一直在用SL的 平面MOS 5N65 做 5V 4.2A的 適配器,溫升,效率都可以滿足要求。
但2016年,6級能效開始實(shí)施,對溫升和效率有了新的門檻,如果有COMOS,成本難以接受。 近來有供應(yīng)商推薦蘇州東微的GMOS,主芯片為SP6601 在使用時遇到這些問題。
1>直接替換,不做任何修改,板子不能啟動。
2>直接替換,修改MOS驅(qū)動電阻,從10R 增加到390R,溫升跟平面MOS一樣,效率提升0.5%
3>直接替換,修改MOS驅(qū)動電阻,從10R 增加到470R,溫升跟平面MOS相比下降5度,效率不變。
4>直接替換,驅(qū)動電阻選470R,但EMI比之前超出10DB。
5>直接替換,驅(qū)動電阻選470R,吸收回路 電容和電阻增大,加深。變壓器EMI余量只有2DB。
后面會再發(fā)出相關(guān)測試圖片,第一次發(fā)帖。