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反激+同步整流 效率提不上來

做的5V5A的一個電源,用的是LD7575+SP6018,原理圖如下:

原理圖

原邊開關管用的是12N65(12A650V),同步MOS是ST的P75NF75。

帶滿負載5V5A時,輸入功率33W,板邊效率才75.7%,和我之前用肖特基整流相比沒提高多少。

然后我懷疑同步MOS沒有正常驅動,就把SP6018的驅動輸出先斷開,再測,發(fā)現(xiàn)輸入功率多了差不多3W左右。證明MOS應該被驅動了。

為了再進一步確認驅動是否正常,用示波器看了波形,圖如下:

這個是220V輸入,輕負載時的波形。黃色 是驅動波形,藍色是D-S波形。

IMG_0754

下面這個是220V輸入,滿負載(5V5A)時的波形。黃色Vgs , 藍色Vds

IMG_0752

下面這個是110V輸入,滿載5V5A時的波形。藍色Vgs, 紫色Vds。

IMG_0755

從波形上看同步MOS應該是被驅動了的呀,那么為什么效率卻還是沒提高到理想的高度。是MOS選的不合適還我的電路其它地方還有問題。

請大神解惑,成分感謝。

以下是5月8號添加

重新計算變壓器如下,公式是論壇里總結的那個《反激-技術攻略》上的。

變壓器計算1

功率不大,想直接用不連續(xù)模式做不知道怎么樣。

若是做成跨模式工作的話,要怎么去確定參數(shù)呢?

請大神賜教。

全部回復(29)
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2015-04-27 10:09
已經(jīng)被添加到社區(qū)經(jīng)典圖庫嘍
http://www.e-ticket.cn/bbs/classic/
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2015-04-27 10:44
看你這個  波形好像不對  在同步整流的時候
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2015-04-27 12:05
@攻城人員
看你這個 波形好像不對 在同步整流的時候
能否指出是什么地方不對呀,我第一次做同步整流,不怎么清楚
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2015-04-27 13:51
@那個誰200
能否指出是什么地方不對呀,我第一次做同步整流,不怎么清楚
我給你看下我做的  
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jianyedin
LV.9
6
2015-04-27 15:17
IR沒有75N75的管子,你買到假貨了吧
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2015-04-27 15:38
@攻城人員
我給你看下我做的 
怎么看呀,貼幾個圖上來吧。
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2015-04-27 15:43
@jianyedin
IR沒有75N75的管子,你買到假貨了吧
看錯了,是ST的P75NF75,另外的機子上用了IR的管子,搞混了
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2015-04-28 09:29
5V輸出用75V13m歐的管子,耐壓選高了,內阻選高了
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2015-04-28 09:40
@qinzutaim
5V輸出用75V13m歐的管子,耐壓選高了,內阻選高了[圖片]
剛好有現(xiàn)成的,就用上去了,內阻不是越低越好的么?還是有什么別的講究呀?
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2015-04-28 09:47
@那個誰200
剛好有現(xiàn)成的,就用上去了,內阻不是越低越好的么?還是有什么別的講究呀?
搞錯了,已經(jīng)改過來,應該是內阻也選高了
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2015-04-28 10:15
@qinzutaim
搞錯了,已經(jīng)改過來,應該是內阻也選高了[圖片]
那一般做5V的電源,同步整流的MOS導通內阻是要用多大的比較合適呀。通常是怎么選同步整流MOS的,真心請教。
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2015-04-28 10:35
@那個誰200
怎么看呀,貼幾個圖上來吧。
怎么我回復你的帖子老是被刪掉?
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2015-04-28 11:04
@攻城人員
怎么我回復你的帖子老是被刪掉?
不知道哦,是不是你的回復內容里有敏感內容發(fā)不出來啊
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2015-04-28 13:58
@那個誰200
那一般做5V的電源,同步整流的MOS導通內阻是要用多大的比較合適呀。通常是怎么選同步整流MOS的,真心請教。

同步整流的損耗是相對于其他二極管整流而言的,這就要求整流MOS兩端電壓降不能高于其他整流用的二極管.

比如你用0.5V壓降的肖特基,要想改用同步整流,MOS損耗要比它低,必須要求整流期間MOS的電壓降(=通過MOS的電流有效值*MOS的導通內阻*溫度系數(shù))小于0.5V,才有提高整流效率的作用.

