還是沒人回復(fù)啊，看來沒有人弄這個方案啊。不管了，自己畫板，試驗一下。也順便頂下，看后面有沒人看到指正

這個你得做好兩個MOS之間的死區(qū)時間

上管延時開會加大開個損耗，如果續(xù)流管慢開，快關(guān)，可以做好不？以前有見過加延時電路的情況，具體電路圖忘了。

想法是通過ＲＣ控制三極管延時開，三極管一打開，ＭＯＳ管柵極充電電流就大了，理論上不會增加開通損耗的，不過ＲＣ的取值可能就一定要取好了。好在輸入電壓變化不大，對ＲＣ充電時間影響不是很大。

己經(jīng)畫板發(fā)出打樣了，先實驗看再說。也不懂仿真什么，只能自己做版實驗了。

真心感謝兩位的回復(fù)，發(fā)個貼，有人看，沒人回，好傷心。

另外，想問一下，死區(qū)時間設(shè)定在多少合適了。頻率50Ｋ或100Ｋ，死區(qū)時間設(shè)為多少ＮＳ好了？有從大俠能給個指導(dǎo)性時間嗎？

想法是死區(qū)時間由ＲＣ來調(diào)整。

有兩個擔(dān)心的地方

1.ＲＣ充電時，三極管是先進入放大狀態(tài)，再到飽合，由放大進入飽合的這個時間會多長，因為這階段給ＭＯＳ管的充電電流不會很大，會造成開啟慢

2.短路保護時，三極管要退出飽合狀態(tài)，這個時間又會不會太長，太慢的話，就起不到保護的作用了

想要學(xué)習(xí)練手可以。要做產(chǎn)品準備量產(chǎn)還是不要研究這個了，建議選擇一體內(nèi)置MOS的DC-DC降壓芯片

用FT1704+4606吧，成本比你的低不說還效率高，發(fā)熱小，元件少！還有過流，

已經(jīng)被添加到社區(qū)經(jīng)典圖庫嘍
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這個不帶死區(qū)，我想用外置半橋驅(qū)動mos 做同步整流

想做什么規(guī)格

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