RCD吸收，在MOS關(guān)斷后，會(huì)有電流 流向BUCK電容吧。

你的線性吸收，全部一熱量損耗了。對(duì)效力來(lái)講 肯定沒(méi)有RCD吸收好。

 你這種對(duì)MOS SOA 是否要去很高？因?yàn)殡妷禾?。

 坐等高手解答。

下面的是對(duì)圖4做的仿真

                                              圖5 線性穩(wěn)壓MOS吸收波形

圖5中MOS管的源漏電壓V_ds有一個(gè)很窄的尖峰，原因大概是穩(wěn)壓環(huán)路跟不上電壓V_ds的變化速度。試過(guò)將柵極電壓下降沿調(diào)緩（減緩V_ds的上升速度）可以抑制住V_ds的窄尖峰不過(guò)會(huì)增加功耗影響效率。

為了消掉這個(gè)窄尖峰又把RCD電路加了上去，這個(gè)窄尖峰能量不多只需小功率的RCD吸收即可，下圖是只加RCD電路無(wú)線性穩(wěn)壓吸收的波形圖

                                             圖6 只有小功率RCD吸收電路的波形

因?yàn)?span>RCD吸收功率小不足以吸收掉漏感的能量所以MOS管的漏極電壓升的很高。同樣這個(gè)RCD吸收電路再增加線性穩(wěn)壓吸收后的波形如圖7

                                                  圖7 加入小功率RCD的線性穩(wěn)壓吸收波形

線性穩(wěn)壓吸收的基準(zhǔn)設(shè)置的是550V圖中的MOS管電壓也被限制在550V，圖中的柵極電壓紅圈處可見(jiàn)MOS管在此區(qū)間工作于線性區(qū)因MOS管電壓被鉗位在550V所以此區(qū)間主要吸收的是漏感能量。

圖7效果  在實(shí)際應(yīng)用電路中  RCD就可以做到。為何在增加OP呢?

仿真 只能參考吧。

有道理

如果負(fù)載固定那么用RCD吸收完全勝任，區(qū)別只不過(guò)是這個(gè)電路是把RCD中的電阻發(fā)熱轉(zhuǎn)移到了MOS管上。

當(dāng)負(fù)載變化尤其是輕載、空載時(shí)RCD仍然會(huì)吸收掉相當(dāng)?shù)哪芰?，如果R可變這個(gè)問(wèn)題就可以解決，這里用線性穩(wěn)壓吸收就是想實(shí)現(xiàn)可變R的目的。

謝謝指正，MOS管不同于三極管，改正后如圖3-1

理論上陽(yáng)春白雪。

反激很大的一點(diǎn)是輸入范圍比較寬，最高電壓/最低電壓   往往4倍以上。

你這個(gè)電路TVS管沒(méi)法選，額定電壓選低了容易燒掉驅(qū)動(dòng)，選高了然并卵。

那驅(qū)動(dòng)電阻的選擇也一樣，小了沒(méi)用，大了發(fā)熱，弄不好進(jìn)入線性區(qū)。。。

吸收電路不就考慮最高電壓條件下VDS會(huì)不會(huì)超嘛，考慮最低電壓干嘛

這個(gè)嗎，有些奇思妙想，想象的不一定對(duì)，比如，世紀(jì)電源網(wǎng)的全橋llc諧振的搞二極管電容鉗位就是錯(cuò)誤的，想當(dāng)然是對(duì)的，設(shè)想的要經(jīng)過(guò)實(shí)踐的檢驗(yàn)，一定要做實(shí)驗(yàn)，從原理要認(rèn)真分析，因?yàn)椋瑢?shí)踐麻煩，就要細(xì)心推敲了，常規(guī)的是存在損耗，把開(kāi)關(guān)管實(shí)際是豈不是變成了高電壓的穩(wěn)壓管了嗎，普通穩(wěn)壓管的電壓沒(méi)有那么高，比如200伏也確實(shí)可以形成200伏的穩(wěn)壓管了，但是，直流好辦的呀，這里是開(kāi)關(guān)的動(dòng)態(tài)的呀，但必須改進(jìn)一下，GS要并聯(lián)15伏的穩(wěn)壓管，比如，限制600伏就相應(yīng)的這個(gè)擊穿管子，沒(méi)有這么高的就比如200伏3個(gè)串聯(lián)，但要串聯(lián)電阻。

