各位大蝦好！
我設(shè)計(jì)了一款12V6A輸出的反激電源，在量產(chǎn)時(shí)候出現(xiàn)有0.5%的炸機(jī)像現(xiàn)，測(cè)試各主要參數(shù)都在范圍內(nèi)，下面是我設(shè)計(jì)的電路圖和PCB圖，請(qǐng)各位大俠幫我分析一下，有不合理的地方請(qǐng)指點(diǎn)一下，我在這理謝謝了！?。?
72W開(kāi)關(guān)電源量產(chǎn)是有0.5%炸機(jī)，請(qǐng)教大蝦指點(diǎn)一下??！
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@zhangyiping
我習(xí)慣用的是3845的，這里設(shè)計(jì)不合理的呀，怎么圖騰柱下管的應(yīng)當(dāng)接地才對(duì)的呀，3845通常選擇222電容，470歐電阻，峰值保護(hù)非常不錯(cuò)的，這里原理其實(shí)與3845估計(jì)是一樣的吧，新的芯片我們老手一概不用的，輕車(chē)熟路的好，了解與實(shí)踐是一個(gè)過(guò)程，沒(méi)功夫了解了。
不是非要拉地的， 她這樣子的圖騰柱無(wú)非是在GATE→OUTPUT→LOW電平時(shí)增加FET的關(guān)斷速度，與之同時(shí)（實(shí)際上是前一個(gè)IPK）用Isense同時(shí)間做OCP觸發(fā)信號(hào)給比較器 觸發(fā)低電平，保證退磁時(shí)間又可以降低VDS的峰值！
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@keiovgwx
前級(jí)100UF的電容,次級(jí)還有那么那么多的大容量的電容,上電瞬間的浪涌電流很大,應(yīng)該加個(gè)應(yīng)該加NTC電阻會(huì)好一點(diǎn)的,C3的容值會(huì)不會(huì)大了一點(diǎn)?MOS的G極應(yīng)該加一個(gè)對(duì)地電阻還有就是DEM腳的分壓電阻會(huì)不會(huì)取值過(guò)大了,沒(méi)看到這款I(lǐng)C的資料
經(jīng)過(guò)長(zhǎng)時(shí)間的分析，終于找到原因了，謝謝同行們的指點(diǎn)，主要原因是過(guò)流點(diǎn)太大10A左右，RCS電阻偏小了，啟動(dòng)時(shí)沖死MOS了！
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@xdz1989
你要看看是不是飽和的問(wèn)題，你這個(gè)0.5%的炸機(jī)概率有可能是設(shè)計(jì)變壓器的時(shí)候參數(shù)處于臨界狀態(tài)，變壓器在生產(chǎn)的時(shí)候，感值會(huì)有10%左右的偏差，可能有個(gè)別變壓器會(huì)進(jìn)入飽和工作狀態(tài)，你把炸機(jī)的變壓器做做實(shí)驗(yàn)，看看感量。
謝謝關(guān)注，后來(lái)發(fā)現(xiàn)可能是OCP過(guò)大，啟動(dòng)時(shí)沖擊損壞，后來(lái)調(diào)整合適的OCP后，問(wèn)題解決!!!
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