常見報警的區(qū)域及解決辦法:
1) BM—磁芯磁通密度。為了避免磁芯飽和,磁通密度不能高于3000Gauss。通過增加次級繞組圈數(shù)Ns,增大反射電壓VOR,加大磁芯尺寸,或選擇更大功率處理能力的芯片等措施可以降低磁通密度。
2) LG—磁芯氣隙長度。LG小于0.1mm不便于加工。通過增加Ns,增大VOR,或選用AE值更大的磁芯來增大LG。
3) CMA—導線載流密度。一般要求200
常見報警的區(qū)域及解決辦法:
1) BM—磁芯磁通密度。為了避免磁芯飽和,磁通密度不能高于3000Gauss。通過增加次級繞組圈數(shù)Ns,增大反射電壓VOR,加大磁芯尺寸,或選擇更大功率處理能力的芯片等措施可以降低磁通密度。
2) LG—磁芯氣隙長度。LG小于0.1mm不便于加工。通過增加Ns,增大VOR,或選用AE值更大的磁芯來增大LG。
3) CMA—導線載流密度。一般要求200