自己設(shè)計了一個反激變壓器。請大神看看有什么地方不對
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@nothingwith
線徑還是根據(jù)你計算的圈數(shù)和骨架可用的繞線寬度定吧，最好所有繞組都能密繞整層，這樣的變壓器耦合好，量產(chǎn)一致性好。電流密度只是一個指數(shù)，在合理的范圍內(nèi)就可以了，再者考慮下趨膚效應(yīng)，電流大的繞組用多根細線代替粗線。有必要的話適當?shù)奈⒄{(diào)圈數(shù)，讓它成為一個方便加工的變壓器，好的量產(chǎn)一致性才十最重要的。
謝謝。最近正在看變壓器優(yōu)化方面的。就是有點不明白，比如說我的次級是8匝初級是80匝。這個密繞整層是個什么概念呢？有點不明白希望營長能教教我。
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@業(yè)余工程師
謝謝。最近正在看變壓器優(yōu)化方面的。就是有點不明白，比如說我的次級是8匝初級是80匝。這個密繞整層是個什么概念呢？有點不明白希望營長能教教我。
密繞整層，就是銅線緊密排列，整整1層，2層，3層。。。，不要整數(shù)層又多出0.3，或0.5層，
假設(shè)初級80圈，BMAX260mT, 你按4A/mm2的電流密度選定某直徑的銅線，每層可以密繞25圈，于是就繞出了整整3層再多出5圈，這多出的5圈就會影響變壓器量產(chǎn)的一致性，吧這5圈散開，次級繞不平整，可能出現(xiàn)分布不均勻，漏感會因為分布不均勻的次級變大，即使次級繞平整了，漏感也會偏大，因為這幾圈銅線增大了初次級間的距離。如果吧這多出的圈擠在一起，后面繞線就會出現(xiàn)臺階，次級大部分圈數(shù)都會和這5圈在一個水平面上，那這5圈和次級耦合就會很差。
怎么辦呢？變?nèi)?shù)，不變?nèi)Ρ?，Bmax增加了，看看還能接受不 ？300mT以下都可以，當然越小越好了
直接變?nèi)Ρ?，把那多出?圈不要了，當然，其他參數(shù)也變了，再算一遍，看看VOR,Bmax,DMAX還能接受不？
或者簡單點，犧牲電流密度，原來取4A，我改6A得了，銅線用細一點點，看看繞玩80圈會不會是正好3層？
這就是我說的優(yōu)化
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@nothingwith
密繞整層，就是銅線緊密排列，整整1層，2層，3層。。。，不要整數(shù)層又多出0.3，或0.5層，假設(shè)初級80圈，BMAX260mT,你按4A/mm2的電流密度選定某直徑的銅線，每層可以密繞25圈，于是就繞出了整整3層再多出5圈，這多出的5圈就會影響變壓器量產(chǎn)的一致性，吧這5圈散開，次級繞不平整，可能出現(xiàn)分布不均勻，漏感會因為分布不均勻的次級變大，即使次級繞平整了，漏感也會偏大，因為這幾圈銅線增大了初次級間的距離。如果吧這多出的圈擠在一起，后面繞線就會出現(xiàn)臺階，次級大部分圈數(shù)都會和這5圈在一個水平面上，那這5圈和次級耦合就會很差。怎么辦呢？變?nèi)?shù)，不變?nèi)Ρ龋珺max增加了，看看還能接受不？300mT以下都可以，當然越小越好了直接變?nèi)Ρ?，把那多出?圈不要了，當然，其他參數(shù)也變了，再算一遍，看看VOR,Bmax,DMAX還能接受不？或者簡單點，犧牲電流密度，原來取4A，我改6A得了，銅線用細一點點，看看繞玩80圈會不會是正好3層？這就是我說的優(yōu)化
看了下你的參數(shù)，
反射電壓VOR=NP/NS X ( Vout+0.7)=127V,有點偏高，不過通常的集成芯片都有建議使用的VOR的，不超出范圍就可以了，同樣也十低點好，100V左右是最常見的。
K,這個東西小表示電流紋波小，同樣的輸出功率，K越小電流有效值越小，發(fā)熱越小，
但是實現(xiàn)起來的成本跟K的數(shù)值不是直線關(guān)系，我自己做過函數(shù)曲線驗證過0.66的來歷，K小于0.6后對電流有效值基本無影響，且0.6是很難實現(xiàn)的，需要巨大的磁芯，所以0.66是前輩們在成本和性能方面同事考慮取的一個經(jīng)驗值，但也沒必要非取0.66，我取0.7，電流有效值大些，銅線粗些又不是不行,DCM下K還等于1呢。
再來談?wù)劥判綠AP,太大的GAP會引起GAP附近的銅線發(fā)熱嚴重，漏感也會大，耦合也變差，太小的GAP會帶來較大的電感量公差，考慮到盡量小的電感公差，GAP要大于0.3mm，這，GAP的最大值，沒個準，要看磁芯大小，還有骨架尺寸，總之普通幾十W的反激變壓器，GAP要是超過2mm，就有點另類了。
總之設(shè)計變壓器主要靠經(jīng)驗，公式就是拿來給你導(dǎo)出幾個關(guān)鍵參數(shù)做評估的，看到哪個參數(shù)不順眼，就調(diào)整，再計算，直到所有參數(shù)都順眼，變壓器體積成本和結(jié)構(gòu)都合適為止，計算的時候無論從哪里開始都可以。
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@nothingwith
看了下你的參數(shù)，反射電壓VOR=NP/NS X (Vout+0.7)=127V,有點偏高，不過通常的集成芯片都有建議使用的VOR的，不超出范圍就可以了，同樣也十低點好，100V左右是最常見的。K,這個東西小表示電流紋波小，同樣的輸出功率，K越小電流有效值越小，發(fā)熱越小，但是實現(xiàn)起來的成本跟K的數(shù)值不是直線關(guān)系，我自己做過函數(shù)曲線驗證過0.66的來歷，K小于0.6后對電流有效值基本無影響，且0.6是很難實現(xiàn)的，需要巨大的磁芯，所以0.66是前輩們在成本和性能方面同事考慮取的一個經(jīng)驗值，但也沒必要非取0.66，我取0.7，電流有效值大些，銅線粗些又不是不行,DCM下K還等于1呢。再來談?wù)劥判綠AP,太大的GAP會引起GAP附近的銅線發(fā)熱嚴重，漏感也會大，耦合也變差，太小的GAP會帶來較大的電感量公差，考慮到盡量小的電感公差，GAP要大于0.3mm，這，GAP的最大值，沒個準，要看磁芯大小，還有骨架尺寸，總之普通幾十W的反激變壓器，GAP要是超過2mm，就有點另類了?？傊O(shè)計變壓器主要靠經(jīng)驗，公式就是拿來給你導(dǎo)出幾個關(guān)鍵參數(shù)做評估的，看到哪個參數(shù)不順眼，就調(diào)整，再計算，直到所有參數(shù)都順眼，變壓器體積成本和結(jié)構(gòu)都合適為止，計算的時候無論從哪里開始都可以。
在計算初級匝數(shù)與次級匝數(shù)時，我不是看得很明白，能否請教下詳細的計數(shù)公式與方法
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