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請問各位大神，IGBT GE極之間發(fā)生擊穿大多是什么原因啊。

如題，在做pwm整流實驗時，網(wǎng)側(cè)電壓在300V以下時運行良好，當(dāng)網(wǎng)側(cè)電壓達(dá)到300V時IGBT壞掉，測量時發(fā)現(xiàn)IGBT，GE間短路，GC間也短路，請問這可能是什么情況造成的啊。
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lrffm369
LV.3
2
2015-12-14 11:33
沒用負(fù)壓關(guān)段吧~~
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liudanwei
LV.1
3
2015-12-14 16:13
@lrffm369
沒用負(fù)壓關(guān)段吧~~
請問GE短路跟關(guān)斷時的高壓有關(guān)系么？
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zcllom
LV.2
4
2015-12-15 13:56
@liudanwei
請問GE短路跟關(guān)斷時的高壓有關(guān)系么？
被電壓尖峰擊穿了，用示波器看GE端波形，如果捕捉到超過20V的毛刺，那就掛了。
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liudanwei
LV.1
5
2015-12-15 14:14
@zcllom
被電壓尖峰擊穿了，用示波器看GE端波形，如果捕捉到超過20V的毛刺，那就掛了。
新手對這方面不算熟悉，請問GE間的毛刺都與什么有關(guān)？
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2015-12-15 15:57
看你的描述那就是全短了，這種因素就有多種，過壓擊穿或者過流擊穿，你用的哪個品牌的什么規(guī)格的IGBT?。?/div>
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liudanwei
LV.1
7
2015-12-15 16:01
@invsemi_liu
看你的描述那就是全短了，這種因素就有多種，過壓擊穿或者過流擊穿，你用的哪個品牌的什么規(guī)格的IGBT啊？
如果是過流內(nèi)部是不是會有燒灼的痕跡啊，我拆開看了一下，沒有任何痕跡。
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2015-12-15 17:14
@liudanwei
如果是過流內(nèi)部是不是會有燒灼的痕跡啊，我拆開看了一下，沒有任何痕跡。

有沒有裂紋或者小圓點呢

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liudanwei
LV.1
9
2015-12-15 19:11
@invsemi_liu
有沒有裂紋或者小圓點呢
沒有啊，看著就跟新的一樣。
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dobetter
LV.7
10
2015-12-15 20:50
是不是IGBT關(guān)端時CE間電壓過高導(dǎo)致?lián)舸┑模?/div>
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liudanwei
LV.1
11
2015-12-16 08:12
@dobetter
是不是IGBT關(guān)端時CE間電壓過高導(dǎo)致?lián)舸┑模?/span>
CE間擊穿了，GE也擊穿么？
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2015-12-16 08:17
@liudanwei
CE間擊穿了，GE也擊穿么？
一壞，3個腳都會短路，我遇到過只壞CE，GE沒有短路的情況，這種非常少！
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liudanwei
LV.1
13
2015-12-16 08:23
@lizlk
一壞，3個腳都會短路，我遇到過只壞CE，GE沒有短路的情況，這種非常少！
啊。我有的時候全短有的幾次只是GE短
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invsemi_liu
LV.3
14
2015-12-16 09:52
@liudanwei
啊。我有的時候全短有的幾次只是GE短
有沒有另加門極電容Cge？如果是門極擊穿，這得有多高的瞬時電壓啊，我之前測過IR的15A單管，門極可達(dá)80V未損壞，理論上門極電容過大會引發(fā)母線耦合的超門極電壓落在門極上，耦合電壓過高可能會發(fā)生擊穿。如果不是這種原因，你還是看看閂鎖效應(yīng)吧，是不是開關(guān)速度太快了
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liudanwei
LV.1
15
2015-12-16 10:26
@invsemi_liu
有沒有另加門極電容Cge？如果是門極擊穿，這得有多高的瞬時電壓啊，我之前測過IR的15A單管，門極可達(dá)80V未損壞，理論上門極電容過大會引發(fā)母線耦合的超門極電壓落在門極上，耦合電壓過高可能會發(fā)生擊穿。如果不是這種原因，你還是看看閂鎖效應(yīng)吧，是不是開關(guān)速度太快了
沒有加門極電容，我這套驅(qū)動是做PWM整流的，在AC200V一下都正常，但是AC電壓升高到200V以上的時候就開始出現(xiàn)壞管子的情況了、
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2015-12-16 13:40
@liudanwei
沒有加門極電容，我這套驅(qū)動是做PWM整流的，在AC200V一下都正常，但是AC電壓升高到200V以上的時候就開始出現(xiàn)壞管子的情況了、
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liudanwei
LV.1
17
2015-12-16 13:43
@lizlk
[圖片]
為什么擦汗啊，快給指點一下，
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