Cool mos 在IC內(nèi)封中的運(yùn)用

1，市場(chǎng)需要IC的外圍零件越少越好， 所以 30w 以下的電源IC 普遍采用 內(nèi)封mos . 

2, IC 內(nèi)封mos , 需要晶圓體積小， Rdson 小， 電流大。所以 Cool mos 正好滿足了這個(gè)要求。

3，Cool MOS 內(nèi)封IC ,也有他的缺點(diǎn)， 相對(duì)平面mos ， cool mos EMI；電流沖擊比較難過(guò)。

 4，Hunteck Cool mos 在設(shè)計(jì)中，針對(duì)以上兩點(diǎn)做了長(zhǎng)足的改善。大電流開(kāi)關(guān)技術(shù)改善了電流沖擊， 開(kāi)關(guān)平滑技術(shù)改善了EMI.