該 N 溝道增強型功率 MOSFET 產(chǎn)品采用飛兆半導體的專有平面條形和 DMOS 技術(shù)生產(chǎn)。這種先進的 MOSFET 技術(shù)已專門定制用來降低導通電阻，并提供卓越的開關(guān)性能和較高的雪崩能量強度。這些器件適用于開關(guān)電源、有源功率因數(shù)校正（PFC）及照明燈電子鎮(zhèn)流器。
特性
5.4A, 900V, RDS(on) = 2.3Ω（最大值）@VGS = 10 V, ID = 2.7A柵極電荷低（典型值：31nC)低 Crss（典型值13pF)100% 經(jīng)過雪崩擊穿測試符合 RoHS 標準
