用HLQD1502模塊制作的LED電源是一個(gè)單端反激電壓/電流變換器
HLQD1502恒流電源驅(qū)動(dòng)模塊制作的LED恒流開(kāi)關(guān)電源，簡(jiǎn)潔易制，性能優(yōu)良，適合電子技術(shù)力量不強(qiáng)的LED燈企業(yè)自行生產(chǎn)。HLQD1502恒流開(kāi)關(guān)電源驅(qū)動(dòng)模塊內(nèi)部集成了恒流開(kāi)關(guān)電源的MOS管驅(qū)動(dòng)，軟啟動(dòng)，輸出電壓、電流檢測(cè)與控制，以及各種保護(hù)電路，以此模塊為核心控制器制作恒流開(kāi)關(guān)電源，與傳統(tǒng)方案相比外圍電子元器件少，生產(chǎn)工藝簡(jiǎn)單，生產(chǎn)線上成品率高，電源產(chǎn)品性能好，可靠性高，體積小，成本低。HLQD1502恒流電源驅(qū)動(dòng)模塊是一個(gè)5腳元件，尺寸13x12x6mm，圖1是模塊底視圖。模塊引腳功能如下：
腳地線；2腳初級(jí)峰值電流檢測(cè)；3腳MOS管驅(qū)動(dòng)；4腳反饋信號(hào)及模塊供電輸入；5腳啟動(dòng)供電。以此模塊為核心控制器件制作的恒流電源具有以下特點(diǎn)：1、市電寬電壓輸入，負(fù)載寬電壓工作，穩(wěn)定性好。2、高功率因數(shù)，低輸入電流諧波，符合安規(guī)要求。3、原邊檢測(cè)控制輸出電流電壓，結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單。4、臨界模式工作，逐脈沖電流限制，可靠性高。 5、輸出短路、開(kāi)路保護(hù)，反饋開(kāi)路保護(hù)，過(guò)熱保護(hù) 。圖1 模塊底視圖 HLQD1502模塊可用于制作10—200瓦的恒流電源。如用EC28磁芯制作變壓器做輸出60V1A的抗雷擊，抗浪涌的室外應(yīng)用（如路燈、廣告燈、裝飾投光燈等）恒流開(kāi)關(guān)電源，包括變壓器在內(nèi)元件數(shù)24個(gè)，電路板尺寸87×38mm，電源變換效率91%，功率因數(shù)0.97，輸入電流諧波小于15%。實(shí)際電路的原理圖及使用的元器件參數(shù)如圖2所示。如果用EC42的磁芯制作變壓器，可以做輸出150瓦室外安規(guī)標(biāo)準(zhǔn)恒流電源，輸出90V1.65A時(shí)變換效率約95%。電路板尺寸105x59mm。兩種電源的PCB板分別如圖3、圖4所示。用HLQD1502模塊制作的LED電源是一個(gè)單端反激電壓/電流變換器，和普通的手機(jī)充電器之類的單端反激電源相比有2點(diǎn)差別：1、輸入電流低諧波，對(duì)電網(wǎng)污染小。輸入的交流市電經(jīng)整流后形成的單向脈動(dòng)正弦波沒(méi)有用大電解電容濾波轉(zhuǎn)變成平滑直流，而是直接對(duì)單向脈動(dòng)正弦波做反激變換，這樣可以使電源變換器的輸入電流波形跟隨輸入電壓的正弦波波形，減少輸入電流諧波成分，避免對(duì)電網(wǎng)產(chǎn)生諧波污染，影響電網(wǎng)的安全運(yùn)行。2、原邊反饋檢測(cè)次級(jí)電壓，結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單，效率高。沒(méi)有使用光藕之類的隔離傳輸元件向原邊傳送次級(jí)取樣的誤差信號(hào)，而是直接在原邊的反饋繞組上間接的檢測(cè)次級(jí)輸出電壓，再由模塊內(nèi)部電路做相應(yīng)的運(yùn)算處理產(chǎn)生控制信號(hào)調(diào)節(jié)主電路的占空比控制電路輸出能量，以穩(wěn)定輸出電流并限制最高輸出電壓，簡(jiǎn)化了電路結(jié)構(gòu)，消除了電流檢測(cè)電阻功耗，提高了效率?