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Boost電路在MOS開通時(shí)有很大的電流尖峰，求解決方法

TEK00024

TEK00023

圖中CH4是boost電感電流波形，CH3為mos管DS之間電壓，CH2為BOOST二極管之間的電壓。

這樣電流波形開關(guān)損耗很大，MOS很熱。求產(chǎn)生這樣的電流波形的原因和解決辦法。

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2015-12-29 08:24

寄生電感電容的影響，用軟開關(guān)的話電流就沒有這么大的尖峰。

可以把驅(qū)動(dòng)電阻改到4.7Ω看看差異大不大。

測(cè)試方法也會(huì)有點(diǎn)點(diǎn)的影響，從電流波形對(duì)應(yīng)看到電壓波形的峰值并不高啊。

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張XXX
LV.2
3
2015-12-29 11:02
@417zhouge
寄生電感電容的影響，用軟開關(guān)的話電流就沒有這么大的尖峰。可以把驅(qū)動(dòng)電阻改到4.7Ω看看差異大不大。測(cè)試方法也會(huì)有點(diǎn)點(diǎn)的影響，從電流波形對(duì)應(yīng)看到電壓波形的峰值并不高啊。
我覺得可能二極管反向恢復(fù)也有點(diǎn)影響。。。DS之間加了RCD吸收電路。
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2015-12-30 17:18
@張XXX
我覺得可能二極管反向恢復(fù)也有點(diǎn)影響。。。DS之間加了RCD吸收電路。
是的。Boost電路已經(jīng)工作在CCM模式，此時(shí)二極管的反向恢復(fù)會(huì)給MOS帶來很大的影響。
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2015-12-30 17:31
@導(dǎo)彈不搗蛋
是的[圖片]。Boost電路已經(jīng)工作在CCM模式，此時(shí)二極管的反向恢復(fù)會(huì)給MOS帶來很大的影響。

1、設(shè)計(jì)成軟開關(guān)

2、如果DCM可以接受，可以減小電感感值，使其工作在DCM模式

3、使用反向恢復(fù)特性更好的二極管，或者用SiC二極管

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張XXX
LV.2
6
2016-01-11 15:35
@導(dǎo)彈不搗蛋
1、設(shè)計(jì)成軟開關(guān)2、如果DCM可以接受，可以減小電感感值，使其工作在DCM模式3、使用反向恢復(fù)特性更好的二極管，或者用SiC二極管
用了SiC的管子，效果不是很好，電流尖峰還是挺大的
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03-09 18:10

冒昧問一下，請(qǐng)問這個(gè)問題最終有解決辦法嗎？來自N年后的疑問??

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