以前都做些MOS的驅(qū)動(dòng)設(shè)計(jì)，現(xiàn)在要改驅(qū)動(dòng)IGBT，這個(gè)在設(shè)計(jì)上有什么區(qū)別，有哪些要注意的地方??？請(qǐng)大俠指點(diǎn)指點(diǎn)哦！
IGBT的速度肯定沒有MOS快，拖尾電流大。
在設(shè)計(jì)MOS驅(qū)動(dòng)和IGBT驅(qū)動(dòng)上，有什么不一樣的地方？
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如果沒有相關(guān)的IGBT驅(qū)動(dòng)經(jīng)驗(yàn)，建議采用IGBT專用的驅(qū)動(dòng)模塊去做驅(qū)動(dòng)，因?yàn)镮GBT關(guān)段需要負(fù)電壓。
有時(shí)間的話可以自己設(shè)計(jì)調(diào)試。
IGBT要參考供應(yīng)商給出的功率與頻率范圍建議來設(shè)計(jì)。
IGBT的電路拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)，盡量選擇軟開關(guān)的電路來做，軟開關(guān)的話IGBT損耗小，頻率可以做高，磁性器件就可以做小。
再有就是IGBT的損耗計(jì)算，算出損耗才好去做熱設(shè)計(jì)。
沒法一個(gè)回帖說完，暫且?guī)c(diǎn)吧。
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@417zhouge
如果沒有相關(guān)的IGBT驅(qū)動(dòng)經(jīng)驗(yàn)，建議采用IGBT專用的驅(qū)動(dòng)模塊去做驅(qū)動(dòng)，因?yàn)镮GBT關(guān)段需要負(fù)電壓。有時(shí)間的話可以自己設(shè)計(jì)調(diào)試。IGBT要參考供應(yīng)商給出的功率與頻率范圍建議來設(shè)計(jì)。IGBT的電路拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)，盡量選擇軟開關(guān)的電路來做，軟開關(guān)的話IGBT損耗小，頻率可以做高，磁性器件就可以做小。再有就是IGBT的損耗計(jì)算，算出損耗才好去做熱設(shè)計(jì)。沒法一個(gè)回帖說完，暫且?guī)c(diǎn)吧。
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