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如圖，這里的二極管到底該用哪一個(gè)？不能亂用吧 ，前面再加一個(gè)電阻呢？

如圖，看到論壇里面各種原理圖中，RCD吸收電路中的D，有的用慢管1n4007，有的用快管FR107，有沒有用超快恢復(fù)管UF4007的呀？還有的在D前加一個(gè)電阻？加電阻的作用是什么？ 高手們是怎么選擇和理解的呀，請(qǐng)教一下 。我所理解的這里的D影響：

1.Vds的尖峰電壓

2.測(cè)EMI時(shí)輻射

22222222222222

1N4007+R

4444444444444444

FR107

全部回復(fù)(5)
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lizhimeng
LV.1
2
2015-09-13 11:03

一般來說，反向恢復(fù)時(shí)間長(zhǎng)的D，不僅可以降低Vds-peak，還可以減少原邊漏感與MOS-Coss諧振幅值，放電電阻損耗也可以降低，可改善EMI。

慢管自身損耗大些，適用于小功率DCM場(chǎng)合。

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2015-09-13 11:12
@lizhimeng
一般來說，反向恢復(fù)時(shí)間長(zhǎng)的D，不僅可以降低Vds-peak，還可以減少原邊漏感與MOS-Coss諧振幅值，放電電阻損耗也可以降低，可改善EMI。慢管自身損耗大些，適用于小功率DCM場(chǎng)合。
小功率的可用慢管1N4007，大功率的就用FR107之類的快管嗎?
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2015-09-13 22:51
@whxywan999
小功率的可用慢管1N4007，大功率的就用FR107之類的快管嗎?
恩，小功率的一般用慢管(對(duì)EMI有好處，但損耗的功率會(huì)變大)。大功率的用快管(發(fā)熱小)。RCD電路二極管上的那個(gè)電阻叫阻尼電阻，可以減小VDS上的尖峰震蕩的幅度和持續(xù)的時(shí)間，這對(duì)于PSR芯片尤其重要，因?yàn)閂DS上尖峰震蕩的幅值比較大和持續(xù)時(shí)間比較長(zhǎng)時(shí)，會(huì)影響PSR芯片的電壓檢測(cè)的，所以PSR芯片的RCD吸收上一般會(huì)加上這個(gè)阻尼電阻，取值一般51-300R之間。
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2015-09-14 10:19
已經(jīng)被添加到社區(qū)經(jīng)典圖庫嘍
http://www.e-ticket.cn/bbs/classic/
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oskowang
LV.5
6
2015-09-16 16:55

樓主做多大功率，輸出的規(guī)格？

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