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逆變/光伏/并網(wǎng)
請問各位大神,IGBT GE極之間發(fā)生擊穿大多是什么原因啊。
請問各位大神,IGBT GE極之間發(fā)生擊穿大多是什么原因啊。
如題,在做pwm整流實驗時,網(wǎng)側(cè)電壓在300V以下時運行良好,當網(wǎng)側(cè)電壓達到300V時IGBT壞掉,測量時發(fā)現(xiàn)IGBT,GE間短路,GC間也短路,請問這可能是什么情況造成的啊。
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現(xiàn)在還沒有回復呢,說說你的想法
lrffm369
LV.3
2
2015-12-14 11:33
沒用負壓關段吧~~
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liudanwei
LV.1
3
2015-12-14 16:13
@lrffm369
沒用負壓關段吧~~
請問GE短路跟關斷時的高壓有關系么?
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zcllom
LV.2
4
2015-12-15 13:56
@liudanwei
請問GE短路跟關斷時的高壓有關系么?
被電壓尖峰擊穿了,用示波器看GE端波形,如果捕捉到超過20V的毛刺,那就掛了。
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liudanwei
LV.1
5
2015-12-15 14:14
@zcllom
被電壓尖峰擊穿了,用示波器看GE端波形,如果捕捉到超過20V的毛刺,那就掛了。
新手對這方面不算熟悉,請問GE間的毛刺都與什么有關?
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invsemi_liu
LV.3
6
2015-12-15 15:57
看你的描述那就是全短了,這種因素就有多種,過壓擊穿或者過流擊穿,你用的哪個品牌的什么規(guī)格的IGBT?。?/div>
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liudanwei
LV.1
7
2015-12-15 16:01
@invsemi_liu
看你的描述那就是全短了,這種因素就有多種,過壓擊穿或者過流擊穿,你用的哪個品牌的什么規(guī)格的IGBT?。?/span>
如果是過流內(nèi)部是不是會有燒灼的痕跡啊,我拆開看了一下,沒有任何痕跡。
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invsemi_liu
LV.3
8
2015-12-15 17:14
@liudanwei
如果是過流內(nèi)部是不是會有燒灼的痕跡啊,我拆開看了一下,沒有任何痕跡。
有沒有裂紋或者小圓點呢
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liudanwei
LV.1
9
2015-12-15 19:11
@invsemi_liu
有沒有裂紋或者小圓點呢
沒有啊,看著就跟新的一樣。
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dobetter
LV.7
10
2015-12-15 20:50
是不是IGBT關端時CE間電壓過高導致?lián)舸┑模?/div>
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liudanwei
LV.1
11
2015-12-16 08:12
@dobetter
是不是IGBT關端時CE間電壓過高導致?lián)舸┑模?/span>
CE間擊穿了,GE也擊穿么?
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lizlk
12
2015-12-16 08:17
@liudanwei
CE間擊穿了,GE也擊穿么?
一壞,3個腳都會短路,我遇到過只壞CE,GE沒有短路的情況,這種非常少!
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liudanwei
LV.1
13
2015-12-16 08:23
@lizlk
一壞,3個腳都會短路,我遇到過只壞CE,GE沒有短路的情況,這種非常少!
啊。我有的時候全短有的幾次只是GE短
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invsemi_liu
LV.3
14
2015-12-16 09:52
@liudanwei
啊。我有的時候全短有的幾次只是GE短
有沒有另加門極電容Cge?如果是門極擊穿,這得有多高的瞬時電壓啊,我之前測過IR的15A單管,門極可達80V未損壞,理論上門極電容過大會引發(fā)母線耦合的超門極電壓落在門極上,耦合電壓過高可能會發(fā)生擊穿。如果不是這種原因,你還是看看閂鎖效應吧,是不是開關速度太快了
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liudanwei
LV.1
15
2015-12-16 10:26
@invsemi_liu
有沒有另加門極電容Cge?如果是門極擊穿,這得有多高的瞬時電壓啊,我之前測過IR的15A單管,門極可達80V未損壞,理論上門極電容過大會引發(fā)母線耦合的超門極電壓落在門極上,耦合電壓過高可能會發(fā)生擊穿。如果不是這種原因,你還是看看閂鎖效應吧,是不是開關速度太快了
沒有加門極電容,我這套驅(qū)動是做PWM整流的,在AC200V一下都正常,但是AC電壓升高到200V以上的時候就開始出現(xiàn)壞管子的情況了、
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lizlk
16
2015-12-16 13:40
@liudanwei
沒有加門極電容,我這套驅(qū)動是做PWM整流的,在AC200V一下都正常,但是AC電壓升高到200V以上的時候就開始出現(xiàn)壞管子的情況了、
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liudanwei
LV.1
17
2015-12-16 13:43
@lizlk
[圖片]
為什么擦汗啊,快給指點一下,
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