shí)際的自舉逆變圖，供參考。

多謝連長關(guān)注，回頭我會(huì)持續(xù)更新。

能否將您的心得及驅(qū)動(dòng)相關(guān)資料上傳供大家學(xué)習(xí)呢，先代表大伙謝謝你了

這個(gè)是正確的圖紙。供各位參考

請(qǐng)樓主回復(fù)分享下PMOS的驅(qū)動(dòng)電路，關(guān)斷，及對(duì)應(yīng)的如NMOS設(shè)計(jì)參數(shù)

為了滿足安全隔離的要求或者提供高端浮動(dòng)?xùn)艠O驅(qū)動(dòng)經(jīng)常會(huì)采用變壓器驅(qū)動(dòng)。這種驅(qū)動(dòng)將驅(qū)動(dòng)控制和MOSFET進(jìn)行了隔離，可以應(yīng)用到低壓及高壓電路中去，如下圖所示

變壓器驅(qū)動(dòng)說白了就是隔離驅(qū)動(dòng)，當(dāng)然現(xiàn)在也有專門的驅(qū)動(dòng)IC可以解決，但變壓器驅(qū)動(dòng)有自己的特點(diǎn)使得很多人一直在堅(jiān)持用。

圖中耦合電容的作用是為磁化的磁芯提供復(fù)位電壓，如果沒有這個(gè)電容，會(huì)出現(xiàn)磁飽和。

與電容串聯(lián)的電阻的作用是為了防止占空比突然變化形成LC的震蕩，因此加這個(gè)電阻進(jìn)行緩解。

1：變壓器絕緣要做好。

2：減少漏感。

3；確保不出現(xiàn)直流分量，防止磁飽和。

4：注意磁復(fù)位時(shí)間。