    漏電感大是損耗也大但漏電感是可以減小的，比如一次初級(jí)一層次級(jí)，若干層，不是什么三明治，而是五，七明治了，一概分別并聯(lián)，這樣的漏電感非常小，效果好。

    提供的這種方式是否可行，謹(jǐn)慎，動(dòng)態(tài)特性如何，是否進(jìn)入放大區(qū)，如果高電壓大電流就危險(xiǎn)了，我感覺(jué)是不大會(huì)出現(xiàn)這種情況，但是否小聰明，可靠不，一時(shí)是說(shuō)不清楚的，可靠性究竟如何，是一個(gè)重要的問(wèn)題。

    我看是否可以這樣，RCD確實(shí)存在電阻損耗，尤其功率大了一些，損耗也就不小了，吸收二極管功率小溫度超過(guò)就壞了。我認(rèn)為干脆把電阻去掉，高于輸入電壓200多伏，這個(gè)電阻是損耗不大，頂多不到輸出的5%，可以增加一個(gè)小電流高電壓的開(kāi)關(guān)管，增加一個(gè)小變壓器就是把電阻的損耗變成無(wú)損耗的輸出能量，變壓器容量總的還是一樣的，就是增加了一個(gè)小電流高電壓的輔助的小反激變換器了，成本增加不多，由于功率太小了，這個(gè)漏電感影響微不足道的，吸收器不用了，這個(gè)還是有一些奇妙，也是小聰明吧，探討一下，成本增加其實(shí)甚微，因?yàn)椋绻敵鍪嵌嗌偻邤?shù)，這個(gè)變換的能量是一樣的，不會(huì)因?yàn)樵黾佣黾?，只不過(guò)就是器件多了一點(diǎn)了吧。但也增加不了幾個(gè)器件，成本增加非常少，大家看法如何呢，我聲明一下，我的僅共參考，不要絕對(duì)看這個(gè)問(wèn)題了，不一定的，只是有一些道理，究竟如何，如果的話，對(duì)也好錯(cuò)也吧，探索嗎。我提供了這么一個(gè)思路罷了。

驅(qū)動(dòng)電阻可能會(huì)功耗比較大，不過(guò)持續(xù)時(shí)間只是吸收漏感能量的極短時(shí)間內(nèi)，或許這個(gè)能耗可以接受？也可以換一種低能耗的，

                                圖3-2 低功耗開(kāi)關(guān)、線性驅(qū)動(dòng)

電阻可以選用K歐姆級(jí)別的，第一級(jí)推挽的下管可將電壓鉗位在0.7v左右，或許可以省掉穩(wěn)壓管。

動(dòng)態(tài)特性（響應(yīng)速度）這個(gè)問(wèn)題主要應(yīng)當(dāng)是受MOS管的柵極電容影響，給電容充電總是需要時(shí)間的。根據(jù)仿真的結(jié)果加一個(gè)小功率RCD吸收還是可以解決掉這個(gè)速度差問(wèn)題提高電路的可靠性。

大師的這個(gè)思路個(gè)人是贊同的只是有兩個(gè)小問(wèn)題，其一額外加的小開(kāi)關(guān)管需要一個(gè)驅(qū)動(dòng)電路，其二這個(gè)小開(kāi)關(guān)管需要隔離控制。以前我也想過(guò)一個(gè)類(lèi)似的電路只用一個(gè)開(kāi)關(guān)管，一大變壓器（主變）一小變壓器（輔變），變壓器前級(jí)串聯(lián)后級(jí)經(jīng)二極管并聯(lián)，當(dāng)時(shí)主要的目的是讓這個(gè)電路兼容連續(xù)、斷續(xù)模式的優(yōu)點(diǎn)。電路如下

           圖8 兼連續(xù)、斷續(xù)優(yōu)點(diǎn)的反激電路

主變壓器電感量大工作于連續(xù)模式，輔助變壓器電感值按主變的漏感級(jí)別來(lái)取，因輔變的電感量很低可以保證其一直工作于斷續(xù)模式。

因?yàn)閮蓚€(gè)變壓器前級(jí)串聯(lián)峰值電流被主變壓器鉗位在連續(xù)模式狀態(tài)，同樣是因?yàn)榇?lián)輔變可以實(shí)現(xiàn)MOS管零電流開(kāi)啟（斷續(xù)模式）同時(shí)也可解決輸出二極管反向恢復(fù)問(wèn)題。這樣就將連續(xù)模式和斷續(xù)模式優(yōu)點(diǎn)集于一身，變壓器線損小、磁芯損耗低、開(kāi)關(guān)管導(dǎo)通損耗小開(kāi)關(guān)損耗也小。這個(gè)電路仿真過(guò)確實(shí)能達(dá)到設(shè)想的效果，不過(guò)也有個(gè)缺點(diǎn)就是反射電壓高，如果主變和輔變?cè)驯认嗤脑挿瓷潆妷簩閱巫儔浩鞯膬杀?，可以降低輔變的匝比來(lái)降反射電壓不過(guò)此時(shí)輔變的輸出二極管反向電壓就高了，輔變選什么樣的匝比合適需要權(quán)衡考慮。