；竟ぷ鬟^(guò)程：以圖2實(shí)際電路為例：接通市電后正弦波交流電經(jīng)抗雷擊、抗浪涌電路限制尖峰后進(jìn)入整流橋整流形成單向脈動(dòng)的正弦波電壓，模塊5腳得到供電，經(jīng)內(nèi)部電路軟啟動(dòng)延遲后在3腳輸出正電壓驅(qū)動(dòng)MOS管導(dǎo)通，變壓器初級(jí)繞組N1產(chǎn)生反向感應(yīng)電勢(shì)限制MOS管的電流增加速度，變壓器磁芯隨著電流的增加存儲(chǔ)能量，此時(shí)次級(jí)繞組N3、反饋繞組N2和初級(jí)繞組N1相位相反，N3繞組對(duì)輸出整流管產(chǎn)生負(fù)電壓，輸出整流管不通，反饋繞組N2加到模塊4腳的電壓也為負(fù)，保持模塊3腳高電位狀態(tài)。線性增加的初級(jí)電流經(jīng)檢測(cè)電阻R3產(chǎn)生一個(gè)檢測(cè)電壓加到模塊2腳，當(dāng)該電壓達(dá)到模塊內(nèi)部的限定電壓時(shí)電路翻轉(zhuǎn)，模塊3腳對(duì)地導(dǎo)通，MOS管截止，初級(jí)繞組N1感應(yīng)電壓反向，次級(jí)繞組N3感應(yīng)電勢(shì)也隨之反向，輸出整流管D2導(dǎo)通，存儲(chǔ)在變壓器內(nèi)的能量向負(fù)載傳輸，同時(shí)反饋繞組N2上的感應(yīng)電壓也反相，對(duì)模塊4腳提供一個(gè)和次級(jí)繞組N3成比例的電壓為模塊內(nèi)的控制電路傳遞次級(jí)電壓參數(shù)信號(hào)，經(jīng)模塊內(nèi)部電路運(yùn)算處理后產(chǎn)生控制信號(hào)調(diào)整MOS管導(dǎo)通脈寬，該繞組同時(shí)為模塊提供工作電壓。變壓器的漏感能量經(jīng)吸收二極管D1輸送到吸收電容C3上再由吸收電阻R2和驅(qū)動(dòng)模塊共同消耗。變壓器磁芯中存儲(chǔ)的能量傳輸完之后次級(jí)繞組N3感應(yīng)電壓消失，反饋繞組N2感應(yīng)電壓也消失，模塊內(nèi)部觸發(fā)器電路翻轉(zhuǎn)，3腳再次輸出高電位形成下一個(gè)驅(qū)動(dòng)脈沖。幾個(gè)重要參數(shù)的設(shè)計(jì)原則1、設(shè)定變壓器初次級(jí)匝數(shù)比使負(fù)載電壓最高時(shí)變壓器次級(jí)繞組N3反射到初級(jí)繞組N1上的電壓在70—120V之間。此反射電壓實(shí)際上影響的是MOS管工作時(shí)的占空比，反射電壓取的越高占空比越大，MOS管的峰值電流越小，但MOS管的反峰電壓越高，要求MOS管要有更高的耐壓值。如圖2電路做60V1A輸出的60瓦電源，可用EC28磁芯做變壓器，磁芯中拄磨0.5mm的氣隙，N1繞組用0.45的漆包線繞31圈，N3繞組用0.55的漆包線繞25圈，
最高反射電壓：VFm=Vom÷N3×N1=65÷25×31=80.6V2、設(shè)定反饋繞組N2的匝數(shù)使負(fù)載電壓最高時(shí)變壓器次級(jí)繞組N3反射到反饋繞組N2上的電壓為20--21V。此參數(shù)限定了電源的最高輸出電壓。N2的反射電壓達(dá)到21V時(shí)電路就限制輸出，因而也就限制了N2自身電壓的進(jìn)一步提高。。N2繞組取8圈，輸出電壓最高65V時(shí)反饋繞組N2上的最高電壓：Vfm=Vom÷N3×N2=65÷25×8=20.8V3、MOS管電流檢測(cè)電阻的阻值由下式計(jì)算：R=(0.125÷Io)×(N1÷N3) （Io為電源輸出電流）圖2電路MOS管電流檢測(cè)電阻：R3=（0.125÷1）×（31÷25）=0.125×1.24=0.15歐生產(chǎn)流程用HLQD1502驅(qū)動(dòng)模塊制作恒流開(kāi)關(guān)電源，
電路板上所有元器件都是插件元件，既適合大批量生產(chǎn)，也適合小批量生產(chǎn)。插完元件后過(guò)波峰焊或者錫爐浸焊，切腳機(jī)切腳，再經(jīng)補(bǔ)修，目測(cè)沒(méi)問(wèn)題即可通電測(cè)試。只要使用的元器件質(zhì)量良好，插件無(wú)錯(cuò)，經(jīng)補(bǔ)修后確保沒(méi)有虛焊、連焊，通電即可正常工作。
