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反激 MOS Drain腳電壓異常

NXP方案，滿載工作在QR模式。初級(jí)MOS Drain電壓異常。1為原理圖，2、3為Drain腳電壓和Rsense電流，4、5為Drain腳電壓和柵極電壓。

請(qǐng)問(wèn)MOS關(guān)斷之后連續(xù)的類似振蕩的波形是怎么產(chǎn)生的，這個(gè)應(yīng)該不是漏感和寄生電容的振蕩，調(diào)節(jié)RCD基本沒用。調(diào)了幾天了，沒有改善，求大神指點(diǎn)~

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2015-08-17 09:45
是漏感和寄生電容的振蕩...串入磁珠或者改變一下變壓器的繞法試試。
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power_max
LV.1
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2015-08-17 11:30
@qinzutaim
是漏感和寄生電容的振蕩...串入磁珠或者改變一下變壓器的繞法試試。
你好，變壓器已經(jīng)改成三明治繞法了，初級(jí)N1，屏蔽銅箔，次級(jí)，屏蔽銅箔，初級(jí)N2；電感420uH，漏感10uH左右；還是會(huì)有這個(gè)振蕩。磁珠要是串在Drain吧，沒有試過(guò)，可以試一下。 
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mark jia
LV.8
4
2015-08-18 08:48
@power_max
你好，變壓器已經(jīng)改成三明治繞法了，初級(jí)N1，屏蔽銅箔，次級(jí)，屏蔽銅箔，初級(jí)N2；電感420uH，漏感10uH左右；還是會(huì)有這個(gè)振蕩。磁珠要是串在Drain吧，沒有試過(guò)，可以試一下。 
吸收改成滌綸電容
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yiget
LV.3
5
2015-08-18 13:48
@power_max
你好，變壓器已經(jīng)改成三明治繞法了，初級(jí)N1，屏蔽銅箔，次級(jí)，屏蔽銅箔，初級(jí)N2；電感420uH，漏感10uH左右；還是會(huì)有這個(gè)振蕩。磁珠要是串在Drain吧，沒有試過(guò)，可以試一下。 
看你變壓器的繞法，怎么沒有輔助繞組？初級(jí)開始是否從D極開始？是否測(cè)過(guò)漏感？多大？
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