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jianyedin
LV.9
16
2015-04-28 14:06
@那個誰200
剛好有現(xiàn)成的,就用上去了,內阻不是越低越好的么?還是有什么別的講究呀?
ST的75N75不適合做同步整流,體內二極管太慢了。
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2015-04-28 15:31
@jianyedin
ST的75N75不適合做同步整流,體內二極管太慢了。
嗯,正在找別的管子來試。謝謝了。
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2015-04-28 15:32
@qinzutaim
同步整流的損耗是相對于其他二極管整流而言的,這就要求整流MOS兩端電壓降不能高于其他整流用的二極管.比如你用0.5V壓降的肖特基,要想改用同步整流,MOS損耗要比它低,必須要求整流期間MOS的電壓降(=通過MOS的電流有效值*MOS的導通內阻*溫度系數(shù))小于0.5V,才有提高整流效率的作用.
我去找別的管子來再測試。謝謝了。
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2015-04-29 08:34

昨天換了MOS SPN80T06 再次測試,這個是供應商給的DEMO電路中用的,這個內阻比ST 的75NF75小了幾mR,發(fā)現(xiàn)效率也就只是高了零點幾而已。

波形和之前的基本一樣。

難道不是MOS上的損耗?還是因為MOS關斷之后那個振蕩的損耗?

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2015-04-29 08:38
@那個誰200
不知道哦,是不是你的回復內容里有敏感內容發(fā)不出來啊
你直接私信我
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2015-04-29 08:38
@那個誰200
昨天換了MOSSPN80T06再次測試,這個是供應商給的DEMO電路中用的,這個內阻比ST的75NF75小了幾mR,發(fā)現(xiàn)效率也就只是高了零點幾而已。波形和之前的基本一樣。難道不是MOS上的損耗?還是因為MOS關斷之后那個振蕩的損耗?
調整一下死區(qū)時間看看.
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2015-04-29 09:53
@qinzutaim
調整一下死區(qū)時間看看.
是說同步MOS驅動提前關斷的那個時間么?我去試試
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2015-04-29 10:23
@qinzutaim
調整一下死區(qū)時間看看.
加大死區(qū)的話,效率又降了一點,減小死區(qū)可以提高一點點,現(xiàn)在用來調節(jié)死區(qū)的那個電容只用33pF的了,再小的話怕會出問題,小得太極限了也不適合量產(chǎn)。
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2015-04-30 09:05
@那個誰200
加大死區(qū)的話,效率又降了一點,減小死區(qū)可以提高一點點,現(xiàn)在用來調節(jié)死區(qū)的那個電容只用33pF的了,再小的話怕會出問題,小得太極限了也不適合量產(chǎn)。
能看看你的實物嗎?
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2015-04-30 19:18
@攻城人員
能看看你的實物嗎?
昨天寄過去給芯片技術支持的幫調了,東西沒在手上了。不好意思,不過等東西回來了可以拍照發(fā)上來。
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洪七公
LV.9
26
2015-05-04 21:39

還可以改版不?找我們吧,效率 89%左右電源,變壓器PQ2016或RM8,初級mosfet 用到8N60就差不多了。

你這要重新設計,你這變壓器都用PQ3220,mosfet 用12N65,這么高成本做5V10A都夠了,完全可以做出89%左右的電源,。

5V5A 你要的高低壓輸入OCP恒流點要控制在多少以內?如果要求500mA以內,估計運放電路都可以給你省了。

現(xiàn)在留個聯(lián)系方法都被刪貼,很少來逛了,若有需要測試樣機 demo,可以短信聯(lián)系。su

有測試報告,不過貼上來估計就會被刪,所以私下聯(lián)系吧。

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ke可可
LV.5
27
2015-07-14 19:27
反激做低壓大電流的同步整流有點不合適,我之前和同學也做了一個反激同步整流,電壓電流等級差不多,電路圖比這個簡單,效率也上不去。之后用正激同步整流做6V 5A 的效率達到91%
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chuangmao
LV.7
28
2015-11-17 18:46
@ke可可
反激做低壓大電流的同步整流有點不合適,我之前和同學也做了一個反激同步整流,電壓電流等級差不多,電路圖比這個簡單,效率也上不去。之后用正激同步整流做6V5A的效率達到91%
9V 12A 全電壓輸入,PQ3220磁芯,高壓220V做到12A輸出,滿載91.0%,半載92.0%。低壓110V做到11A輸出,滿載89.5%,半載91.5%。
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2016-03-17 21:11
@chuangmao
9V12A全電壓輸入,PQ3220磁芯,高壓220V做到12A輸出,滿載91.0%,半載92.0%。低壓110V做到11A輸出,滿載89.5%,半載91.5%。
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趙隆宇
LV.3
30
2016-05-20 20:59
考慮下芯片是不是正品,尤其是同步整流的MOS質量是非常重要的。我年初調試了個PI INN2005K 5V4.5A開始效率怎么都只有82~84%最后把MOS換成正品廠家的。效率90%
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