主變的漏感能量能通過(guò)輔變傳遞到輸出，輔變自身的漏感可通過(guò)一個(gè)小RCD吸收或者不需吸收因?yàn)榇藭r(shí)的等效漏感約為2%*2%=0.04%，如果覺(jué)得等效漏感還不夠小的話還可以再串聯(lián)一個(gè)小小變壓器。

第四圖不過(guò)是想象，實(shí)際是不成立的，下圖是運(yùn)放LM358的輸入輸出的時(shí)差，自己想想會(huì)發(fā)生什么

討論的這個(gè)帖子，我比較忙，沒(méi)有直接上圖不會(huì)一目了然，在文字說(shuō)明一下，這個(gè)變壓器串聯(lián)早就有之，好像是正激反激相結(jié)合，就是說(shuō)各有所長(zhǎng)所短，就是兩個(gè)變壓器構(gòu)成，我也實(shí)踐過(guò)，當(dāng)年公司的圖也是這種結(jié)構(gòu)，這個(gè)就是改進(jìn)型了，但到現(xiàn)在似乎沒(méi)有流行。

    上面的結(jié)構(gòu)是只要固定的0,45的占空比，主變壓器可以得到正弦波電壓波形。但占空比不是固定的，這個(gè)電路結(jié)構(gòu)有一些換湯不換藥，還是存在RCD的電阻損耗嗎，我的思路是不允許有這個(gè)吸收電阻的存在。我的意思是，不是說(shuō)有pfc與升壓器的主管與付管兩個(gè)電感器的一個(gè)大一個(gè)小嗎，其實(shí)是一個(gè)道理，這里是什么呢，主變壓器與主管構(gòu)成通常的反激式，那么，存在 RCD的吸收，這個(gè)電阻去掉，電壓高出輸入電壓的200伏左右吧，這個(gè)電阻損耗不大，但會(huì)降低效率，尤其功率大一些，漏電感比較大，那么，這個(gè)損耗 是比較大的，既然，損耗比較大，是否可以利用呢，就是無(wú)損耗吸收呢，像軟開(kāi)關(guān)升壓器一樣，增加一個(gè)副管，副小變壓器，這個(gè)就有損耗 被利用了變成了有用的輸出能量了，設(shè)想，200瓦5%的損耗才10瓦，就是10瓦的變換器，伏變壓器小了吧，副管的電流小了吧，副RCD吸收也隨之小了，這個(gè)與升壓電路幾乎一樣，主管并聯(lián)一個(gè)小電容，可以減小關(guān)斷損耗，那么，存在的電容是有能量的，這個(gè)能量就是通過(guò)輔助管子電感器小變換器把能量甩出去，就是增大輸出了?！咀?，副管先導(dǎo)通然后再導(dǎo)通主管，存在相位】。

    就是說(shuō)的無(wú)損吸收了，輔助小開(kāi)關(guān)管是建立在主變換器RCD的電阻去掉了，輔助小變換器把這個(gè)能量，再二次變換，那么，這個(gè)管子承受比較主管更高200伏左右吧，所以副管的耐壓選高一些，但電流可以小一些，也就是提到的200瓦的輔助變換功率就是10瓦左右了，這個(gè)RCD吸收比例減小了，就是這樣的。

    我上述說(shuō)明的想通了沒(méi)有，其實(shí)，就是雨升壓器是一樣的原理結(jié)構(gòu)了。不同的就是升壓但電感這里是變壓器了，這樣的效率估計(jì)是可以提高一些，但實(shí)際多少，實(shí)踐一下就知道了。這里是完全同步控制的，不像升壓器存在相位差，這個(gè)就非常方便了。但兩個(gè)變壓器一大一小的匝比是不一樣的，這點(diǎn)要注意，匝比一個(gè)高一些一個(gè)低一些，再理性的分析推算一下就可以了。

如此復(fù)雜,為何不用正激結(jié)構(gòu)?