采用高壓 ＣＭＯＳ電路的先 進(jìn)技術(shù)，實(shí)現(xiàn)了高壓MOSFET與低壓控制電路的單片 集成化，將脈寬調(diào)制控制系統(tǒng)的全部功能集成 到三端芯片中，內(nèi)含脈寬調(diào)制器、功率開關(guān)管、自動(dòng)偏置電路、保護(hù)電路、高壓?jiǎn)?dòng)電路和環(huán)路 補(bǔ)償電路。該系列芯片只有３個(gè)引出端，分別為控制端  Ｃ、源極 Ｓ、漏極 Ｄ。其內(nèi)部結(jié)構(gòu)圖如圖１所示。  漏極開路輸出電流控制型 ＡＣ／ ＤＣ電源器。在圖１中漏極 Ｄ與片內(nèi)功率開關(guān)管的漏 極連通，片內(nèi)漏－源擊穿電壓為700Ｖ ＤＣ；源極Ｓ則 連接片內(nèi)功率開關(guān)管的源極，Ｓ端一般接電路的功率 地，在設(shè)計(jì)ＰＣＢ時(shí)連接該腳的功率地可通過ｎＦ級(jí)的 電容與控制信號(hào)地隔離，防止對(duì)控制信號(hào)的干擾。

   設(shè)計(jì)的反激式電源主要包括 輸入電路、高頻變壓器、輸出電路和反饋控制電路。 在輸入電路中，Ｒ１是限流電阻，Ｃ１、Ｌ１和Ｃ２、Ｃ３組  成 π型濾波器，濾除輸入交流電壓的雜波，Ｃ４ 作為整 流后的濾波電容在輸入電路中起著非常關(guān)鍵的作用， 對(duì)于寬范圍輸入的開關(guān)電源該電容數(shù)量值一般可取２～３倍的輸出功率，在本設(shè)計(jì)中輸出功率約 ８ Ｗ，選取 濾波電容２５μＦ。每當(dāng)開關(guān)管 mosfet 由導(dǎo)通變成 截止時(shí)，由高頻變壓器漏感引起的尖峰電壓會(huì)疊加在 直流高壓和感應(yīng)電壓上，疊加后的電壓很容易損壞 mosfet 。Ｄ５和 Ｄ６組成的漏極箝位保護(hù)電路的作 用就是抑制漏感產(chǎn)生的尖峰電壓，保護(hù)開關(guān)管免遭損壞。