SD6602S 士蘭微全壓9瓦方案  QQ   2892715427  技術(shù) 支持  

用于90Vac~265Vac  輸入電壓、9W    原邊反饋控制模式，無需環(huán)路補償，無需光耦、TL431、變壓器輔助繞組等元 件，節(jié)約了系統(tǒng)成本和體積。

內(nèi)部集成600V 功率MOS 開關(guān)  

MOS電路操作注意事項：       

 靜電在很多地方都會產(chǎn)生，采取下面的預(yù)防措施，可以有效防止MOS 電路由于受靜電放電影響而引起的損壞：      

 操作人員要通過防靜電腕帶接地。      

 設(shè)備外殼必須接地。    

 裝配過程中使用的工具必須接地。    

 必須采用導(dǎo)體包裝或抗靜電材料包裝或運輸。

 SD660X 內(nèi)置650V 高壓 MOS 管，適用于輸出 功率 15W 以下，其中SD6601S，輸出功率為 1-5W，SOP-7 封裝。 2.  SD660X 控制芯片內(nèi)部框圖     SD660X 內(nèi)部包括過壓保護、過流保護、過溫保護、原邊逐周期限流保護、CS 開路/短路保護等功能電路。 

根據(jù)整機系統(tǒng)的輸出功率、PCB 尺寸大小等參數(shù)，選擇適當大小的磁芯， 對于 5W  以下的輸出功率，一般可以選 擇 EE10、EPC13、EE13 等型號磁芯。 

PCB  布線    1).盡量減小功率環(huán)路的面積，減少 EMI 輻射；    2).盡量加大 IC 的DRAIN  引腳覆銅面積，用于增加芯片散熱面積；但DRAIN 太大也會影響 EMI 輻射，請做的適當 考慮；    3).盡量將VCC 的旁路電容靠近芯片引腳；    4).盡量減小采樣電阻的地線與功率地的長度