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幾個(gè)重要參數(shù)的選取系統(tǒng)最低工作頻率:
建議選取在40~50KHz（滿載最低工作頻率出現(xiàn)在最低輸入電壓的波峰處）,過高的工作頻率會(huì)讓PF值變差，過低的工作頻率則需要更大的變壓器或者
更多的原邊圈數(shù)來保證變壓器不飽和要保證在最低輸入電壓時(shí)的最大導(dǎo)通時(shí)間不要超過20uS較低的工作頻率，可以獲得更好的負(fù)載和線性調(diào)整率
反射電壓: 建議選取在80~110V,在保證MOS/輸出整流管耐壓的條件下，可適當(dāng)選取略大的反射電壓以獲得更好的PF/THD,建議占空比不要大于0.5
最大磁通密度: 建議選取<0.3T，因系統(tǒng)會(huì)在最低輸入電壓的波峰處達(dá)到最大峰值電流，在某些極端的應(yīng)用場(chǎng)合可以適當(dāng)加大Bm,獲得更好的性價(jià)比
COMP Pin 設(shè)計(jì)?COMP 電容要緊靠Pin腳，并以盡量短的線接入地線?COMP 電容建議取值為1uF ,以保證環(huán)路穩(wěn)定電容值越大PF值越好，但環(huán)路速度會(huì)變慢電容取值對(duì)啟動(dòng)影響不大
VCC電壓建議滿載時(shí)設(shè)計(jì)在16V左右，較低的VCC可以獲得更好的輻射特性?在輔助繞組供電回路中，建議串聯(lián)一個(gè)電阻，減小由開關(guān)噪聲引起的VCC尖峰?在完成相關(guān)設(shè)計(jì)后，要注意驗(yàn)證在滿載啟動(dòng)過程中，VCC電壓不要掉到低于8V且要留有余量, 不要發(fā)生二次啟動(dòng)
FB Pin 設(shè)計(jì)?FB上下電阻之間的連接銅箔一定要短，且最好靠近芯片的FB Pin腳，該點(diǎn)需要遠(yuǎn)離開關(guān)節(jié)點(diǎn)，防止受到干擾FB 下電阻最好以盡量短的線連接到地?FB 下電阻取值建議在20K左右，過大的電阻會(huì)讓FB更容易受到干擾，發(fā)生OVP的誤動(dòng)作?FB正常工作電壓建議設(shè)置在1V左右，過小會(huì)導(dǎo)致開路電壓過高(FB OVP閾值為1.6V)?在完成相關(guān)設(shè)計(jì)后，可以適當(dāng)調(diào)整FB上拉電阻，獲得更好的線性調(diào)整率，F(xiàn)B電阻越小，補(bǔ)償量越大
CS Pin 設(shè)計(jì)?CS電阻要以盡量短的線，連接于IC 的GND Pin過長的連接會(huì)導(dǎo)致輸出電流調(diào)整率變差
Drain/GND Pin 設(shè)計(jì)?Drian的銅箔可以適當(dāng)加大以加強(qiáng)散熱，其加大的部分最好不要超過Pin 7的投影部分過大的Drain部分的銅箔會(huì)讓輻射變差?在畫SOP8封裝時(shí)，應(yīng)將6,7兩個(gè)Pin去掉，以提供更大的爬電距離(實(shí)測(cè)將第6Pin焊接于銅箔上，溫度僅下降1℃)
