Cool mos 在IC內(nèi)封中的運(yùn)用
1,市場(chǎng)需要IC的外圍零件越少越好, 所以 30w 以下的電源IC 普遍采用 內(nèi)封mos .
2, IC 內(nèi)封mos , 需要晶圓體積小, Rdson 小, 電流大。所以 Cool mos 正好滿足了這個(gè)要求。
3,Cool MOS 內(nèi)封IC ,也有他的缺點(diǎn), 相對(duì)平面mos , cool mos EMI;電流沖擊比較難過。
4,Hunteck Cool mos 在設(shè)計(jì)中,針對(duì)以上兩點(diǎn)做了長足的改善。大電流開關(guān)技術(shù)改善了電流沖擊, 開關(guān)平滑技術(shù)改善了EMI.
恒泰柯中壓高壓MOS和IGBT技術(shù).pdf