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請教:DC-DC自激開關(guān)電源原理詳解

power

 

各位高手,

    上圖是驅(qū)動MOSFET的電源,是否有高手幫我(菜鳥)解釋一下這個開關(guān)電路的工作原理?

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txsxt
LV.2
2
2015-05-24 21:15

這就是個buck。

要寫的話,一兩句話說不清楚。建議你搭仿真電路自己看看。仿真要加上輸出負載,L100要賦值,L100可取100uH,負載100ohm。

基本原理:P管Q100是主開關(guān)管,D101是續(xù)流二極管,L100主電感。C100和C103是輸入輸出電容。 其他元件都是控制Q100開關(guān)的。

一開始P管導通,給輸出充電,到15V后,D102觸發(fā)使P管關(guān)閉,L100上 的電流通過D101續(xù)流到副邊,輸出負載放電使輸出小于15V之后,P管再次啟動,從復(fù)上面的過程,使得輸出維持在15V。

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2015-05-25 10:50
已經(jīng)被添加到社區(qū)經(jīng)典圖庫嘍
http://www.e-ticket.cn/bbs/classic/
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2015-05-25 19:02

我把自己理解的原理寫出來,希望大家指出不對的地方。

Q100導通的時候:

1、L100上的電流增加,同時輸出電壓也升高,此時Q101導通為Q100提供足夠的基極電流;

2、隨著輸出電壓的升高,R108、R109的分壓也隨之升高,經(jīng)過D102的電流使Q102的Vce逐漸下降,即Q101的Vbe逐漸下降,Q101的Ice(也就是Q100的Ib)也隨之下降;

3、當Q100的Ib減小到不足以使Q100完全導通的時候,Vce變大,C極的電壓下降一點點,這一點點的電壓下降使得電容C102放電;

4、C102放電使得Q101的基極電壓Vb下降,Ice隨之減小,Q100的導通進一步變差,C極的電壓也進一步下降;

5、如此的反饋導致Q100、Q101迅速關(guān)斷,Q100的C極電壓下降到0V附件;

 

Q100關(guān)斷的時候:

1、L100上的電流經(jīng)續(xù)流二極管D101繼續(xù)為負載供電,其電流逐漸減小,輸出端的電壓也隨之下降;

2、Q101處于關(guān)閉狀態(tài),R108、R109的分壓逐漸下降,使Q102的Vce逐漸上升;

3、當Q102的Vce上升到Q101開始導通一點點,Q100隨之即開始導通,C極電壓有所上升;

4、Q100的C極電壓上升使得C102產(chǎn)生電流,該電流加速了Q101的導通,也進一步促使Q100導通,Q100的C極電壓進一步升高;

5、此反饋效應(yīng)致使Q100、Q101迅速導通,L100上的電流開始增加;

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wwzhangcs
LV.1
5
2016-09-16 09:30
@青菜蘿卜
我把自己理解的原理寫出來,希望大家指出不對的地方。Q100導通的時候:1、L100上的電流增加,同時輸出電壓也升高,此時Q101導通為Q100提供足夠的基極電流;2、隨著輸出電壓的升高,R108、R109的分壓也隨之升高,經(jīng)過D102的電流使Q102的Vce逐漸下降,即Q101的Vbe逐漸下降,Q101的Ice(也就是Q100的Ib)也隨之下降;3、當Q100的Ib減小到不足以使Q100完全導通的時候,Vce變大,C極的電壓下降一點點,這一點點的電壓下降使得電容C102放電;4、C102放電使得Q101的基極電壓Vb下降,Ice隨之減小,Q100的導通進一步變差,C極的電壓也進一步下降;5、如此的反饋導致Q100、Q101迅速關(guān)斷,Q100的C極電壓下降到0V附件; Q100關(guān)斷的時候:1、L100上的電流經(jīng)續(xù)流二極管D101繼續(xù)為負載供電,其電流逐漸減小,輸出端的電壓也隨之下降;2、Q101處于關(guān)閉狀態(tài),R108、R109的分壓逐漸下降,使Q102的Vce逐漸上升;3、當Q102的Vce上升到Q101開始導通一點點,Q100隨之即開始導通,C極電壓有所上升;4、Q100的C極電壓上升使得C102產(chǎn)生電流,該電流加速了Q101的導通,也進一步促使Q100導通,Q100的C極電壓進一步升高;5、此反饋效應(yīng)致使Q100、Q101迅速導通,L100上的電流開始增加;
你好請問你知道上述電路器件的參數(shù)計算過程嗎?
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