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請(qǐng)教功率MOS和IGBT的使用頻率如果計(jì)算

請(qǐng)問(wèn)各位大俠: 如何能通過(guò)產(chǎn)品數(shù)據(jù)提供的參數(shù)比較接近的算出功率MOS管和IGBT的使用頻率。使用在硬開(kāi)關(guān)和LLC及準(zhǔn)諧振拓?fù)涠荚趺此??比如給定的使用環(huán)境為:環(huán)境溫度40度,適當(dāng)?shù)娘L(fēng)冷散熱器(計(jì)算合理的開(kāi)關(guān)頻率讓散熱器大致控制在75度左右)。用產(chǎn)品參數(shù)每次的開(kāi)關(guān)損耗去對(duì)應(yīng)產(chǎn)品的最大損耗計(jì)算得出的理論開(kāi)關(guān)頻率和實(shí)際能用的開(kāi)關(guān)頻率好像相差太大,請(qǐng)各位以下面提供的產(chǎn)品參數(shù)為例不吝賜教!

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2016-01-17 12:45

算IGBT損耗要算開(kāi)通損耗,關(guān)斷損耗,導(dǎo)通損耗。

如果是LLC拓?fù)涞脑?huà),可以乘以對(duì)應(yīng)的系數(shù)。

其中開(kāi)通和關(guān)斷損耗還有借助驅(qū)動(dòng)電阻的特性曲線來(lái)確認(rèn)Eon,和Eoff。

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jsapin
LV.5
3
2016-01-17 16:40
@417zhouge
算IGBT損耗要算開(kāi)通損耗,關(guān)斷損耗,導(dǎo)通損耗。如果是LLC拓?fù)涞脑?huà),可以乘以對(duì)應(yīng)的系數(shù)。其中開(kāi)通和關(guān)斷損耗還有借助驅(qū)動(dòng)電阻的特性曲線來(lái)確認(rèn)Eon,和Eoff。
大師能否給出具體算法?比如上面提供的參數(shù)能算出比較接近(比如工作在LLC 或者是準(zhǔn)諧振   硬開(kāi)關(guān))的最大工作頻率嗎?
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2016-01-18 08:29
@jsapin
大師能否給出具體算法?比如上面提供的參數(shù)能算出比較接近(比如工作在LLC或者是準(zhǔn)諧振  硬開(kāi)關(guān))的最大工作頻率嗎?

IGBT的頻率與IGBT的電壓電流關(guān)系較大,拖尾電流也會(huì)影響。開(kāi)關(guān)頻率可以根據(jù)這個(gè)時(shí)間來(lái)大致確定。

如果用到IGBT模塊里面的二極管,還要計(jì)算二極管的反向恢復(fù)損耗。

另外一個(gè)是IGBT的散熱能否導(dǎo)出去,這些都是判斷IGBT工作頻率的因素。

至于IGBT能工作到什么頻率,這個(gè)就要參考各家的IGBT的推薦值和自己的經(jīng)驗(yàn)值了。

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